트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
IPD50P04P413ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 85µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 51nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3670pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 58W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TO252-3-313 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음101,358
IPD50P04P4L11ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 85µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 59nC @ 10V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3900pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 58W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TO252-3-313 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음97,848
IPD50R1K4CEAUMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 3.1A PG-TO-252 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ CE FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.1A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 13V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 900mA, 13V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 70µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.2nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 178pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 42W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TO252-3 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음4,518
IPD50R1K4CEBTMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 3.1A PG-TO-252 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ CE FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.1A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 13V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 900mA, 13V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 70µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 178pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 25W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TO252-3 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음7,128
IPD50R280CEATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO252 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ CE FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 13V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.2A, 13V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 350µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 32.6nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 773pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 119W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TO252-3 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음5,958
IPD50R280CEAUMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 550V 18.1A TO252 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 550V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18.1A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 13V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.2A, 13V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 350µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 32.6nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 773pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 119W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TO252 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음8,154
IPD50R280CEBTMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO252 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 13V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.2A, 13V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 350µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 32.6nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 773pF @ 100V FET 기능: Super Junction 전력 손실 (최대): 92W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TO252-3 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음7,236
IPD50R2K0CEAUMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 2.4A PG-TO252 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ CE FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.4A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 13V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 600mA, 13V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 50µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 124pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 33W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TO252-3 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음7,560
IPD50R2K0CEBTMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 CONSUMER 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음5,670
IPD50R380CEATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N CH 500V 9.9A PG-TO252 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ CE FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.9A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 13V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 13V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 260µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24.8nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 584pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 98W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TO252-3 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음2,160
IPD50R380CEAUMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET NCH 500V 14.1A TO252 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14.1A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 13V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 13V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 260µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24.8nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 584pF @ 100V FET 기능: Super Junction 전력 손실 (최대): 98W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TO252-3 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음2,070
IPD50R380CEBTMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N CH 500V 9.9A PG-TO252 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.9A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 13V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 13V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 260µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24.8nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 584pF @ 100V FET 기능: Super Junction 전력 손실 (최대): 73W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TO252-3 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음8,928
IPD50R399CP Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 550V 9A TO-252 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 550V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 399mOhm @ 4.9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 330µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 890pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 83W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TO252-3 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음3,598
IPD50R399CPATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 LOW POWER_LEGACY 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음8,784
IPD50R399CPBTMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 LOW POWER_LEGACY 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음8,712
IPD50R3K0CEAUMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 1.7A PG-TO-252 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ CE FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.7A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 13V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 400mA, 13V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 30µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.3nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 84pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 26W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TO252-3 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음5,454
IPD50R3K0CEBTMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 1.7A PG-TO-252 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ CE FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.7A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 13V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 400mA, 13V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 30µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.3nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 84pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 18W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TO252-3 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음7,380
IPD50R500CEATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 7.6A PG-TO252 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ CE FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.6A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 13V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 2.3A, 13V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 200µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18.7nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 433pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 57W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TO252-3 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음4,896
IPD50R500CEAUMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 550V 7.6A TO252 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 550V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.6A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 13V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 2.3A, 13V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 200µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18.7nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 433pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 57W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TO252 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음57,186
IPD50R500CEBTMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 7.6A PG-TO252 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.6A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 13V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 2.3A, 13V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 200µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18.7nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 433pF @ 100V FET 기능: Super Junction 전력 손실 (최대): 57W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TO252-3 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음5,940
IPD50R520CP Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 550V 7.1A TO-252 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 550V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.1A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 3.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 680pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 66W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TO252-3 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음3,544
IPD50R520CPATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 LOW POWER_LEGACY 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음7,938
IPD50R520CPBTMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 LOW POWER_LEGACY 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음7,722
IPD50R650CEATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ CE FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.1A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 13V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 1.8A, 13V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 150µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 342pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 69W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TO252-3 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음8,298
IPD50R650CEAUMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 CONSUMER 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음6,750
IPD50R650CEBTMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.1A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 13V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 1.8A, 13V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 150µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 342pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 47W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TO252-3 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음3,996
IPD50R800CEATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N CH 500V 5A TO252 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ CE FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 13V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.5A, 13V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 130µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12.4nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 280pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 60W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TO252-3 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음2,790
IPD50R800CEAUMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 CONSUMER 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음3,618
IPD50R800CEBTMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N CH 500V 5A TO252 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 13V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.5A, 13V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 130µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12.4nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 280pF @ 100V FET 기능: Super Junction 전력 손실 (최대): 40W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TO252-3 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음3,528
IPD50R950CEATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 4.3A PG-T0252 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ CE FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.3A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 13V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.5nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 231pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 53W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TO252-3 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음3,492

IPD50P04P413ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 85µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 51nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3670pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 58W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TO252-3-313
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음101,358

IPD50P04P4L11ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 85µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 59nC @ 10V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3900pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 58W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TO252-3-313
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음97,848

IPD50R1K4CEAUMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 3.1A PG-TO-252

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ CE
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.1A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 13V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 900mA, 13V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 70µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.2nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 178pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 42W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TO252-3
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음4,518

IPD50R1K4CEBTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 3.1A PG-TO-252

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ CE
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.1A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 13V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 900mA, 13V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 70µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 178pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 25W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TO252-3
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음7,128

IPD50R280CEATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO252

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ CE
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 13V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.2A, 13V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 350µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 32.6nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 773pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 119W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TO252-3
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음5,958

IPD50R280CEAUMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 550V 18.1A TO252

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 550V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18.1A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 13V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.2A, 13V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 350µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 32.6nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 773pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 119W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TO252
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음8,154

IPD50R280CEBTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO252

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 13V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.2A, 13V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 350µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 32.6nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 773pF @ 100V
FET 기능: Super Junction
전력 손실 (최대): 92W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TO252-3
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음7,236

IPD50R2K0CEAUMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 2.4A PG-TO252

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ CE
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.4A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 13V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 600mA, 13V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 50µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 124pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 33W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TO252-3
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음7,560

IPD50R2K0CEBTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

CONSUMER

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: *
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음5,670

IPD50R380CEATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N CH 500V 9.9A PG-TO252

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ CE
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.9A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 13V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 13V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 260µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24.8nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 584pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 98W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TO252-3
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음2,160

IPD50R380CEAUMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET NCH 500V 14.1A TO252

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14.1A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 13V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 13V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 260µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24.8nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 584pF @ 100V
FET 기능: Super Junction
전력 손실 (최대): 98W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TO252-3
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음2,070

IPD50R380CEBTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N CH 500V 9.9A PG-TO252

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.9A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 13V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 13V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 260µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24.8nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 584pF @ 100V
FET 기능: Super Junction
전력 손실 (최대): 73W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TO252-3
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음8,928

IPD50R399CP

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 550V 9A TO-252

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 550V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 399mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 330µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 890pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 83W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TO252-3
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음3,598

IPD50R399CPATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

LOW POWER_LEGACY

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: *
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음8,784

IPD50R399CPBTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

LOW POWER_LEGACY

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: *
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음8,712

IPD50R3K0CEAUMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 1.7A PG-TO-252

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ CE
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.7A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 13V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 400mA, 13V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 30µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.3nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 84pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 26W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TO252-3
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음5,454

IPD50R3K0CEBTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 1.7A PG-TO-252

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ CE
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.7A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 13V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 400mA, 13V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 30µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.3nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 84pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 18W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TO252-3
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음7,380

IPD50R500CEATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 7.6A PG-TO252

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ CE
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.6A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 13V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 2.3A, 13V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 200µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18.7nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 433pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 57W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TO252-3
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음4,896

IPD50R500CEAUMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 550V 7.6A TO252

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 550V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.6A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 13V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 2.3A, 13V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 200µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18.7nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 433pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 57W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TO252
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음57,186

IPD50R500CEBTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 7.6A PG-TO252

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.6A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 13V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 2.3A, 13V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 200µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18.7nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 433pF @ 100V
FET 기능: Super Junction
전력 손실 (최대): 57W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TO252-3
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음5,940

IPD50R520CP

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 550V 7.1A TO-252

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 550V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.1A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 680pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 66W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TO252-3
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음3,544

IPD50R520CPATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

LOW POWER_LEGACY

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: *
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음7,938

IPD50R520CPBTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

LOW POWER_LEGACY

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: *
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음7,722

IPD50R650CEATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ CE
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.1A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 13V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 1.8A, 13V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 150µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 342pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 69W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TO252-3
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음8,298

IPD50R650CEAUMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

CONSUMER

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: *
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음6,750

IPD50R650CEBTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.1A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 13V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 1.8A, 13V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 150µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 342pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 47W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TO252-3
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음3,996

IPD50R800CEATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N CH 500V 5A TO252

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ CE
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 13V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.5A, 13V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 130µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12.4nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 280pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 60W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TO252-3
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음2,790

IPD50R800CEAUMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

CONSUMER

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: *
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음3,618

IPD50R800CEBTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N CH 500V 5A TO252

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 13V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.5A, 13V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 130µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12.4nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 280pF @ 100V
FET 기능: Super Junction
전력 손실 (최대): 40W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TO252-3
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음3,528

IPD50R950CEATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 4.3A PG-T0252

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ CE
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.3A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 13V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.5nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 231pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 53W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TO252-3
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음3,492

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