트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
IRFS4710PBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 45A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 170nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6160pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.8W (Ta), 200W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음2,862
IRFS52N15DPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 150V 51A D2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 51A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 36A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 89nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2770pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.8W (Ta), 230W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음5,094
IRFS52N15DTRLP Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 150V 51A D2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 51A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 36A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 89nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2770pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.8W (Ta), 230W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음6,858
IRFS52N15DTRRP Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 150V 51A D2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 51A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 36A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 89nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2770pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.8W (Ta), 230W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음5,166
IRFS540A ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 17A TO-220F 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 8.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 78nC @ 10V Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1710pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 39W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220F 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음7,920
IRFS5615PBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 33A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 21A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1750pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 144W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음5,544
IRFS5615TRLPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 33A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 21A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1750pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 144W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음3,204
IRFS5620PBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 77.5mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 38nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1710pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 144W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음6,498
IRFS5620TRLPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 77.5mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 38nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1710pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 144W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음4,896
IRFS59N10DPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 59A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 35.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 114nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2450pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.8W (Ta), 200W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음3,436
IRFS59N10DTRLP Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 59A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 35.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 114nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2450pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.8W (Ta), 200W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음7,038
IRFS59N10DTRRP Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 59A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 35.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 114nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2450pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.8W (Ta), 200W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음5,292
IRFS614B_FP001 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 250V 2.8A TO-220F 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.8A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.5nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 275pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 22W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220F 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음4,446
IRFS634B_FP001 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 250V 8.1A TO-220F 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.1A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.05A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 38nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1000pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 38W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220F 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음7,596
IRFS644B_FP001 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 250V 14A TO-220F 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 60nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1600pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 43W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220F 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음3,436
IRFS644BYDTU_AS001 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 250V 14A TO-220F 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 60nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1600pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 43W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220F 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음4,194
IRFS654B_FP001 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 250V 21A TO-220F 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 10.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 123nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3400pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 50W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220F 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음2,034
IRFS7430-7PPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET®, StrongIRFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 240A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 460nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13975pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 375W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK (7-Lead) 패키지 / 케이스: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)	재고 있음5,004
IRFS7430PBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 409A D2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET®, StrongIRFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 195A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 460nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14240pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 375W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음8,136
IRFS7430TRL7PP Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET®, StrongIRFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 240A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 460nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13975pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 375W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK (7-Lead) 패키지 / 케이스: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)	재고 있음8,244
IRFS7430TRLPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 409A D2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET®, StrongIRFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 195A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 460nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14240pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 375W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음3,060
IRFS7434-7PPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET®, StrongIRFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 240A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 315nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10250pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 245W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK (7-Lead) 패키지 / 케이스: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)	재고 있음2,808
IRFS7434PBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET®, StrongIRFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 195A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 324nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10820pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 294W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음3,436
IRFS7434TRL7PP Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET®, StrongIRFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 240A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 315nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10250pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 245W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK-7 패키지 / 케이스: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)	재고 있음7,884
IRFS7434TRLPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET®, StrongIRFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 195A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 324nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10820pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 294W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음2,682
IRFS7437-7PPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N CH 40V 195A D2PAK-7PIN 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET®, StrongIRFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 195A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 150µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 225nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7437pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 231W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK (7-Lead) 패키지 / 케이스: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA	재고 있음4,266
IRFS7437PBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N CH 40V 195A D2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET®, StrongIRFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 195A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 150µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 225nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7330pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 230W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음3,580
IRFS7437TRL7PP Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N CH 40V 195A D2PAK-7PIN 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET®, StrongIRFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 195A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 150µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 225nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7437pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 231W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK (7-Lead) 패키지 / 케이스: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA	재고 있음4,716
IRFS7437TRLPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N CH 40V 195A D2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET®, StrongIRFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 195A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 150µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 225nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7330pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 230W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-263AB 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음5,832
IRFS7440PBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N CH 40V 120A D2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET®, StrongIRFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 135nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4730pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 208W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-263 (D²Pak) 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음5,706

IRFS4710PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 45A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 170nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6160pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음2,862

IRFS52N15DPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 150V 51A D2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 150V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 51A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 36A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 89nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2770pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.8W (Ta), 230W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음5,094

IRFS52N15DTRLP

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 150V 51A D2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 150V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 51A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 36A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 89nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2770pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.8W (Ta), 230W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음6,858

IRFS52N15DTRRP

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 150V 51A D2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 150V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 51A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 36A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 89nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2770pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.8W (Ta), 230W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음5,166

IRFS540A

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 17A TO-220F

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 78nC @ 10V
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1710pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 39W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220F
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음7,920

IRFS5615PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 150V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 33A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 21A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1750pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 144W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음5,544

IRFS5615TRLPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 150V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 33A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 21A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1750pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 144W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음3,204

IRFS5620PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 77.5mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1710pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 144W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음6,498

IRFS5620TRLPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 77.5mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1710pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 144W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음4,896

IRFS59N10DPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 59A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 35.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 114nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2450pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음3,436

IRFS59N10DTRLP

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 59A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 35.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 114nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2450pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음7,038

IRFS59N10DTRRP

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 59A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 35.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 114nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2450pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음5,292

IRFS614B_FP001

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 250V 2.8A TO-220F

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 250V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.8A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.5nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 275pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 22W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220F
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음4,446

IRFS634B_FP001

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 250V 8.1A TO-220F

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 250V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.1A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.05A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1000pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 38W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220F
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음7,596

IRFS644B_FP001

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 250V 14A TO-220F

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 250V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 60nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1600pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 43W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220F
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음3,436

IRFS644BYDTU_AS001

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 250V 14A TO-220F

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 250V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 60nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1600pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 43W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220F
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음4,194

IRFS654B_FP001

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 250V 21A TO-220F

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 250V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 123nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3400pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 50W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220F
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음2,034

IRFS7430-7PPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®, StrongIRFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 240A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 460nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13975pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 375W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK (7-Lead)
패키지 / 케이스: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

재고 있음5,004

IRFS7430PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 409A D2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®, StrongIRFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 195A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 460nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14240pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 375W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음8,136

IRFS7430TRL7PP

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®, StrongIRFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 240A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 460nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13975pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 375W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK (7-Lead)
패키지 / 케이스: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

재고 있음8,244

IRFS7430TRLPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 409A D2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®, StrongIRFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 195A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 460nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14240pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 375W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음3,060

IRFS7434-7PPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®, StrongIRFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 240A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 315nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10250pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 245W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK (7-Lead)
패키지 / 케이스: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

재고 있음2,808

IRFS7434PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®, StrongIRFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 195A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 324nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10820pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 294W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음3,436

IRFS7434TRL7PP

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®, StrongIRFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 240A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 315nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10250pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 245W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK-7
패키지 / 케이스: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

재고 있음7,884

IRFS7434TRLPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®, StrongIRFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 195A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 324nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10820pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 294W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음2,682

IRFS7437-7PPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N CH 40V 195A D2PAK-7PIN

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®, StrongIRFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 195A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 150µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 225nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7437pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 231W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK (7-Lead)
패키지 / 케이스: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

재고 있음4,266

IRFS7437PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N CH 40V 195A D2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®, StrongIRFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 195A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 150µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 225nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7330pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 230W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음3,580

IRFS7437TRL7PP

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N CH 40V 195A D2PAK-7PIN

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®, StrongIRFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 195A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 150µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 225nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7437pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 231W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK (7-Lead)
패키지 / 케이스: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

재고 있음4,716

IRFS7437TRLPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N CH 40V 195A D2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®, StrongIRFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 195A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 150µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 225nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7330pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 230W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-263AB
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음5,832

IRFS7440PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N CH 40V 120A D2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®, StrongIRFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 135nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4730pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 208W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-263 (D²Pak)
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음5,706

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