트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
IPP65R074C6XKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V 57.7A TO220 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 57.7A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 13.9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 1.4mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3020pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 480.8W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음6,102
IPP65R095C7XKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V TO-220-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ C7 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 11.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 590µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2140pF @ 400V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 128W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음13,500
IPP65R099C6XKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V 38A TO220 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 38A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 12.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 1.2mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2780pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 278W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음5,148
IPP65R110CFDAAKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V TO-220-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 31.2A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 1.3mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 118nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3240pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 277.8W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음8,640
IPP65R110CFDXKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 700V 31.2A TO220 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 700V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 31.2A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 1.3mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 118nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3240pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 277.8W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음22,284
IPP65R110CFDXKSA2 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 HIGH POWER_LEGACY 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ CFD2 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 31.2A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 1.3mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 118nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3240pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 277.8W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음4,230
IPP65R125C7XKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V 18A TO220 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ C7 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8.9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 440µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1670pF @ 400V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 101W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음2,952
IPP65R150CFDAAKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V TO-220-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22.4A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 900µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 86nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2340pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 195.3W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음8,766
IPP65R150CFDXKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22.4A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 900µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 86nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2340pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 195.3W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음9,624
IPP65R150CFDXKSA2 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 HIGH POWER_LEGACY 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ CFD2 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22.4A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 900µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 86nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2340pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 195.3W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음2,700
IPP65R190C6XKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20.2A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 730µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 73nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1620pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 151W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음6,732
IPP65R190C7FKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V 13A TO220 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ C7 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 290µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1150pF @ 400V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 72W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음2,682
IPP65R190CFDAAKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V TO-220-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 700µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 68nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1850pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 151W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음4,338
IPP65R190CFDXKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 730µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 68nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1850pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 151W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음51,906
IPP65R190CFDXKSA2 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 HIGH POWER_LEGACY 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ CFD2 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 700µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 68nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1850pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 151W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음4,950
IPP65R190E6XKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20.2A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 730µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 73nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1620pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 151W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음7,428
IPP65R225C7XKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V 11A TO-220-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ C7 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 4.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 240µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 996pF @ 400V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 63W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음8,874
IPP65R280C6XKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13.8A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 440µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 950pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 104W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음4,752
IPP65R280E6XKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13.8A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 440µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 950pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 104W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음8,748
IPP65R310CFDAAKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V TO-220-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.4A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 4.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 440µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 41nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1110pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 104.2W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음2,898
IPP65R310CFDXKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.4A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 4.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 440µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 41nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1100pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 104.2W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음11,340
IPP65R310CFDXKSA2 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 LOW POWER_LEGACY 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ CFD2 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.4A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 4.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 400µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 41nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1100pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 104.2W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음6,642
IPP65R380C6XKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.6A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 320µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 39nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 710pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 83W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음6,318
IPP65R380E6XKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.6A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 320µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 39nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 710pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 83W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음7,686
IPP65R420CFDXKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V 8.7A TO220 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.7A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 3.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 340µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 32nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 870pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 83.3W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음4,716
IPP65R420CFDXKSA2 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 LOW POWER_LEGACY 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ CFD2 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.7A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 3.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 300µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 31.5nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 870pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 83.3W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음7,074
IPP65R600C6XKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.3A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 210µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 440pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 63W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음3,454
IPP65R600E6XKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.3A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 210µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 440pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 63W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음4,086
IPP65R660CFDAAKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V TO-220-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 660mOhm @ 3.2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 200µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 543pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 62.5W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음3,222
IPP65R660CFDXKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V 6A TO220 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 660mOhm @ 2.1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 200µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 615pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 62.5W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음5,040

IPP65R074C6XKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 57.7A TO220

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 57.7A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 13.9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 1.4mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3020pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 480.8W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음6,102

IPP65R095C7XKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V TO-220-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ C7
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 11.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 590µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2140pF @ 400V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 128W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음13,500

IPP65R099C6XKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 38A TO220

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 38A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 12.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2780pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 278W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음5,148

IPP65R110CFDAAKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V TO-220-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 31.2A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 1.3mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 118nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3240pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 277.8W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음8,640

IPP65R110CFDXKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 700V 31.2A TO220

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 700V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 31.2A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 1.3mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 118nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3240pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 277.8W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음22,284

IPP65R110CFDXKSA2

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

HIGH POWER_LEGACY

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ CFD2
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 31.2A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 1.3mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 118nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3240pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 277.8W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음4,230

IPP65R125C7XKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 18A TO220

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ C7
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8.9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 440µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1670pF @ 400V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 101W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음2,952

IPP65R150CFDAAKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V TO-220-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22.4A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 900µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 86nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2340pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 195.3W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음8,766

IPP65R150CFDXKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22.4A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 900µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 86nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2340pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 195.3W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음9,624

IPP65R150CFDXKSA2

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

HIGH POWER_LEGACY

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ CFD2
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22.4A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 9.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 900µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 86nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2340pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 195.3W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음2,700

IPP65R190C6XKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20.2A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 730µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 73nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1620pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 151W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음6,732

IPP65R190C7FKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 13A TO220

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ C7
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 290µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1150pF @ 400V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 72W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음2,682

IPP65R190CFDAAKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V TO-220-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 700µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 68nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1850pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 151W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음4,338

IPP65R190CFDXKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 730µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 68nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1850pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 151W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음51,906

IPP65R190CFDXKSA2

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

HIGH POWER_LEGACY

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ CFD2
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 700µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 68nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1850pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 151W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음4,950

IPP65R190E6XKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20.2A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 730µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 73nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1620pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 151W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음7,428

IPP65R225C7XKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 11A TO-220-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ C7
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 240µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 996pF @ 400V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 63W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음8,874

IPP65R280C6XKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13.8A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 440µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 950pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 104W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음4,752

IPP65R280E6XKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13.8A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 440µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 950pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 104W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음8,748

IPP65R310CFDAAKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V TO-220-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.4A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 440µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 41nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1110pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 104.2W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음2,898

IPP65R310CFDXKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.4A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 440µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 41nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1100pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 104.2W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음11,340

IPP65R310CFDXKSA2

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

LOW POWER_LEGACY

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ CFD2
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.4A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 400µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 41nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1100pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 104.2W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음6,642

IPP65R380C6XKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.6A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 320µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 39nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 710pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 83W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음6,318

IPP65R380E6XKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.6A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 320µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 39nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 710pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 83W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음7,686

IPP65R420CFDXKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 8.7A TO220

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.7A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 340µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 870pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 83.3W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음4,716

IPP65R420CFDXKSA2

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

LOW POWER_LEGACY

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ CFD2
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.7A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 300µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 31.5nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 870pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 83.3W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음7,074

IPP65R600C6XKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.3A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 210µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 440pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 63W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음3,454

IPP65R600E6XKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.3A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 210µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 440pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 63W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음4,086

IPP65R660CFDAAKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V TO-220-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 660mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 200µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 543pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 62.5W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음3,222

IPP65R660CFDXKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 6A TO220

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 660mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 200µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 615pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 62.5W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음5,040

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