트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
DMT10H015LPS-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 7.3A 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.3A (Ta), 44A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33.3nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1871pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.3W (Ta), 46W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerDI5060-8 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음3,582
DMT10H015LSS-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 8.3A 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33.3nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1871pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.2W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SO 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음3,240
DMT10H015SK3-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET BVDSS: 61V-100V TO252 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: * FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음2,916
DMT10H015SPS-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI50 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.3A (Ta), 44A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33.3nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1871pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.3W (Ta), 46W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerDI5060-8 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음7,542
DMT10H025LK3-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET BVDSS: 61V-100V TO252 T&R 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 47.2A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1477pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.6W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-252, (D-Pak) 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음5,076
DMT10H025SK3-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET BVDSS: 61V-100V TO252 T&R 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 41.2A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21.4nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1544pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.4W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-252, (D-Pak) 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음7,218
DMT10H025SSS-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFETN-CHAN 100V SO-8 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.4A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21.4nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1544pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.4W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SO 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음7,596
DMT10H072LFDF-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET BVDSS: 61V-100V U-DFN2020 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.1nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 266pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 800mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: U-DFN2020-6 패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad	재고 있음2,520
DMT10H072LFDF-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET BVDSS: 61V-100V U-DFN2020 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.1nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 266pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 800mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: U-DFN2020-6 패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad	재고 있음8,460
DMT10H072LFV-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI33 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: * FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음3,420
DMT10H072LFV-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI33 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: * FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음6,228
DMT10H4M5LPS-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI50 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: * FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음2,100
DMT2004UFDF-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET NCH 24V 14.1A UDFN2020 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 24V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14.1A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.45V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 53.7nC @ 10V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1683pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 800mW (Ta), 12.5W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: U-DFN2020-6 (Type F) 패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad	재고 있음7,830
DMT2004UFDF-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET NCH 24V 14.1A UDFN2020 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 24V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14.1A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.45V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 53.7nC @ 10V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1683pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 800mW (Ta), 12.5W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: U-DFN2020-6 (Type F) 패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad	재고 있음105,732
DMT2004UFG-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 24V 70A POWERDI3333 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 24V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 70A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.45V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 53.7nC @ 10V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1683pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.3W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음5,454
DMT2004UFG-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 24V 70A POWERDI3333 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 24V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 70A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.45V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 53.7nC @ 10V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1683pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.3W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음7,812
DMT2004UFV-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET BVDSS: 8V-24V POWERDI3333 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 24V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 70A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.45V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 53.7nC @ 10V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1683pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.2W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8 (Type UX) 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음5,238
DMT2004UFV-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET BVDSS: 8V-24V POWERDI3333 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 24V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 70A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.45V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 53.7nC @ 10V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1683pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.2W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8 (Type UX) 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음8,532
DMT2004UPS-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 24V 80A POWERDI5060 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 24V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.45V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 53.7nC @ 10V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1683pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerDI5060-8 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음2,466
DMT3002LPS-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET NCH 30V 100A POWERDI 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 77nC @ 10V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5000pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.2W (Ta), 136W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerDI5060-8 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음6,426
DMT3003LFG-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET NCH 30V 22A POWERDI 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Ta), 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 44nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2370pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.4W (Ta), 62W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음6,120
DMT3003LFG-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET NCH 30V 22A POWERDI 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Ta), 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 44nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2370pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.4W (Ta), 62W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음5,040
DMT3003LFGQ-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: * FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음6,408
DMT3003LFGQ-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: * FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음8,406
DMT3004LFG-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET NCH 30V 10.4A POWERDI 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.4A (Ta), 25A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 44nC @ 10V Vgs (최대): +20V, -16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2370pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 42W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음6,480
DMT3004LFG-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET NCH 30V 10.4A POWERDI 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.4A (Ta), 25A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 44nC @ 10V Vgs (최대): +20V, -16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2370pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 42W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음2,052
DMT3004LPS-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21A (Ta), 140A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 43.7nC @ 10V Vgs (최대): +20V, -16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2370pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.7W (Ta), 113W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerDI5060-8 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음2,358
DMT3006LDK-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 17.1A VDFN30308 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17.1A (Ta), 46.2A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22.6nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1320pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.1W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: V-DFN3030-8 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음5,274
DMT3006LFDF-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET NCH 30V 14.1A UDFN2020 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14.1A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3.7V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22.6nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1320pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 800mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: U-DFN2020-6 (Type F) 패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad	재고 있음6,552
DMT3006LFDF-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET NCH 30V 14.1A UDFN2020 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14.1A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3.7V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22.6nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1320pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 800mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: U-DFN2020-6 (Type F) 패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad	재고 있음24,414

DMT10H015LPS-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 7.3A

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.3A (Ta), 44A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33.3nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1871pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.3W (Ta), 46W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerDI5060-8
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음3,582

DMT10H015LSS-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 8.3A

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33.3nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1871pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.2W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SO
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음3,240

DMT10H015SK3-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET BVDSS: 61V-100V TO252

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: *
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음2,916

DMT10H015SPS-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI50

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.3A (Ta), 44A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33.3nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1871pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.3W (Ta), 46W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerDI5060-8
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음7,542

DMT10H025LK3-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET BVDSS: 61V-100V TO252 T&R

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 47.2A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1477pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.6W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-252, (D-Pak)
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음5,076

DMT10H025SK3-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET BVDSS: 61V-100V TO252 T&R

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 41.2A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21.4nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1544pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.4W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-252, (D-Pak)
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음7,218

DMT10H025SSS-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFETN-CHAN 100V SO-8

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.4A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21.4nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1544pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.4W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SO
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음7,596

DMT10H072LFDF-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET BVDSS: 61V-100V U-DFN2020

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.1nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 266pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 800mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: U-DFN2020-6
패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad

재고 있음2,520

DMT10H072LFDF-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET BVDSS: 61V-100V U-DFN2020

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.1nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 266pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 800mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: U-DFN2020-6
패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad

재고 있음8,460

DMT10H072LFV-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI33

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: *
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음3,420

DMT10H072LFV-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI33

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: *
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음6,228

DMT10H4M5LPS-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI50

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: *
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음2,100

DMT2004UFDF-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET NCH 24V 14.1A UDFN2020

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 24V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14.1A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.45V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 53.7nC @ 10V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1683pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 800mW (Ta), 12.5W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: U-DFN2020-6 (Type F)
패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad

재고 있음7,830

DMT2004UFDF-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET NCH 24V 14.1A UDFN2020

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 24V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14.1A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.45V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 53.7nC @ 10V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1683pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 800mW (Ta), 12.5W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: U-DFN2020-6 (Type F)
패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad

재고 있음105,732

DMT2004UFG-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 24V 70A POWERDI3333

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 24V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 70A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.45V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 53.7nC @ 10V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1683pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.3W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음5,454

DMT2004UFG-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 24V 70A POWERDI3333

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 24V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 70A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.45V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 53.7nC @ 10V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1683pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.3W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음7,812

DMT2004UFV-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET BVDSS: 8V-24V POWERDI3333

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 24V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 70A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.45V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 53.7nC @ 10V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1683pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.2W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8 (Type UX)
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음5,238

DMT2004UFV-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET BVDSS: 8V-24V POWERDI3333

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 24V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 70A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.45V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 53.7nC @ 10V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1683pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.2W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8 (Type UX)
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음8,532

DMT2004UPS-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 24V 80A POWERDI5060

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 24V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.45V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 53.7nC @ 10V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1683pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerDI5060-8
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음2,466

DMT3002LPS-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET NCH 30V 100A POWERDI

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 77nC @ 10V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5000pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.2W (Ta), 136W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerDI5060-8
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음6,426

DMT3003LFG-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET NCH 30V 22A POWERDI

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Ta), 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 44nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2370pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.4W (Ta), 62W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음6,120

DMT3003LFG-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET NCH 30V 22A POWERDI

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Ta), 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 44nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2370pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.4W (Ta), 62W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음5,040

DMT3003LFGQ-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: *
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음6,408

DMT3003LFGQ-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI333

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: *
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음8,406

DMT3004LFG-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET NCH 30V 10.4A POWERDI

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.4A (Ta), 25A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 44nC @ 10V
Vgs (최대): +20V, -16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2370pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 42W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음6,480

DMT3004LFG-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET NCH 30V 10.4A POWERDI

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.4A (Ta), 25A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 44nC @ 10V
Vgs (최대): +20V, -16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2370pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 42W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerDI3333-8
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음2,052

DMT3004LPS-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21A (Ta), 140A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 43.7nC @ 10V
Vgs (최대): +20V, -16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2370pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.7W (Ta), 113W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerDI5060-8
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음2,358

DMT3006LDK-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 17.1A VDFN30308

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17.1A (Ta), 46.2A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22.6nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1320pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.1W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: V-DFN3030-8
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음5,274

DMT3006LFDF-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET NCH 30V 14.1A UDFN2020

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14.1A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3.7V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22.6nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1320pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 800mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: U-DFN2020-6 (Type F)
패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad

재고 있음6,552

DMT3006LFDF-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET NCH 30V 14.1A UDFN2020

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14.1A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3.7V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22.6nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1320pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 800mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: U-DFN2020-6 (Type F)
패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad

재고 있음24,414

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