트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
DMN3009LFV-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 42nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2000pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음4,302
DMN3009LFV-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 42nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2000pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음2,502
DMN3009LFVW-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFETN-CHAN 30V POWERDI3333-8 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 42nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2000pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount, Wettable Flank 공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8 (Type UX) 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음5,904
DMN3009LFVW-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFETN-CHAN 30V POWERDI3333-8 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 42nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2000pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount, Wettable Flank 공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8 (Type UX) 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음31,488
DMN3009SFG-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 16A POWERDI333 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Ta), 45A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 42nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2000pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 900mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음3,168
DMN3009SFG-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 16A POWERDI333 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Ta), 45A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 42nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2000pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 900mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음5,850
DMN3009SFGQ-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFETN-CH 30VPOWERDI3333-8 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Ta), 45A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 42nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2000pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 900mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음4,284
DMN3009SFGQ-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30VPOWERDI3333-8 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Ta), 45A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 42nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2nF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 900mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음2,736
DMN3009SK3-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CHANNEL 30V 80A TO252 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 42nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2000pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.4W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-252, (D-Pak) 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음7,092
DMN3009SSS-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET BVDSS: 8V-24V SO-8 T&R 2. 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 42nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2000pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.4W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SO 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음3,582
DMN3010LFG-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V POWERDI3333-8 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Ta), 30A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 18A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 37nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2075pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 900mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음2,736
DMN3010LFG-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 11A POWERDI 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Ta), 30A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 18A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 37nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2075pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 900mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음5,562
DMN3010LK3-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 43A TO252 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13.1A (Ta), 43A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 18A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 37nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2075pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.6W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-252-3 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음4,248
DMN3010LSS-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 43.7nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2096pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SOP 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음3,636
DMN3016LFDE-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V U-DFN2020-6 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25.1nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1415pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 730mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: U-DFN2020-6 (Type E) 패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad	재고 있음6,210
DMN3016LFDE-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 10A U-DFN2020-6 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25.1nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1415pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 730mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: U-DFN2020-6 (Type E) 패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad	재고 있음58,224
DMN3016LFDF-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 12A UDFN2020-6 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25.1nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1415pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.02W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: U-DFN2020-6 (Type F) 패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad	재고 있음3,436
DMN3016LFDF-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 12A UDFN2020-6 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25.1nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1415pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.02W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: U-DFN2020-6 (Type F) 패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad	재고 있음44,574
DMN3016LK3-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 12.4A TO252 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12.4A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25.1nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1415pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.6W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-252 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음6,048
DMN3016LPS-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 10.8A PWRDI8 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.8A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25.1nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1415pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.18W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerDI5060-8 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음3,744
DMN3016LSS-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 10.3A 8SOIC 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25.1nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1415pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.5W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SO 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음23,280
DMN3018SFG-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 8.5A POWERDI 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13.2nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 697pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음27,612
DMN3018SFG-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 8.5A POWERDI 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13.2nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 697pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음6,858
DMN3018SFGQ-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET NCH 30V 8.5A POWERDI 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13.2nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 697pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음5,598
DMN3018SFGQ-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET NCH 30V 8.5A POWERDI 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13.2nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 697pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음6,246
DMN3018SSS-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N CH 30V 7.3A 8-SO 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13.2nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 697pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.4W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SO 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음47,328
DMN3020LK3-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 11.3A DPAK 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.3nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 608pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.17W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-252-3 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음7,632
DMN3020UFDF-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 15A UDFN2020-6 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 4.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 8V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1304pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.03W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: U-DFN2020-6 (Type F) 패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad	재고 있음2,268
DMN3020UFDF-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 15A UDFN2020-6 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 4.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 8V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1304pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.03W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: U-DFN2020-6 (Type F) 패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad	재고 있음7,326
DMN3020UTS-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 15A 8-TSSOP 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 4.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 8V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1304pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.4W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)	재고 있음5,004

DMN3009LFV-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2000pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음4,302

DMN3009LFV-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2000pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음2,502

DMN3009LFVW-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFETN-CHAN 30V POWERDI3333-8

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2000pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount, Wettable Flank
공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8 (Type UX)
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음5,904

DMN3009LFVW-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFETN-CHAN 30V POWERDI3333-8

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2000pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount, Wettable Flank
공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8 (Type UX)
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음31,488

DMN3009SFG-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 16A POWERDI333

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Ta), 45A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2000pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 900mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음3,168

DMN3009SFG-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 16A POWERDI333

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Ta), 45A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2000pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 900mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음5,850

DMN3009SFGQ-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFETN-CH 30VPOWERDI3333-8

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Ta), 45A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2000pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 900mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음4,284

DMN3009SFGQ-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30VPOWERDI3333-8

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Ta), 45A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2nF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 900mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음2,736

DMN3009SK3-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHANNEL 30V 80A TO252

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2000pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.4W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-252, (D-Pak)
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음7,092

DMN3009SSS-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET BVDSS: 8V-24V SO-8 T&R 2.

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2000pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.4W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SO
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음3,582

DMN3010LFG-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V POWERDI3333-8

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Ta), 30A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 37nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2075pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 900mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음2,736

DMN3010LFG-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 11A POWERDI

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Ta), 30A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 37nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2075pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 900mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음5,562

DMN3010LK3-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 43A TO252

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13.1A (Ta), 43A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 37nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2075pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.6W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-252-3
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음4,248

DMN3010LSS-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 43.7nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2096pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SOP
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음3,636

DMN3016LFDE-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V U-DFN2020-6

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25.1nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1415pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 730mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: U-DFN2020-6 (Type E)
패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad

재고 있음6,210

DMN3016LFDE-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 10A U-DFN2020-6

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25.1nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1415pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 730mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: U-DFN2020-6 (Type E)
패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad

재고 있음58,224

DMN3016LFDF-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 12A UDFN2020-6

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25.1nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1415pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.02W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: U-DFN2020-6 (Type F)
패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad

재고 있음3,436

DMN3016LFDF-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 12A UDFN2020-6

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25.1nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1415pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.02W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: U-DFN2020-6 (Type F)
패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad

재고 있음44,574

DMN3016LK3-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 12.4A TO252

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12.4A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25.1nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1415pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.6W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-252
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음6,048

DMN3016LPS-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 10.8A PWRDI8

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.8A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25.1nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1415pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.18W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerDI5060-8
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음3,744

DMN3016LSS-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 10.3A 8SOIC

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25.1nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1415pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.5W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SO
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음23,280

DMN3018SFG-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 8.5A POWERDI

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13.2nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 697pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음27,612

DMN3018SFG-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 8.5A POWERDI

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13.2nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 697pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음6,858

DMN3018SFGQ-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET NCH 30V 8.5A POWERDI

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13.2nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 697pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음5,598

DMN3018SFGQ-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET NCH 30V 8.5A POWERDI

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13.2nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 697pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음6,246

DMN3018SSS-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N CH 30V 7.3A 8-SO

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13.2nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 697pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.4W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SO
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음47,328

DMN3020LK3-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 11.3A DPAK

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.3nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 608pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.17W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-252-3
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음7,632

DMN3020UFDF-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 15A UDFN2020-6

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 8V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1304pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.03W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: U-DFN2020-6 (Type F)
패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad

재고 있음2,268

DMN3020UFDF-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 15A UDFN2020-6

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 8V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1304pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.03W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: U-DFN2020-6 (Type F)
패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad

재고 있음7,326

DMN3020UTS-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 15A 8-TSSOP

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 8V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1304pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.4W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-TSSOP
패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

재고 있음5,004

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