트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
FDD9407_SN00283 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 112nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6390pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 227W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D-PAK (TO-252AA) 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음5,184
FDD9409-F085 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 90A TO252 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 46nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3130pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 150W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D-PAK (TO-252) 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음6,750
FDD9409L-F085 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 NMOS DPAK 40V 2.6 MOHM 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 68nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3360pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 150W (Tj) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-252, (D-Pak) 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음3,456
FDD9410-F085 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 50A DPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 34.5nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1715pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 75W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D-PAK (TO-252) 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음4,482
FDD9410L-F085 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CHANNEL 40V 50A TO252 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 43nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1960pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 75W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-252, (D-Pak) 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음5,436
FDD9411-F085 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 15A DPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22.5nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1080pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 48.4W (Tj) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D-PAK (TO-252) 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음6,174
FDD9411L-F085 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 NMOS DPAK 40V 7.1 MOHM 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1210pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 48.4W (Tj) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-252, (D-Pak) 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음3,780
FDD9507L-F085 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 PMOS DPAK 40V 4.4 MOHM 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 130nC @ 10V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6250pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 227W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D-PAK (TO-252) 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음7,578
FDD9509L-F085 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 PT8P 40V LL DPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 70A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 75nC @ 10V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3350pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 150W (Tj) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D-PAK (TO-252) 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음3,996
FDD9510L-F085 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 35V 13A DPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 37nC @ 10V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2020pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 75W (Tj) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D-PAK (TO-252) 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음2,052
FDD9511L-F085 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 PT8P 40V LL DPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 10V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1200pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 48.4W (Tj) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D-PAK (TO-252) 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음2,100
FDFC2P100 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 3A SSOT-6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.7nC @ 10V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 445pF @ 10V FET 기능: Schottky Diode (Isolated) 전력 손실 (최대): 1.5W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SuperSOT™-6 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	재고 있음6,390
FDFC3N108 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 3A SSOT-6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.9nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 355pF @ 10V FET 기능: Schottky Diode (Isolated) 전력 손실 (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SuperSOT™-6 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	재고 있음4,176
FDFM2N111 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 4A 3X3 MLP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.8nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 273pF @ 10V FET 기능: Schottky Diode (Isolated) 전력 손실 (최대): 1.7W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: MicroFET 3x3mm 패키지 / 케이스: 6-WDFN Exposed Pad	재고 있음5,472
FDFM2P110 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 3.5A 3X3 MLP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 3.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 280pF @ 10V FET 기능: Schottky Diode (Isolated) 전력 손실 (최대): 2W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: MicroFET 3x3mm 패키지 / 케이스: 6-WDFN Exposed Pad	재고 있음28,800
FDFMA2N028Z ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 3.7A MLP2X2 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.7A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 3.7A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 455pF @ 10V FET 기능: Schottky Diode (Isolated) 전력 손실 (최대): 1.4W (Tj) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-MicroFET (2x2) 패키지 / 케이스: 6-VDFN Exposed Pad	재고 있음46,038
FDFMA2P029Z ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 3.1A 2X2MLP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.1A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3.1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 720pF @ 10V FET 기능: Schottky Diode (Isolated) 전력 손실 (최대): 1.4W (Tj) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-MicroFET (2x2) 패키지 / 케이스: 6-VDFN Exposed Pad	재고 있음2,844
FDFMA2P029Z-F106 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 -20V -3.1A 95 O PCH ER T 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.1A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3.1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 720pF @ 10V FET 기능: Schottky Diode (Isolated) 전력 손실 (최대): 1.4W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-MicroFET (2x2) 패키지 / 케이스: 6-VDFN Exposed Pad	재고 있음4,932
FDFMA2P853 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 435pF @ 10V FET 기능: Schottky Diode (Isolated) 전력 손실 (최대): 1.4W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-MicroFET (2x2) 패키지 / 케이스: 6-VDFN Exposed Pad	재고 있음53,868
FDFMA2P853T ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 3A 6-MICROFET 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 435pF @ 10V FET 기능: Schottky Diode (Isolated) 전력 손실 (최대): 1.4W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: MicroFET 2x2 Thin 패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad	재고 있음7,902
FDFMA2P857 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET2X2 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 435pF @ 10V FET 기능: Schottky Diode (Isolated) 전력 손실 (최대): 1.4W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-MicroFET (2x2) 패키지 / 케이스: 6-VDFN Exposed Pad	재고 있음6,048
FDFMA2P859T ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 435pF @ 10V FET 기능: Schottky Diode (Isolated) 전력 손실 (최대): 1.4W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: MicroFET 2x2 Thin 패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad	재고 있음2,394
FDFMA3N109 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 2.9A MICRO2X2 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.9A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 2.9A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 220pF @ 15V FET 기능: Schottky Diode (Isolated) 전력 손실 (최대): 1.5W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-MicroFET (2x2) 패키지 / 케이스: 6-VDFN Exposed Pad	재고 있음177,084
FDFMA3P029Z ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P CH 30V 3.3A MICRO 2X2 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 3.3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 435pF @ 15V FET 기능: Schottky Diode (Isolated) 전력 손실 (최대): 1.4W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-MicroFET (2x2) 패키지 / 케이스: 6-VDFN Exposed Pad	재고 있음6,894
FDFME2P823ZT ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 2.6A 6MICROFET 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 142mOhm @ 2.3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.7nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 405pF @ 10V FET 기능: Schottky Diode (Isolated) 전력 손실 (최대): 1.4W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-MicroFET (1.6x1.6) 패키지 / 케이스: 6-UFDFN Exposed Pad	재고 있음6,768
FDFME3N311ZT ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 1.8A 6MICROFET 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.8A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 1.6A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 75pF @ 15V FET 기능: Schottky Diode (Isolated) 전력 손실 (최대): 1.4W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-MicroFET (1.6x1.6) 패키지 / 케이스: 6-UFDFN Exposed Pad	재고 있음2,916
FDFMJ2P023Z ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 2.9A 6MLP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.9A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 2.9A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 400pF @ 10V FET 기능: Schottky Diode (Isolated) 전력 손실 (최대): 1.4W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-75, MicroFET 패키지 / 케이스: 6-WFDFN Exposed Pad	재고 있음8,388
FDFS2P102 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 3.3A 8-SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 3.3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 270pF @ 10V FET 기능: Schottky Diode (Isolated) 전력 손실 (최대): 900mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SOIC 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음6,534
FDFS2P102A ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 3.3A 8-SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 3.3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 182pF @ 10V FET 기능: Schottky Diode (Isolated) 전력 손실 (최대): 900mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SOIC 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음5,004
FDFS2P103 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOIC 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5.3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8nC @ 5V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 528pF @ 15V FET 기능: Schottky Diode (Isolated) 전력 손실 (최대): 900mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SOIC 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음3,582

FDD9407_SN00283

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 112nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6390pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 227W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D-PAK (TO-252AA)
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음5,184

FDD9409-F085

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 90A TO252

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 46nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3130pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 150W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D-PAK (TO-252)
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음6,750

FDD9409L-F085

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

NMOS DPAK 40V 2.6 MOHM

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 68nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3360pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 150W (Tj)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-252, (D-Pak)
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음3,456

FDD9410-F085

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 50A DPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 34.5nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1715pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 75W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D-PAK (TO-252)
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음4,482

FDD9410L-F085

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHANNEL 40V 50A TO252

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 43nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1960pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 75W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-252, (D-Pak)
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음5,436

FDD9411-F085

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 15A DPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22.5nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1080pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 48.4W (Tj)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D-PAK (TO-252)
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음6,174

FDD9411L-F085

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

NMOS DPAK 40V 7.1 MOHM

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1210pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 48.4W (Tj)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-252, (D-Pak)
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음3,780

FDD9507L-F085

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

PMOS DPAK 40V 4.4 MOHM

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 130nC @ 10V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6250pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 227W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D-PAK (TO-252)
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음7,578

FDD9509L-F085

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

PT8P 40V LL DPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 70A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 75nC @ 10V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3350pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 150W (Tj)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D-PAK (TO-252)
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음3,996

FDD9510L-F085

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 35V 13A DPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 37nC @ 10V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2020pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 75W (Tj)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D-PAK (TO-252)
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음2,052

FDD9511L-F085

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

PT8P 40V LL DPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1200pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 48.4W (Tj)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D-PAK (TO-252)
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음2,100

FDFC2P100

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 3A SSOT-6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.7nC @ 10V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 445pF @ 10V
FET 기능: Schottky Diode (Isolated)
전력 손실 (최대): 1.5W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SuperSOT™-6
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

재고 있음6,390

FDFC3N108

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 3A SSOT-6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.9nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 355pF @ 10V
FET 기능: Schottky Diode (Isolated)
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SuperSOT™-6
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

재고 있음4,176

FDFM2N111

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 4A 3X3 MLP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.8nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 273pF @ 10V
FET 기능: Schottky Diode (Isolated)
전력 손실 (최대): 1.7W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: MicroFET 3x3mm
패키지 / 케이스: 6-WDFN Exposed Pad

재고 있음5,472

FDFM2P110

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 3.5A 3X3 MLP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 280pF @ 10V
FET 기능: Schottky Diode (Isolated)
전력 손실 (최대): 2W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: MicroFET 3x3mm
패키지 / 케이스: 6-WDFN Exposed Pad

재고 있음28,800

FDFMA2N028Z

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 3.7A MLP2X2

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.7A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 3.7A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 455pF @ 10V
FET 기능: Schottky Diode (Isolated)
전력 손실 (최대): 1.4W (Tj)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-MicroFET (2x2)
패키지 / 케이스: 6-VDFN Exposed Pad

재고 있음46,038

FDFMA2P029Z

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 3.1A 2X2MLP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.1A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3.1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 720pF @ 10V
FET 기능: Schottky Diode (Isolated)
전력 손실 (최대): 1.4W (Tj)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-MicroFET (2x2)
패키지 / 케이스: 6-VDFN Exposed Pad

재고 있음2,844

FDFMA2P029Z-F106

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

-20V -3.1A 95 O PCH ER T

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.1A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3.1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 720pF @ 10V
FET 기능: Schottky Diode (Isolated)
전력 손실 (최대): 1.4W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-MicroFET (2x2)
패키지 / 케이스: 6-VDFN Exposed Pad

재고 있음4,932

FDFMA2P853

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 435pF @ 10V
FET 기능: Schottky Diode (Isolated)
전력 손실 (최대): 1.4W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-MicroFET (2x2)
패키지 / 케이스: 6-VDFN Exposed Pad

재고 있음53,868

FDFMA2P853T

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 3A 6-MICROFET

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 435pF @ 10V
FET 기능: Schottky Diode (Isolated)
전력 손실 (최대): 1.4W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: MicroFET 2x2 Thin
패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad

재고 있음7,902

FDFMA2P857

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET2X2

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 435pF @ 10V
FET 기능: Schottky Diode (Isolated)
전력 손실 (최대): 1.4W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-MicroFET (2x2)
패키지 / 케이스: 6-VDFN Exposed Pad

재고 있음6,048

FDFMA2P859T

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 435pF @ 10V
FET 기능: Schottky Diode (Isolated)
전력 손실 (최대): 1.4W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: MicroFET 2x2 Thin
패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad

재고 있음2,394

FDFMA3N109

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 2.9A MICRO2X2

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.9A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 220pF @ 15V
FET 기능: Schottky Diode (Isolated)
전력 손실 (최대): 1.5W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-MicroFET (2x2)
패키지 / 케이스: 6-VDFN Exposed Pad

재고 있음177,084

FDFMA3P029Z

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P CH 30V 3.3A MICRO 2X2

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 435pF @ 15V
FET 기능: Schottky Diode (Isolated)
전력 손실 (최대): 1.4W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-MicroFET (2x2)
패키지 / 케이스: 6-VDFN Exposed Pad

재고 있음6,894

FDFME2P823ZT

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 2.6A 6MICROFET

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 142mOhm @ 2.3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.7nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 405pF @ 10V
FET 기능: Schottky Diode (Isolated)
전력 손실 (최대): 1.4W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-MicroFET (1.6x1.6)
패키지 / 케이스: 6-UFDFN Exposed Pad

재고 있음6,768

FDFME3N311ZT

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 1.8A 6MICROFET

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.8A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 1.6A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 75pF @ 15V
FET 기능: Schottky Diode (Isolated)
전력 손실 (최대): 1.4W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-MicroFET (1.6x1.6)
패키지 / 케이스: 6-UFDFN Exposed Pad

재고 있음2,916

FDFMJ2P023Z

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 2.9A 6MLP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.9A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 400pF @ 10V
FET 기능: Schottky Diode (Isolated)
전력 손실 (최대): 1.4W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-75, MicroFET
패키지 / 케이스: 6-WFDFN Exposed Pad

재고 있음8,388

FDFS2P102

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 3.3A 8-SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 270pF @ 10V
FET 기능: Schottky Diode (Isolated)
전력 손실 (최대): 900mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SOIC
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음6,534

FDFS2P102A

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 3.3A 8-SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 182pF @ 10V
FET 기능: Schottky Diode (Isolated)
전력 손실 (최대): 900mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SOIC
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음5,004

FDFS2P103

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOIC

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8nC @ 5V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 528pF @ 15V
FET 기능: Schottky Diode (Isolated)
전력 손실 (최대): 900mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SOIC
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음3,582

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