트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
IPB070N06L G Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 80A TO-263 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 150µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 126nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4300pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 214W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263AB) 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음5,094
IPB072N15N3GATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 8V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 270µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 93nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5470pF @ 75V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 300W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음290,106
IPB072N15N3GE8187ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 8V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 270µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 93nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5470pF @ 75V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 300W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음5,832
IPB073N15N5ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MV POWER MOS 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™-5 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 114A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 8V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 57A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.6V @ 160µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 61nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4700pF @ 75V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 214W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음4,914
IPB075N04LGATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 50A TO263-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 20µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2800pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 56W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263AB) 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음3,348
IPB080N03LGATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 50A TO263-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1900pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 47W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263AB) 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음21,252
IPB080N06N G Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 80A TO-263 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 150µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 93nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3500pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 214W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음7,560
IPB081N06L3GATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 34µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4900pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 79W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263AB) 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음18,228
IPB083N10N3GATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 80A TO263-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 73A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 75µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 55nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3980pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 125W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263AB) 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음13,638
IPB083N15N5LFATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 150V 105A TO263-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 105A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.9V @ 134µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 210pF @ 75V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 179W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263AB) 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음4,752
IPB085N06L G Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 80A TO-263 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 125µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 104nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3500pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 188W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음3,384
IPB08CN10N G Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 95A TO263-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 95A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 95A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 130µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 100nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6660pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 167W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263AB) 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음7,938
IPB08CNE8N G Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 85V 95A TO263-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 85V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 95A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 95A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 130µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 99nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6690pF @ 40V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 167W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263AB) 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음4,788
IPB090N06N3GATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 34µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2900pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 71W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263AB) 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음6,786
IPB093N04LGATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 50A TO263-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 16µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 28nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2100pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 47W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263AB) 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음2,100
IPB096N03LGATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 35A TO-263-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1600pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 42W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263AB) 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음5,472
IPB097N08N3 G Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 80V 70A TO263-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 70A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 46A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 46µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2410pF @ 40V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 100W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263AB) 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음2,124
IPB09N03LA Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 20µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1642pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 63W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음4,896
IPB09N03LA G Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 20µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1642pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 63W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음3,402
IPB09N03LAT Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 20µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1642pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 63W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음5,724
IPB100N04S204ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 172nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5300pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 300W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음3,186
IPB100N04S204ATMA4 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 172nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5300pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 300W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음7,722
IPB100N04S2L03ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 230nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6000pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 300W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음5,688
IPB100N04S2L03ATMA2 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 230nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6000pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 300W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음6,102
IPB100N04S303ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 150µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 145nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9600pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 214W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음19,104
IPB100N04S4H2ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 70µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 90nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7180pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 115W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음18,516
IPB100N06S205ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 170nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5110pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 300W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음3,400
IPB100N06S205ATMA4 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 170nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5110pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 300W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음6,678
IPB100N06S2L05ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 230nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5660pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 300W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음2,430
IPB100N06S2L05ATMA2 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 230nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5660pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 300W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음3,654

IPB070N06L G

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 80A TO-263

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 150µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 126nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4300pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 214W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263AB)
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음5,094

IPB072N15N3GATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 150V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 8V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 270µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 93nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5470pF @ 75V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 300W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음290,106

IPB072N15N3GE8187ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 150V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 8V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 270µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 93nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5470pF @ 75V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 300W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음5,832

IPB073N15N5ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MV POWER MOS

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™-5
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 150V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 114A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 8V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 57A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.6V @ 160µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 61nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4700pF @ 75V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 214W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음4,914

IPB075N04LGATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 50A TO263-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 20µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2800pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 56W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263AB)
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음3,348

IPB080N03LGATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 50A TO263-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1900pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 47W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263AB)
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음21,252

IPB080N06N G

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 80A TO-263

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 150µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 93nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3500pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 214W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음7,560

IPB081N06L3GATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 34µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4900pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 79W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263AB)
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음18,228

IPB083N10N3GATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 80A TO263-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 73A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 75µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 55nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3980pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 125W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263AB)
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음13,638

IPB083N15N5LFATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 150V 105A TO263-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 150V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 105A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.9V @ 134µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 210pF @ 75V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 179W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263AB)
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음4,752

IPB085N06L G

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 80A TO-263

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 125µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 104nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3500pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 188W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음3,384

IPB08CN10N G

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 95A TO263-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 95A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 95A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 130µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 100nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6660pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 167W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263AB)
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음7,938

IPB08CNE8N G

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 85V 95A TO263-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 85V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 95A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 95A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 130µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 99nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6690pF @ 40V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 167W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263AB)
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음4,788

IPB090N06N3GATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 50A TO263-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 34µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2900pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 71W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263AB)
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음6,786

IPB093N04LGATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 50A TO263-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 16µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 28nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2100pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 47W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263AB)
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음2,100

IPB096N03LGATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 35A TO-263-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1600pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 42W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263AB)
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음5,472

IPB097N08N3 G

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 80V 70A TO263-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 70A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 46A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 46µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2410pF @ 40V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 100W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263AB)
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음2,124

IPB09N03LA

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 20µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1642pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 63W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음4,896

IPB09N03LA G

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 20µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1642pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 63W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음3,402

IPB09N03LAT

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 20µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1642pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 63W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음5,724

IPB100N04S204ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 172nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5300pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 300W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음3,186

IPB100N04S204ATMA4

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 172nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5300pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 300W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음7,722

IPB100N04S2L03ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 230nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6000pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 300W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음5,688

IPB100N04S2L03ATMA2

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 230nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6000pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 300W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음6,102

IPB100N04S303ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 150µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 145nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9600pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 214W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음19,104

IPB100N04S4H2ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 70µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 90nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7180pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 115W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음18,516

IPB100N06S205ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 170nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5110pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 300W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음3,400

IPB100N06S205ATMA4

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 170nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5110pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 300W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음6,678

IPB100N06S2L05ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 230nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5660pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 300W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음2,430

IPB100N06S2L05ATMA2

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 230nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5660pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 300W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음3,654

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