트랜지스터

IPU103N08N3 G

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 80V 50A TO251-3

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10.3mOhm @ 46A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 46µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2410pF @ 40V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 100W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: PG-TO251-3
• 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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IPU105N03L G

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 35A IPAK

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 30A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1500pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 38W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: PG-TO251-3
• 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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IPU10N03LA

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 30A IPAK

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 30A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 20µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 5V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1358pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 52W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: P-TO251-3-1
• 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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IPU10N03LA G

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 30A IPAK

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 30A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 20µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 5V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1358pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 52W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: P-TO251-3-1
• 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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IPU135N03L G

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 30A TO-251-3

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 30A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1000pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 31W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: PG-TO251-3
• 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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IPU135N08N3 G

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 80V 50A TO251-3

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 50A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 33µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1730pF @ 40V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 79W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: PG-TO251-3
• 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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IPU13N03LA G

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 30A TO-251

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 30A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 20µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.3nC @ 5V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1043pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 46W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: P-TO251-3-1
• 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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IPU20N03L G

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 30A IPAK

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 15A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 25µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 5V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 700pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 60W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: P-TO251-3-1
• 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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IPU50R1K4CEAKMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 3.1A TO-251

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™ CE
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.1A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 13V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 900mA, 13V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 70µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.2nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 178pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 42W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: PG-TO251-3
• 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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IPU50R1K4CEBKMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 3.1A TO-251

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.1A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 13V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 900mA, 13V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 70µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.2nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 178pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 25W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: PG-TO251-3
• 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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IPU50R2K0CEAKMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 2.4A TO-251

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™ CE
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.4A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 13V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 600mA, 13V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 50µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 124pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 33W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: PG-TO251-3
• 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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IPU50R2K0CEBKMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 2.4A TO-251

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.4A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 13V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 600mA, 13V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 50µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 124pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 22W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: PG-TO251-3
• 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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IPU50R3K0CEAKMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 1.7A TO-251

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™ CE
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.7A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 13V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 400mA, 13V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 30µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.3nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 84pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 26W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: PG-TO251-3
• 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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IPU50R3K0CEBKMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 1.7A TO-251

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™ CE
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.7A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 13V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 400mA, 13V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 30µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.3nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 84pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 18W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: PG-TO251-3
• 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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IPU50R950CEAKMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 4.3A TO251

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™ CE
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.3A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 13V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 100µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.5nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 231pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 53W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: PG-TO251-3
• 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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IPU50R950CEAKMA2

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 4.3A TO251

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™ CE
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.3A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 13V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 100µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.5nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 231pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 53W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: PG-TO251-3
• 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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IPU50R950CEBKMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 4.3A TO251

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™ CE
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.3A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 13V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 100µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.5nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 231pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 34W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: PG-TO251-3
• 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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IPU60R1K0CEAKMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V TO-251-3

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™ CE
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.3A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 130µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 10V
• Vgs (최대): -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 280pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): -
• 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: PG-TO251-3
• 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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IPU60R1K0CEAKMA2

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 4.3A TO-251-3

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™ CE
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.3A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 130µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 280pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 61W (Tc)
• 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: PG-TO251-3
• 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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IPU60R1K0CEBKMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V TO-251-3

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™ CE
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.3A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 130µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 280pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 37W (Tc)
• 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-251
• 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V TO-251-3

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™ C6
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.2A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.1A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 90µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.4nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 200pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 28.4W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: PG-TO251-3
• 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET NCH 600V 3.2A TO251

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.2A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.1A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 90µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.4nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 200pF @ 100V
• FET 기능: Super Junction
• 전력 손실 (최대): 28.4W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 155°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: PG-TO251-3
• 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V TO-251-3

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™ CE
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.1A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 90µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.4nC @ 10V
• Vgs (최대): -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 200pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): -
• 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: PG-TO251-3
• 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 3.1A TO-251-3

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™ CE
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.1A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 90µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.4nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 200pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 49W (Tc)
• 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: PG-TO251-3
• 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V TO-251-3

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™ CE
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.1A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 90µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.4nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 200pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 28W (Tc)
• 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-251
• 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V TO-251

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.4A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 760mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 60µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.7nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 140pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 22.3W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: PG-TO251-3
• 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

IPU60R2K0C6BKMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 2.4A TO-251

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.4A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 760mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 60µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.7nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 140pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 22.3W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: PG-TO251-3
• 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

CONSUMER

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: *
• FET 유형: -
• 기술: -
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
• Vgs (th) (최대) @ Id: -
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): -
• 작동 온도: -
• 장착 유형: -
• 공급자 장치 패키지: -
• 패키지 / 케이스: -

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Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V TO-251-3

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™ CE
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.3A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 760mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 60µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.7nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 140pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 22W (Tc)
• 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: PG-TO251-3
• 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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IPU60R3K4CEAKMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

CONSUMER

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: *
• FET 유형: -
• 기술: -
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
• Vgs (th) (최대) @ Id: -
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): -
• 작동 온도: -
• 장착 유형: -
• 공급자 장치 패키지: -
• 패키지 / 케이스: -

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