트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
IRLI640G Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 200V 9.9A TO220FP 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.9A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.9A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 66nC @ 10V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1800pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 40W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	재고 있음4,878
IRLI640GPBF Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 200V 9.9A TO220FP 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.9A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.9A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 66nC @ 10V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1800pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 40W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	재고 있음22,338
IRLIB4343 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 55V 19A TO220FP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 19A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 42nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 740pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 39W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB Full-Pak 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음6,066
IRLIB9343 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 55V 14A TO220FP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 47nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 660pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 33W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB Full-Pak 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음5,490
IRLIB9343PBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 55V 14A TO220FP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 47nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 660pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 33W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB Full-Pak 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음19,740
IRLIZ14G Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 8A TO220FP 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.8A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.4nC @ 5V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 400pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 27W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	재고 있음2,754
IRLIZ14GPBF Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 8A TO220FP 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.8A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.4nC @ 5V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 400pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 27W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	재고 있음14,736
IRLIZ24G Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 14A TO220FP 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 5V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 870pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 37W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	재고 있음6,822
IRLIZ24GPBF Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CHANNEL 60V 14A TO220 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 5V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 870pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 37W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220 Full Pack 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음5,094
IRLIZ24NPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 55V 14A TO220FP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 8.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 5V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 480pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 26W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB Full-Pak 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음5,994
IRLIZ34G Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 20A TO220FP 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 12A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 5V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1600pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 42W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	재고 있음4,212
IRLIZ34GPBF Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 20A TO220FP 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 12A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 5V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1600pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 42W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	재고 있음23,142
IRLIZ34N Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 55V 22A TO220FP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 5V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 880pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 37W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB Full-Pak 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음8,766
IRLIZ34NPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 55V 22A TO220FP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 5V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 880pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 37W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB Full-Pak 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음14,628
IRLIZ44G Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 30A TO220FP 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 18A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 66nC @ 5V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3300pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 48W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	재고 있음2,574
IRLIZ44GPBF Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 30A TO220FP 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 18A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 66nC @ 5V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3300pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 48W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	재고 있음7,800
IRLIZ44NPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 55V 30A TO220FP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 48nC @ 5V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1700pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 45W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB Full-Pak 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음15,276
IRLL014 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.7A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.4nC @ 5V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 400pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta), 3.1W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음4,536
IRLL014NPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 55V 2A SOT223 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 10V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 230pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음8,532
IRLL014NTR Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 55V 2A SOT223 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 10V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 230pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음2,592
IRLL014NTRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 55V 2A SOT223 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 10V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 230pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음261,168
IRLL014PBF Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.7A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.4nC @ 5V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 400pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta), 3.1W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음5,940
IRLL014TR Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.7A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.4nC @ 5V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 400pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta), 3.1W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음6,048
IRLL014TRPBF Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.7A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.4nC @ 5V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 400pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta), 3.1W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음21,090
IRLL024NPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.1A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15.6nC @ 5V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 510pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음7,938
IRLL024NTRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.1A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15.6nC @ 5V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 510pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음389,592
IRLL024Z Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 55V 5A SOT223 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 5V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 380pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음4,914
IRLL024ZPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 55V 5A SOT-223 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 5V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 380pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음7,884
IRLL024ZTRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 55V 5A SOT223 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 5V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 380pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음199,800
IRLL110 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.1nC @ 5V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 250pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta), 3.1W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음7,704

IRLI640G

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 9.9A TO220FP

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.9A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.9A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 66nC @ 10V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1800pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 40W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

재고 있음4,878

IRLI640GPBF

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 9.9A TO220FP

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.9A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.9A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 66nC @ 10V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1800pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 40W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

재고 있음22,338

IRLIB4343

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 19A TO220FP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 19A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 740pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 39W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB Full-Pak
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음6,066

IRLIB9343

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 55V 14A TO220FP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 47nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 660pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 33W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB Full-Pak
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음5,490

IRLIB9343PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 55V 14A TO220FP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 47nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 660pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 33W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB Full-Pak
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음19,740

IRLIZ14G

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 8A TO220FP

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.8A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.4nC @ 5V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 400pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 27W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

재고 있음2,754

IRLIZ14GPBF

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 8A TO220FP

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.8A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.4nC @ 5V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 400pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 27W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

재고 있음14,736

IRLIZ24G

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 14A TO220FP

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 5V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 870pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 37W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

재고 있음6,822

IRLIZ24GPBF

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHANNEL 60V 14A TO220

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 5V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 870pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 37W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220 Full Pack
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음5,094

IRLIZ24NPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 14A TO220FP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 8.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 5V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 480pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 26W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB Full-Pak
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음5,994

IRLIZ34G

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 20A TO220FP

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 12A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 5V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1600pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 42W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

재고 있음4,212

IRLIZ34GPBF

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 20A TO220FP

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 12A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 5V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1600pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 42W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

재고 있음23,142

IRLIZ34N

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 22A TO220FP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 5V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 880pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 37W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB Full-Pak
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음8,766

IRLIZ34NPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 22A TO220FP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 5V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 880pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 37W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB Full-Pak
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음14,628

IRLIZ44G

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 30A TO220FP

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 18A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 66nC @ 5V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3300pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 48W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

재고 있음2,574

IRLIZ44GPBF

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 30A TO220FP

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 18A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 66nC @ 5V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3300pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 48W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

재고 있음7,800

IRLIZ44NPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 30A TO220FP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 48nC @ 5V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1700pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 45W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB Full-Pak
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음15,276

IRLL014

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.7A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.4nC @ 5V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 400pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음4,536

IRLL014NPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 2A SOT223

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 10V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 230pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음8,532

IRLL014NTR

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 2A SOT223

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 10V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 230pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음2,592

IRLL014NTRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 2A SOT223

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 10V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 230pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음261,168

IRLL014PBF

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.7A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.4nC @ 5V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 400pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음5,940

IRLL014TR

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.7A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.4nC @ 5V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 400pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음6,048

IRLL014TRPBF

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.7A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.4nC @ 5V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 400pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음21,090

IRLL024NPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.1A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15.6nC @ 5V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 510pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음7,938

IRLL024NTRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.1A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15.6nC @ 5V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 510pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음389,592

IRLL024Z

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 5A SOT223

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 5V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 380pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음4,914

IRLL024ZPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 5A SOT-223

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 5V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 380pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음7,884

IRLL024ZTRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 5A SOT223

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 5V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 380pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음199,800

IRLL110

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.1nC @ 5V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 250pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음7,704

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