Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
수백만 개의 전자 부품 재고 있음. 24 시간 이내에 가격 및 리드 타임 견적.

트랜지스터

기록 64,903
페이지 1129/2164
이미지
부품 번호
설명
재고 있음
수량
DMNH3010LK3-13
DMNH3010LK3-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET NCH 30V 15A TO252

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Ta), 55A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 18A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 37nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2075pF @ 15V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 2W (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: TO-252-4L
  • 패키지 / 케이스: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
재고 있음4,662
DMNH4004SPS-13
DMNH4004SPS-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI506

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: *
  • FET 유형: -
  • 기술: -
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): -
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (최대) @ Id: -
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): -
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 공급자 장치 패키지: -
  • 패키지 / 케이스: -
재고 있음7,812
DMNH4005SCT
DMNH4005SCT

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 150A TO220AB

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 150A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 48nC @ 10V
  • Vgs (최대): 20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2846pF @ 20V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 165W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 공급자 장치 패키지: TO-220AB
  • 패키지 / 케이스: TO-220-3
재고 있음7,254
DMNH4005SCTQ
DMNH4005SCTQ

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 150A TO220AB

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 150A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 48nC @ 10V
  • Vgs (최대): 20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2846pF @ 20V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 165W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 공급자 장치 패키지: TO-220AB
  • 패키지 / 케이스: TO-220-3
재고 있음7,974
DMNH4005SPSQ-13
DMNH4005SPSQ-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 80A POWERDI5060

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 48nC @ 10V
  • Vgs (최대): 20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2847pF @ 20V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 2.8W
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PowerDI5060-8
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
재고 있음3,132
DMNH4006SK3-13
DMNH4006SK3-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 18A TO252

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Ta), 90A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 86A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 51nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2280pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 2.2W (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: TO-252, (D-Pak)
  • 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
재고 있음3,762
DMNH4006SK3Q-13
DMNH4006SK3Q-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 20A TO252

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta), 140A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 86A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 51nC @ 10V
  • Vgs (최대): 20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2280pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 2.2W (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: TO-252, (D-Pak)
  • 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
재고 있음5,616
DMNH4006SPS-13
DMNH4006SPS-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI506

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: *
  • FET 유형: -
  • 기술: -
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): -
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (최대) @ Id: -
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): -
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 공급자 장치 패키지: -
  • 패키지 / 케이스: -
재고 있음3,654
DMNH4006SPSQ-13
DMNH4006SPSQ-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET NCH 40V 110A POWERDI

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 110A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 50A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): 20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2280pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 1.6W (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PowerDI5060-8
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
재고 있음4,032
DMNH4011SK3-13
DMNH4011SK3-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 50A TO252

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 50A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25.5nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1405pF @ 20V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 2.6W (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: TO-252
  • 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
재고 있음4,770
DMNH4011SK3Q-13
DMNH4011SK3Q-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 50A TO252

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 50A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25.5nC @ 10V
  • Vgs (최대): 20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1405pF @ 20V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 2.6W (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: TO-252
  • 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
재고 있음3,492
DMNH4011SPS-13
DMNH4011SPS-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET NCH 40V 13A POWERDI

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Ta), 80A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25.5nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1405pF @ 20V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 1.5W (Ta), 100W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PowerDI5060-8
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
재고 있음7,074
DMNH4011SPSQ-13
DMNH4011SPSQ-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET NCH 40V 12.9A POWERDI

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12.9A (Ta), 100A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 50A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25.5nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1405pF @ 20V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 150W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PowerDI5060-8
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
재고 있음4,644
DMNH45M7SCT
DMNH45M7SCT

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET BVDSS: 41V-60V TO220-3 TU

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 220A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 64.7nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4043pF @ 20V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 240W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 공급자 장치 패키지: TO-220AB
  • 패키지 / 케이스: TO-220-3
재고 있음3,798
DMNH6008SCT
DMNH6008SCT

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET NCH 60V 130A TO220AB

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 130A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21nC @ 10V
  • Vgs (최대): 20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2596pF @ 30V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 210W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 공급자 장치 패키지: TO-220AB
  • 패키지 / 케이스: TO-220-3
재고 있음8,820
DMNH6008SCTQ
DMNH6008SCTQ

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET NCH 60V 130A TO220AB

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 130A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21nC @ 10V
  • Vgs (최대): 20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2596pF @ 30V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 210W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 공급자 장치 패키지: TO-220AB
  • 패키지 / 케이스: TO-220-3
재고 있음6,822
DMNH6008SPS-13
DMNH6008SPS-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 16.5A POWERDI

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16.5A (Ta), 88A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40.1nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2597pF @ 30V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 3.3W (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PowerDI5060-8
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
재고 있음8,208
DMNH6008SPSQ-13
DMNH6008SPSQ-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET NCH 60V 16.5A POWERDI

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16.5A (Ta), 88A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40.1nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2597pF @ 30V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 1.6W (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PowerDI5060-8
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
재고 있음24,504
DMNH6011LK3-13
DMNH6011LK3-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET BVDSS: 41V-60V TO252 T&R

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 25A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 49.1nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±12V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3077pF @ 30V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 1.6W (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: TO-252, (D-Pak)
  • 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
재고 있음4,986
DMNH6011LK3Q-13
DMNH6011LK3Q-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET BVDSS: 41V-60V TO252 T&R

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 25A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 49.1nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±12V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3077pF @ 30V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 1.6W (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: TO-252, (D-Pak)
  • 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
재고 있음7,578
DMNH6012LK3-13
DMNH6012LK3-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET NCH 60V 60A TO252

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 25A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35.2nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1926pF @ 30V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 2W (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: TO-252-4L
  • 패키지 / 케이스: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
재고 있음5,202
DMNH6012LK3Q-13
DMNH6012LK3Q-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET NCH 60V 80A TO252

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 25A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35.2nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1926pF @ 30V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 2W (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: TO-252-4L
  • 패키지 / 케이스: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
재고 있음24,462
DMNH6012SPS-13
DMNH6012SPS-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHA 60V 50A POWERDI

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 50A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35.2nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1926pF @ 30V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 1.6W (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PowerDI5060-8
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
재고 있음3,942
DMNH6012SPSQ-13
DMNH6012SPSQ-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET NCH 60V 50A POWERDI

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 50A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35.2nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1926pF @ 30V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 1.6W (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PowerDI5060-8
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
재고 있음4,410
DMNH6021SK3-13
DMNH6021SK3-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET NCH 60V 50A TO252

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 12A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20.1nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1143pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: TO-252-4L
  • 패키지 / 케이스: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
재고 있음3,744
DMNH6021SK3Q-13
DMNH6021SK3Q-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET NCH 60V 50A TO252

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 12A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20.1nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1143pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: TO-252-4L
  • 패키지 / 케이스: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
재고 있음22,800
DMNH6021SPS-13
DMNH6021SPS-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET NCH 60V 55A POWERDI

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 55A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 12A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19.7nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1016pF @ 30V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 1.6W (Ta), 53W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PowerDI5060-8
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
재고 있음7,938
DMNH6021SPSQ-13
DMNH6021SPSQ-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET NCH 60V 55A POWERDI

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 55A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 12A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19.7nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1016pF @ 30V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 1.6W (Ta), 53W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PowerDI5060-8
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
재고 있음26,640
DMNH6042SK3-13
DMNH6042SK3-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET NCH 60V 25A TO252

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 6A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.8nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 492pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 2W (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: TO-252-4L
  • 패키지 / 케이스: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
재고 있음2,538
DMNH6042SK3Q-13
DMNH6042SK3Q-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET NCH 60V 25A TO252

  • 제조업체: Diodes Incorporated
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 6A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.8nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 584pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 2W (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: TO-252-4L
  • 패키지 / 케이스: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
재고 있음8,244