트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
DMG6402LDM-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT26 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.2nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 404pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.12W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-26 패키지 / 케이스: SOT-23-6	재고 있음26,928
DMG6402LVT-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 6A TSOT26 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11.4nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 498pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.75W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TSOT-26 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	재고 있음244,470
DMG6968LSD-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 6.5A 8-SOP 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 3.5A, 1.8V Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.5nC @ 4.5V Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 151pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음4,554
DMG6968U-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT-23 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.5nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 151pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.3W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음1,164,378
DMG6968UQ-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.5nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 151pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.3W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음8,550
DMG7401SFG-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V POWERDI3333-8 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.8A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 20V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 20V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 58nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2987pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 940mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음7,110
DMG7401SFG-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 9.8A POWERDI3333 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.8A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 20V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 20V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 58nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2987pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 940mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음4,014
DMG7401SFGQ-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 9.8A POWERDI3333 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.8A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 20V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 20V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 58nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2987pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 940mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음17,125
DMG7401SFGQ-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.8A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 20V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 20V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 58nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2987pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 940mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음8,984
DMG7408SFG-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 7A POWERDI 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 478.9pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음8,244
DMG7430LFG-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 10.5A PWRDI3333 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 26.7nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1281pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 900mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음317,700
DMG7430LFGQ-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: * FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음7,632
DMG7430LFGQ-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: * FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음2,016
DMG7702SFG-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 12A POWERDI 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14.7nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4310pF @ 15V FET 기능: Schottky Diode (Body) 전력 손실 (최대): 890mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음8,676
DMG7702SFG-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333-8 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 31.6nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4310pF @ 15V FET 기능: Schottky Diode (Body) 전력 손실 (최대): 890mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음3,798
DMG7N65SCT Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V 7.7A TO220AB 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.7A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25.2nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 886pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 125W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음3,114
DMG7N65SCTI Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V 7.7A ITO220AB 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.7A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25.2nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 886pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 28W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: ITO-220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	재고 있음3,204
DMG7N65SJ3 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET BVDSS: 501V 650V TO251 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 886pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 125W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-251 패키지 / 케이스: TO-251-3, IPak, Short Leads	재고 있음6,210
DMG8880LK3-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 11A TO252-3L 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 11.6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27.6nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1289pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.68W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-252, (D-Pak) 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음8,388
DMG8880LSS-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27.6nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1289pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.43W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SOP 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음4,284
DMG8N65SCT Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V 8A TO220AB 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1217pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 125W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음5,292
DMG9N65CT Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V 9A TO220AB 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 39nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2310pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 165W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음6,408
DMG9N65CTI Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N CH 650V 9A ITO-220AB 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 39nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2310pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 13W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: ITO-220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	재고 있음7,416
DMJ65H650SCTI Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET BVDSS: 501V-650V ITO-220A 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: * FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음8,838
DMJ70H1D0SV3 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CHANNEL 700V 6A TO251 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 700V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12.8nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 420pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 104W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-251 패키지 / 케이스: TO-251-3 Stub Leads, IPak	재고 있음7,074
DMJ70H1D3SH3 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 700V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.6A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13.9nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 351pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 41W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-251 패키지 / 케이스: TO-251-3 Stub Leads, IPak	재고 있음6,372
DMJ70H1D3SI3 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 700V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.6A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13.9nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 351pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 41W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-251 패키지 / 케이스: TO-251-3 Stub Leads, IPak	재고 있음8,676
DMJ70H1D3SJ3 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH TO251 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 700V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.6A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13.9nC @ 10V Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 351pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 41W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 155°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-251 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	재고 있음6,966
DMJ70H1D4SV3 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 700V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.5nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 342pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 78W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-251 패키지 / 케이스: TO-251-3 Stub Leads, IPak	재고 있음2,934
DMJ70H1D5SV3 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 700V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.8nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 316pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 78W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-251 패키지 / 케이스: TO-251-3 Stub Leads, IPak	재고 있음2,844

DMG6402LDM-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT26

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.2nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 404pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.12W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-26
패키지 / 케이스: SOT-23-6

재고 있음26,928

DMG6402LVT-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 6A TSOT26

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11.4nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 498pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.75W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TSOT-26
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

재고 있음244,470

DMG6968LSD-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 6.5A 8-SOP

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 3.5A, 1.8V
Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.5nC @ 4.5V
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 151pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음4,554

DMG6968U-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT-23

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.5nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 151pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.3W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음1,164,378

DMG6968UQ-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.5nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 151pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.3W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음8,550

DMG7401SFG-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V POWERDI3333-8

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.8A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 20V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 20V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 58nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2987pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 940mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음7,110

DMG7401SFG-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 9.8A POWERDI3333

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.8A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 20V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 20V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 58nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2987pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 940mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음4,014

DMG7401SFGQ-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 9.8A POWERDI3333

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.8A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 20V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 20V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 58nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2987pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 940mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음17,125

DMG7401SFGQ-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.8A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 20V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 20V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 58nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2987pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 940mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음8,984

DMG7408SFG-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 7A POWERDI

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 478.9pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음8,244

DMG7430LFG-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 10.5A PWRDI3333

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 26.7nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1281pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 900mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음317,700

DMG7430LFGQ-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: *
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음7,632

DMG7430LFGQ-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: *
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음2,016

DMG7702SFG-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 12A POWERDI

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14.7nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4310pF @ 15V
FET 기능: Schottky Diode (Body)
전력 손실 (최대): 890mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음8,676

DMG7702SFG-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333-8

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 31.6nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4310pF @ 15V
FET 기능: Schottky Diode (Body)
전력 손실 (최대): 890mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음3,798

DMG7N65SCT

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 7.7A TO220AB

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.7A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25.2nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 886pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 125W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음3,114

DMG7N65SCTI

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 7.7A ITO220AB

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.7A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25.2nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 886pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 28W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: ITO-220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

재고 있음3,204

DMG7N65SJ3

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET BVDSS: 501V 650V TO251

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 886pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 125W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-251
패키지 / 케이스: TO-251-3, IPak, Short Leads

재고 있음6,210

DMG8880LK3-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 11A TO252-3L

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 11.6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27.6nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1289pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.68W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-252, (D-Pak)
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음8,388

DMG8880LSS-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 11.6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27.6nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1289pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.43W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SOP
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음4,284

DMG8N65SCT

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 8A TO220AB

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1217pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 125W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음5,292

DMG9N65CT

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 9A TO220AB

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 39nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2310pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 165W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음6,408

DMG9N65CTI

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N CH 650V 9A ITO-220AB

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 39nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2310pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 13W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: ITO-220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

재고 있음7,416

DMJ65H650SCTI

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET BVDSS: 501V-650V ITO-220A

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: *
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음8,838

DMJ70H1D0SV3

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHANNEL 700V 6A TO251

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 700V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12.8nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 420pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 104W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-251
패키지 / 케이스: TO-251-3 Stub Leads, IPak

재고 있음7,074

DMJ70H1D3SH3

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 700V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.6A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13.9nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 351pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 41W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-251
패키지 / 케이스: TO-251-3 Stub Leads, IPak

재고 있음6,372

DMJ70H1D3SI3

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 700V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.6A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13.9nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 351pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 41W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-251
패키지 / 케이스: TO-251-3 Stub Leads, IPak

재고 있음8,676

DMJ70H1D3SJ3

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH TO251

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 700V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.6A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13.9nC @ 10V
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 351pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 41W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 155°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-251
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

재고 있음6,966

DMJ70H1D4SV3

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 700V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.5nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 342pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 78W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-251
패키지 / 케이스: TO-251-3 Stub Leads, IPak

재고 있음2,934

DMJ70H1D5SV3

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 700V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.8nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 316pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 78W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-251
패키지 / 케이스: TO-251-3 Stub Leads, IPak

재고 있음2,844

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