트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
FDD3670 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 34A D-PAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 34A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7.3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 80nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2490pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.8W (Ta), 83W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-252 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음2,736
FDD3672 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 44A D-PAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: UltraFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A (Ta), 44A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 44A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1710pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 135W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-252AA 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음2,160
FDD3672-F085 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 44A DPAK-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101, UltraFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 44A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 21A, 6V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1635pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 144W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-252AA 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음6,282
FDD3680 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 25A D-PAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 6.1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 53nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1735pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 68W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-252 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음2,304
FDD3682 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 32A D-PAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A (Ta), 32A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 32A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 28nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1250pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 95W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-252AA 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음8,136
FDD3682-F085 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 32A DPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A (Ta), 32A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 32A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 28nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1250pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 95W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-252AA 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음2,988
FDD3690 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 22A D-PAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 5.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 39nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1514pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.8W (Ta), 60W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D-PAK (TO-252AA) 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음7,650
FDD3706 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 14.7A D-PAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14.7A (Ta), 50A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16.2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1882pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.8W (Ta), 44W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D-PAK (TO-252AA) 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음23,460
FDD3860 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 6.2A DPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 31nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1740pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 69W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D-PAK (TO-252AA) 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음5,112
FDD390N15A ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 150V 26A DPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 26A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 26A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18.6nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1285pF @ 75V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 63W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DPAK 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음2,016
FDD390N15ALZ ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 150V 26A DPAK-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 26A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 26A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 39nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1760pF @ 75V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 63W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DPAK 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음2,232
FDD3N40TF ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 400V 2A DPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: UniFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 400V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 225pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 30W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D-Pak 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음5,616
FDD3N40TM ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 400V 2A DPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: UniFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 400V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 225pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 30W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D-Pak 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음5,724
FDD3N50NZTM ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V DPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: UniFET-II™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 280pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 40W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D-Pak 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음7,110
FDD4141 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 40V 10.8A DPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.8A (Ta), 50A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 12.7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 50nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2775pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.4W (Ta), 69W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D-PAK (TO-252AA) 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음249,972
FDD4141-F085 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 40V 10.8A DPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.8A (Ta), 50A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 12.7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 50nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2775pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.4W (Ta), 69W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D-PAK (TO-252AA) 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음105,918
FDD4141-F085P ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 40V 10.8A DPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: * FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음6,102
FDD4243 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 40V 6.7A DPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.7A (Ta), 14A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 6.7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1550pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 42W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D-PAK (TO-252AA) 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음46,806
FDD4243-F085 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 40V 6.7A DPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.7A (Ta), 14A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 6.7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1550pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 50W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D-PAK (TO-252AA) 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음2,988
FDD4243-F085P ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 PMOS DPAK 40V 44 MOHM 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 6.7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1550pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 50W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-252, (D-Pak) 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음5,688
FDD45AN06LA0 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 25A DPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.2A (Ta), 25A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 880pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 55W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-252AA 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음3,472
FDD45AN06LA0_F085 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 25A DPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.2A (Ta), 25A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 880pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 55W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-252AA 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음8,712
FDD4685 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 40V 8.4A DPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.4A (Ta), 32A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 8.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2380pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 69W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D-PAK (TO-252AA) 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음224,868
FDD4685-F085 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 40V 32A DPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.4A (Ta), 32A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 8.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2380pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 83W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D-PAK (TO-252AA) 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음7,470
FDD4685-F085P ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 PMOS DPAK 40V 27 MOHM 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 32A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 8.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2380pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 83W (Tj) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-252, (D-Pak) 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음2,538
FDD4685TF_SB82135 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 40V DPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.4A (Ta), 32A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 8.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 5V Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2380pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D-PAK (TO-252AA) 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음3,222
FDD4N60NZ ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N CH 600V 3.4A DPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: UniFET-II™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.4A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.8nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 510pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 114W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DPAK 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음3,420
FDD5353 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 11.5A DPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.5A (Ta), 50A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 10.7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 65nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3215pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 69W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D-PAK (TO-252AA) 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음53,448
FDD5612 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 5.4A DPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.4A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 660pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.8W (Ta), 42W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-252-3 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음20,538
FDD5614P ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 60V 15A DPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 759pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.8W (Ta), 42W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-252 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음238,272

FDD3670

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 34A D-PAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 34A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 80nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2490pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.8W (Ta), 83W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-252
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음2,736

FDD3672

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 44A D-PAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: UltraFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A (Ta), 44A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 44A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1710pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 135W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-252AA
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음2,160

FDD3672-F085

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 44A DPAK-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101, UltraFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 44A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 21A, 6V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1635pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 144W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-252AA
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음6,282

FDD3680

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 25A D-PAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 6.1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 53nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1735pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 68W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-252
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음2,304

FDD3682

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 32A D-PAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A (Ta), 32A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 32A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 28nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1250pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 95W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-252AA
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음8,136

FDD3682-F085

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 32A DPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A (Ta), 32A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 32A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 28nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1250pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 95W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-252AA
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음2,988

FDD3690

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 22A D-PAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 39nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1514pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.8W (Ta), 60W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D-PAK (TO-252AA)
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음7,650

FDD3706

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 14.7A D-PAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14.7A (Ta), 50A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16.2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1882pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.8W (Ta), 44W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D-PAK (TO-252AA)
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음23,460

FDD3860

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 6.2A DPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 31nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1740pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 69W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D-PAK (TO-252AA)
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음5,112

FDD390N15A

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 150V 26A DPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 150V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 26A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 26A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18.6nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1285pF @ 75V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 63W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DPAK
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음2,016

FDD390N15ALZ

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 150V 26A DPAK-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 150V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 26A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 26A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 39nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1760pF @ 75V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 63W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DPAK
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음2,232

FDD3N40TF

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 400V 2A DPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: UniFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 400V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 225pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 30W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D-Pak
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음5,616

FDD3N40TM

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 400V 2A DPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: UniFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 400V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 225pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 30W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D-Pak
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음5,724

FDD3N50NZTM

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V DPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: UniFET-II™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 280pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 40W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D-Pak
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음7,110

FDD4141

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 40V 10.8A DPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.8A (Ta), 50A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 12.7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2775pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.4W (Ta), 69W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D-PAK (TO-252AA)
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음249,972

FDD4141-F085

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 40V 10.8A DPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.8A (Ta), 50A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 12.7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2775pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.4W (Ta), 69W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D-PAK (TO-252AA)
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음105,918

FDD4141-F085P

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 40V 10.8A DPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: *
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음6,102

FDD4243

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 40V 6.7A DPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.7A (Ta), 14A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 6.7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1550pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 42W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D-PAK (TO-252AA)
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음46,806

FDD4243-F085

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 40V 6.7A DPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.7A (Ta), 14A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 6.7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1550pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 50W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D-PAK (TO-252AA)
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음2,988

FDD4243-F085P

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

PMOS DPAK 40V 44 MOHM

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 6.7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1550pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 50W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-252, (D-Pak)
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음5,688

FDD45AN06LA0

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 25A DPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.2A (Ta), 25A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 880pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 55W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-252AA
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음3,472

FDD45AN06LA0_F085

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 25A DPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.2A (Ta), 25A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 880pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 55W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-252AA
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음8,712

FDD4685

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 40V 8.4A DPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.4A (Ta), 32A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 8.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2380pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 69W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D-PAK (TO-252AA)
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음224,868

FDD4685-F085

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 40V 32A DPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.4A (Ta), 32A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 8.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2380pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 83W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D-PAK (TO-252AA)
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음7,470

FDD4685-F085P

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

PMOS DPAK 40V 27 MOHM

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 32A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 8.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2380pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 83W (Tj)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-252, (D-Pak)
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음2,538

FDD4685TF_SB82135

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 40V DPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.4A (Ta), 32A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 8.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 5V
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2380pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D-PAK (TO-252AA)
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음3,222

FDD4N60NZ

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N CH 600V 3.4A DPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: UniFET-II™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.4A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.8nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 510pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 114W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DPAK
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음3,420

FDD5353

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 11.5A DPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.5A (Ta), 50A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 10.7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 65nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3215pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 69W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D-PAK (TO-252AA)
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음53,448

FDD5612

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 5.4A DPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.4A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 660pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.8W (Ta), 42W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-252-3
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음20,538

FDD5614P

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 60V 15A DPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 759pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.8W (Ta), 42W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-252
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음238,272

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