트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
BFS17PE6327HTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 1.4GHZ SOT23-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 1.4GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.5dB ~ 5dB @ 800MHz 이득: - 전력-최대: 280mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 2mA, 1V 전류-수집기 (Ic) (최대): 25mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음683,124
BFS 17P E6433 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 1.4GHZ SOT23-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 1.4GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.5dB ~ 5dB @ 800MHz 이득: - 전력-최대: 280mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 2mA, 1V 전류-수집기 (Ic) (최대): 25mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음8,748
BFS17PE6752HTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN SOT23-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,394
BFS 17P E8211 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN SOT23-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,402
BFS17SE6327HTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS 2NPN 15V 1.4GHZ SOT363 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 1.4GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 800MHz 이득: - 전력-최대: 280mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 2mA, 1V 전류-수집기 (Ic) (최대): 25mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6	재고 있음3,348
BFS17SH6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS 2NPN 15V 1.4GHZ SOT363 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 1.4GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 800MHz 이득: - 전력-최대: 280mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 2mA, 1V 전류-수집기 (Ic) (최대): 25mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6	재고 있음5,994
BFS17TA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 1.3GHZ SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 1.3GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 4.5dB @ 500MHz 이득: - 전력-최대: 330mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 25mA, 1V 전류-수집기 (Ic) (최대): 25mA 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음3,780
BFS17W,115 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 1.6GHZ SOT323-3 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 1.6GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 4.5dB @ 500MHz 이득: - 전력-최대: 300mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 2mA, 1V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SOT-323-3	재고 있음8,046
BFS17W,135 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 1.6GHZ SOT323-3 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 1.6GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 4.5dB @ 500MHz 이득: - 전력-최대: 300mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 2mA, 1V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SOT-323-3	재고 있음7,884
BFS17WE6327HTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 1.4GHZ SOT323-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 1.4GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.5dB ~ 5dB @ 800MHz 이득: - 전력-최대: 280mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 2mA, 1V 전류-수집기 (Ic) (최대): 25mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: PG-SOT323-3	재고 있음5,544
BFS17WH6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 1.4GHZ SOT323-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 1.4GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.5dB ~ 5dB @ 800MHz 이득: - 전력-최대: 280mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 2mA, 1V 전류-수집기 (Ic) (최대): 25mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: PG-SOT323-3	재고 있음160,038
BFS17WH6393XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN SOT323-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 주파수-전환: - 노이즈 지수 (dB Typ @ f): - 이득: - 전력-최대: - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,510
BFS25A,115 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 5V 5GHZ SOT323-3 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 5V 주파수-전환: 5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.8dB ~ 2dB @ 1GHz 이득: - 전력-최대: 32mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 500µA, 1V 전류-수집기 (Ic) (최대): 6.5mA 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SOT-323-3	재고 있음4,950
BFS 360L6 E6327 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS 2 NPN 9V 14GHZ TSLP-6-1 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 9V 주파수-전환: 14GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.5dB @ 1.8GHz ~ 3GHz 이득: 10dB ~ 14.5dB 전력-최대: 210mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대): 35mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-XFDFN 공급자 장치 패키지: TSLP-6-1	재고 있음5,760
BFS 380L6 E6327 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS 2 NPN 9V 14GHZ TSLP-6-1 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 9V 주파수-전환: 14GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 3GHz 이득: 8dB ~ 12dB 전력-최대: 380mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 40mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-XFDFN 공급자 장치 패키지: TSLP-6-1	재고 있음8,226
BFS 386L6 E6327 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS 2 NPN 6V 14GHZ TSLP-6-1 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 6V 주파수-전환: 14GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 1.8GHz ~ 3GHz 이득: 10dB ~ 14.5dB 전력-최대: 210mW, 380mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 3V / 60 @ 40mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대): 35mA, 80mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-XFDFN 공급자 장치 패키지: TSLP-6-1	재고 있음7,974
BFS 460L6 E6327 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS 2NPN 5.8V 22GHZ TSLP-6 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 5.8V 주파수-전환: 22GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz ~ 3GHz 이득: 10dB ~ 14.5dB 전력-최대: 200mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 90 @ 20mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-XFDFN 공급자 장치 패키지: TSLP-6-1	재고 있음7,596
BFS 466L6 E6327 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS 2 NPN 5V/9V 14GHZ TSLP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 5V, 9V 주파수-전환: 22GHz, 14GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz ~ 3GHz 이득: 12dB ~ 17dB 전력-최대: 200mW, 210mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 90 @ 20mA, 3V / 90 @ 15mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA, 35mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-XFDFN 공급자 장치 패키지: TSLP-6-1	재고 있음3,654
BFS 469L6 E6327 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS 2 NPN 5V/10V 9GHZ TSLP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 5V, 10V 주파수-전환: 22GHz, 9GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz ~ 3GHz 이득: 14.5dB 전력-최대: 200mW, 250mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 130 @ 20mA, 3V / 100 @ 5mA, 3V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA, 70mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-XFDFN 공급자 장치 패키지: TSLP-6-1	재고 있음4,536
BFS 481 E6327 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS 2 NPN 12V 8GHZ SOT363-6 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 8GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 이득: 20dB 전력-최대: 175mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6	재고 있음5,526
BFS481H6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS 2 NPN 12V 8GHZ SOT363-6 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 8GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 이득: 20dB 전력-최대: 175mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: P-SOT363-6	재고 있음47,904
BFS 483 E6327 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS 2 NPN 12V 8GHZ SOT363-6 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 8GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 이득: 19dB 전력-최대: 450mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 65mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6	재고 있음8,118
BFS483H6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS 2 NPN 12V 8GHZ SOT363-6 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V 주파수-전환: 8GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 이득: 19dB 전력-최대: 450mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 65mA 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6	재고 있음50,664
BFS505,115 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 9GHZ SOT323-3 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 9GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 2.1dB @ 900MHz 이득: - 전력-최대: 150mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 6V 전류-수집기 (Ic) (최대): 18mA 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SOT-323-3	재고 있음2,250
BFS520,115 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 9GHZ SOT323-3 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 9GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz 이득: - 전력-최대: 300mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 6V 전류-수집기 (Ic) (최대): 70mA 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SOT-323-3	재고 있음7,056
BFS520,135 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 9GHZ SOT323-3 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 9GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz 이득: - 전력-최대: 300mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 6V 전류-수집기 (Ic) (최대): 70mA 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SOT-323-3	재고 있음7,686
BFS540,115 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 15V 9GHZ SOT323-3 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 9GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 1.7dB @ 9MHz 이득: - 전력-최대: 500mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 40mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대): 120mA 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SOT-323-3	재고 있음2,466
BFT25,215 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 5V 2.3GHZ TO236AB 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 5V 주파수-전환: 2.3GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 5.5dB @ 500MHz 이득: - 전력-최대: 30mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 1mA, 1V 전류-수집기 (Ic) (최대): 6.5mA 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: TO-236AB (SOT23)	재고 있음28,578
BFT25A,215 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS NPN 5V 5GHZ TO236AB 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 5V 주파수-전환: 5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.8dB ~ 2dB @ 1GHz 이득: - 전력-최대: 32mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 500µA, 1V 전류-수집기 (Ic) (최대): 6.5mA 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: TO-236AB (SOT23)	재고 있음282,618
BFT92,215 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-RF RF TRANS PNP 15V 5GHZ TO236AB 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V 주파수-전환: 5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f): 2.5dB @ 500MHz 이득: - 전력-최대: 300mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 14mA, 10V 전류-수집기 (Ic) (최대): 25mA 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: TO-236AB (SOT23)	재고 있음7,416

BFS17PE6327HTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 1.4GHZ SOT23-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 1.4GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.5dB ~ 5dB @ 800MHz
이득: -
전력-최대: 280mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 2mA, 1V
전류-수집기 (Ic) (최대): 25mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음683,124

BFS 17P E6433

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 1.4GHZ SOT23-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 1.4GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.5dB ~ 5dB @ 800MHz
이득: -
전력-최대: 280mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 2mA, 1V
전류-수집기 (Ic) (최대): 25mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음8,748

BFS17PE6752HTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN SOT23-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,394

BFS 17P E8211

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN SOT23-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,402

BFS17SE6327HTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS 2NPN 15V 1.4GHZ SOT363

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 1.4GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 800MHz
이득: -
전력-최대: 280mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 2mA, 1V
전류-수집기 (Ic) (최대): 25mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6

재고 있음3,348

BFS17SH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS 2NPN 15V 1.4GHZ SOT363

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 1.4GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 800MHz
이득: -
전력-최대: 280mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 2mA, 1V
전류-수집기 (Ic) (최대): 25mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6

재고 있음5,994

BFS17TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 1.3GHZ SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 1.3GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 4.5dB @ 500MHz
이득: -
전력-최대: 330mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 25mA, 1V
전류-수집기 (Ic) (최대): 25mA
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음3,780

BFS17W,115

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 1.6GHZ SOT323-3

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 1.6GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 4.5dB @ 500MHz
이득: -
전력-최대: 300mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 2mA, 1V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SOT-323-3

재고 있음8,046

BFS17W,135

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 1.6GHZ SOT323-3

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 1.6GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 4.5dB @ 500MHz
이득: -
전력-최대: 300mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 2mA, 1V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SOT-323-3

재고 있음7,884

BFS17WE6327HTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 1.4GHZ SOT323-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 1.4GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.5dB ~ 5dB @ 800MHz
이득: -
전력-최대: 280mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 2mA, 1V
전류-수집기 (Ic) (최대): 25mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: PG-SOT323-3

재고 있음5,544

BFS17WH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 1.4GHZ SOT323-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 1.4GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 3.5dB ~ 5dB @ 800MHz
이득: -
전력-최대: 280mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 2mA, 1V
전류-수집기 (Ic) (최대): 25mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: PG-SOT323-3

재고 있음160,038

BFS17WH6393XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN SOT323-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
주파수-전환: -
노이즈 지수 (dB Typ @ f): -
이득: -
전력-최대: -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,510

BFS25A,115

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 5V 5GHZ SOT323-3

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 5V
주파수-전환: 5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.8dB ~ 2dB @ 1GHz
이득: -
전력-최대: 32mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 500µA, 1V
전류-수집기 (Ic) (최대): 6.5mA
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SOT-323-3

재고 있음4,950

BFS 360L6 E6327

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS 2 NPN 9V 14GHZ TSLP-6-1

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 9V
주파수-전환: 14GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.5dB @ 1.8GHz ~ 3GHz
이득: 10dB ~ 14.5dB
전력-최대: 210mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대): 35mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-XFDFN
공급자 장치 패키지: TSLP-6-1

재고 있음5,760

BFS 380L6 E6327

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS 2 NPN 9V 14GHZ TSLP-6-1

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 9V
주파수-전환: 14GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 3GHz
이득: 8dB ~ 12dB
전력-최대: 380mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 40mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대): 80mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-XFDFN
공급자 장치 패키지: TSLP-6-1

재고 있음8,226

BFS 386L6 E6327

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS 2 NPN 6V 14GHZ TSLP-6-1

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 6V
주파수-전환: 14GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 1.8GHz ~ 3GHz
이득: 10dB ~ 14.5dB
전력-최대: 210mW, 380mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 3V / 60 @ 40mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대): 35mA, 80mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-XFDFN
공급자 장치 패키지: TSLP-6-1

재고 있음7,974

BFS 460L6 E6327

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS 2NPN 5.8V 22GHZ TSLP-6

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 5.8V
주파수-전환: 22GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz ~ 3GHz
이득: 10dB ~ 14.5dB
전력-최대: 200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 90 @ 20mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-XFDFN
공급자 장치 패키지: TSLP-6-1

재고 있음7,596

BFS 466L6 E6327

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS 2 NPN 5V/9V 14GHZ TSLP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 5V, 9V
주파수-전환: 22GHz, 14GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz ~ 3GHz
이득: 12dB ~ 17dB
전력-최대: 200mW, 210mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 90 @ 20mA, 3V / 90 @ 15mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA, 35mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-XFDFN
공급자 장치 패키지: TSLP-6-1

재고 있음3,654

BFS 469L6 E6327

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS 2 NPN 5V/10V 9GHZ TSLP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 5V, 10V
주파수-전환: 22GHz, 9GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz ~ 3GHz
이득: 14.5dB
전력-최대: 200mW, 250mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 130 @ 20mA, 3V / 100 @ 5mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA, 70mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-XFDFN
공급자 장치 패키지: TSLP-6-1

재고 있음4,536

BFS 481 E6327

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS 2 NPN 12V 8GHZ SOT363-6

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 8GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
이득: 20dB
전력-최대: 175mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6

재고 있음5,526

BFS481H6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS 2 NPN 12V 8GHZ SOT363-6

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 8GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
이득: 20dB
전력-최대: 175mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: P-SOT363-6

재고 있음47,904

BFS 483 E6327

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS 2 NPN 12V 8GHZ SOT363-6

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 8GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
이득: 19dB
전력-최대: 450mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 65mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6

재고 있음8,118

BFS483H6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS 2 NPN 12V 8GHZ SOT363-6

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
주파수-전환: 8GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
이득: 19dB
전력-최대: 450mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 65mA
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: PG-SOT363-6

재고 있음50,664

BFS505,115

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 9GHZ SOT323-3

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 9GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 2.1dB @ 900MHz
이득: -
전력-최대: 150mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 6V
전류-수집기 (Ic) (최대): 18mA
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SOT-323-3

재고 있음2,250

BFS520,115

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 9GHZ SOT323-3

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 9GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz
이득: -
전력-최대: 300mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 6V
전류-수집기 (Ic) (최대): 70mA
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SOT-323-3

재고 있음7,056

BFS520,135

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 9GHZ SOT323-3

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 9GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz
이득: -
전력-최대: 300mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 6V
전류-수집기 (Ic) (최대): 70mA
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SOT-323-3

재고 있음7,686

BFS540,115

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 15V 9GHZ SOT323-3

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 9GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 1.7dB @ 9MHz
이득: -
전력-최대: 500mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 40mA, 8V
전류-수집기 (Ic) (최대): 120mA
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SOT-323-3

재고 있음2,466

BFT25,215

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 5V 2.3GHZ TO236AB

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 5V
주파수-전환: 2.3GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 5.5dB @ 500MHz
이득: -
전력-최대: 30mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 1mA, 1V
전류-수집기 (Ic) (최대): 6.5mA
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: TO-236AB (SOT23)

재고 있음28,578

BFT25A,215

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS NPN 5V 5GHZ TO236AB

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 5V
주파수-전환: 5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 1.8dB ~ 2dB @ 1GHz
이득: -
전력-최대: 32mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 500µA, 1V
전류-수집기 (Ic) (최대): 6.5mA
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: TO-236AB (SOT23)

재고 있음282,618

BFT92,215

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-RF

RF TRANS PNP 15V 5GHZ TO236AB

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
주파수-전환: 5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f): 2.5dB @ 500MHz
이득: -
전력-최대: 300mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 14mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대): 25mA
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: TO-236AB (SOT23)

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