트랜지스터

IPP12CNE8N G

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 85V 67A TO-220

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 85V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 67A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12.9mOhm @ 67A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 83µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 64nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4340pF @ 40V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 125W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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IPP139N08N3 G

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 80V 45A TO220-3

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 45A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 45A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 33µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1730pF @ 40V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 79W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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IPP13N03LB G

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 30A TO-220

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 30A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 20µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 5V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1355pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 52W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3-1
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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IPP147N03L G

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 20A TO-220-3

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14.7mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1000pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 31W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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IPP147N12N3GXKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 120V 56A TO220-3

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 120V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 56A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14.7mOhm @ 56A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 61µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 49nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3220pF @ 60V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 107W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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IPP14N03LA

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 30A TO-220AB

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 30A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 20µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.3nC @ 5V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1043pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 46W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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IPP16CN10LGXKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 54A TO220-3

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 54A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15.7mOhm @ 54A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 61µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 44nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4190pF @ 50V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 100W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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IPP16CN10NGHKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V TO-220

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 53A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 53A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 61µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 48nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3220pF @ 50V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 100W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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IPP16CN10NGXKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 53A TO-220

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 53A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 53A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 61µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 48nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3220pF @ 50V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 100W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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IPP16CNE8N G

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 85V 53A TO-220

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 85V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 53A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 53A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 61µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 48nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3230pF @ 40V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 100W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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IPP17N25S3100AKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 250V 17A TO-220

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 17A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 54µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1500pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 107W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3-1
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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IPP180N10N3GXKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 43A TO220-3

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 43A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 33µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1800pF @ 50V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 71W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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IPP200N15N3GHKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 150V 50A TO220-3

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 8V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 50A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 90µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 31nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1820pF @ 75V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 150W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

IPP200N15N3GXKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 150V 50A TO220-3

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 8V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 50A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 90µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 31nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1820pF @ 75V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 150W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

IPP200N25N3GXKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 250V 64A TO220-3

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 64A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 64A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 270µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 86nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7100pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 300W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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IPP21N03L G

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH TO-220

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
• Vgs (th) (최대) @ Id: -
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): -
• 작동 온도: -
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

IPP220N25NFDAKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 250V 61A TO220

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 61A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 61A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 270µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 86nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7076pF @ 125V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 300W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

IPP22N03S4L15AKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 22A TO220-3

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14.9mOhm @ 22A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 10µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 10V
• Vgs (최대): ±16V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 980pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 31W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3-1
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

IPP230N06L3 G

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 30A TO220-3

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 30A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 11µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1600pF @ 30V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 36W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

IPP25N06S325XK

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 25A TO-220

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25.1mOhm @ 15A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 20µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 41nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1862pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 48W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3-1
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

IPP25N06S3L-22

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 25A TO-220

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21.6mOhm @ 17A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 20µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 47nC @ 10V
• Vgs (최대): ±16V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2260pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 50W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3-1
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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IPP260N06N3GXKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 27A TO220-3

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 27A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 27A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 11µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1200pF @ 30V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 36W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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IPP26CN10NGHKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 35A TO-220

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 35A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 39µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 31nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2070pF @ 50V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 71W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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IPP26CNE8N G

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 85V 35A TO-220

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 85V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 35A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 39µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 31nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2070pF @ 40V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 71W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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IPP320N20N3GXKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 34A TO220-3

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 34A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 34A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 90µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2350pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 136W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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IPP35CN10N G

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 27A TO220-3

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 27A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 27A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 29µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1570pF @ 50V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 58W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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IPP35CN10NGXKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 27A TO220-3

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 27A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 27A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 29µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1570pF @ 50V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 58W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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IPP410N30NAKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH TO220-3

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 300V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 44A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 44A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 270µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 87nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7180pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 300W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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IPP45N06S3-16

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 45A TO-220

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 45A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15.7mOhm @ 23A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 30µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 57nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2980pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 65W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3-1
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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IPP45N06S3L-13

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 45A TO-220

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 45A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 26A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 30µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 75nC @ 10V
• Vgs (최대): ±16V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3600pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 65W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3-1
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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