트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
IRLR8721PBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 65A DPAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 65A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 25µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1030pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 65W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D-Pak 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음8,856
IRLR8721TRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 65A DPAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 65A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 25µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1030pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 65W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D-Pak 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음6,822
IRLR8721TRPBF-1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 65A DPAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음8,424
IRLR8726PBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 86A DPAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 86A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 50µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2150pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 75W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D-Pak 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음8,784
IRLR8726TRLPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 86A DPAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 86A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 50µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2150pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 75W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D-Pak 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음7,326
IRLR8726TRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 86A DPAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 86A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 50µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2150pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 75W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D-Pak 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음286,362
IRLR8729PBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 58A D-PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 58A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 25µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1350pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 55W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D-Pak 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음8,262
IRLR8729TRLPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 58A D-PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 58A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 25µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1350pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 55W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D-Pak 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음8,964
IRLR8729TRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 58A DPAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 58A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 25µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1350pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 55W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D-Pak 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음22,620
IRLR8743PBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 160A DPAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 160A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 59nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4880pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 135W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D-Pak 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음4,806
IRLR8743TRLPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 160A DPAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 160A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 59nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4880pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 135W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D-Pak 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음8,514
IRLR8743TRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 160A DPAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 160A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 59nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4880pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 135W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D-Pak 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음107,388
IRLR9343-701PBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 55V 20A DPAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 47nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 660pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 79W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: I-PAK (LF701) 패키지 / 케이스: TO-252-4, DPak (3 Leads + Tab)	재고 있음8,586
IRLR9343PBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 55V 20A DPAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 47nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 660pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 79W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D-Pak 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음6,714
IRLR9343TRLPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 55V 20A DPAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 47nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 660pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 79W (Tc) 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D-Pak 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음6,372
IRLR9343TRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 55V 20A DPAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 47nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 660pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 79W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D-PAK (TO-252AA) 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음105,114
IRLS3034-7PPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 240A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 200A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 180nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10990pF @ 40V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 380W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK (7-Lead) 패키지 / 케이스: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB	재고 있음6,264
IRLS3034PBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 195A D2-PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 195A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 195A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 162nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10315pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 375W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음8,820
IRLS3034TRL7PP Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK7 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 240A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 200A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 180nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10990pF @ 40V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 380W (Tc) 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK (7-Lead) 패키지 / 케이스: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB	재고 있음30,072
IRLS3034TRLPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 195A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 195A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 162nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10315pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 375W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음19,920
IRLS3036-7PPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 240A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 180A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 160nC @ 4.5V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 11270pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 380W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK (7-Lead) 패키지 / 케이스: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB	재고 있음4,590
IRLS3036PBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 195A D2-PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 195A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 165A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 140nC @ 4.5V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 11210pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 380W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음3,436
IRLS3036TRL7PP Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK-7 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 240A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 180A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 160nC @ 4.5V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 11270pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 380W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK (7-Lead) 패키지 / 케이스: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB	재고 있음5,094
IRLS3036TRLPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 195A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 165A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 140nC @ 4.5V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 11210pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 380W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음23,136
IRLS3036TRRPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 270A D2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 195A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 165A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 140nC @ 4.5V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 11210pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 380W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음5,040
IRLS3813PBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 160A D2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 160A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 148A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 150µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 83nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8020pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 195W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음6,210
IRLS3813TRLPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 160A D2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 160A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 148A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 150µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 83nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8020pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 195W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263AB) 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음5,076
IRLS4030-7PPBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 190A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 110A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 140nC @ 4.5V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 11490pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 370W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK (7-Lead) 패키지 / 케이스: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB	재고 있음3,960
IRLS4030PBF Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 180A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 110A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 130nC @ 4.5V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 11360pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 370W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음8,460
IRLS4030TRL7PP Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 190A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 110A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 140nC @ 4.5V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 11490pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 370W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK (7-Lead) 패키지 / 케이스: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB	재고 있음6,714

IRLR8721PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 65A DPAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 65A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 25µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1030pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 65W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D-Pak
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음8,856

IRLR8721TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 65A DPAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 65A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 25µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1030pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 65W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D-Pak
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음6,822

IRLR8721TRPBF-1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 65A DPAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: *
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음8,424

IRLR8726PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 86A DPAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 86A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 50µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2150pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 75W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D-Pak
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음8,784

IRLR8726TRLPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 86A DPAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 86A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 50µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2150pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 75W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D-Pak
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음7,326

IRLR8726TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 86A DPAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 86A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 50µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2150pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 75W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D-Pak
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음286,362

IRLR8729PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 58A D-PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 58A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 25µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1350pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 55W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D-Pak
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음8,262

IRLR8729TRLPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 58A D-PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 58A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 25µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1350pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 55W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D-Pak
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음8,964

IRLR8729TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 58A DPAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 58A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 25µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1350pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 55W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D-Pak
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음22,620

IRLR8743PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 160A DPAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 160A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 59nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4880pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 135W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D-Pak
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음4,806

IRLR8743TRLPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 160A DPAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 160A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 59nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4880pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 135W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D-Pak
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음8,514

IRLR8743TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 160A DPAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 160A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 59nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4880pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 135W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D-Pak
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음107,388

IRLR9343-701PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 55V 20A DPAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 47nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 660pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 79W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: I-PAK (LF701)
패키지 / 케이스: TO-252-4, DPak (3 Leads + Tab)

재고 있음8,586

IRLR9343PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 55V 20A DPAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 47nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 660pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 79W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D-Pak
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음6,714

IRLR9343TRLPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 55V 20A DPAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 47nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 660pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 79W (Tc)
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D-Pak
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음6,372

IRLR9343TRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 55V 20A DPAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 47nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 660pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 79W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D-PAK (TO-252AA)
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음105,114

IRLS3034-7PPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 240A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 200A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 180nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10990pF @ 40V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 380W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK (7-Lead)
패키지 / 케이스: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

재고 있음6,264

IRLS3034PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 195A D2-PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 195A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 195A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 162nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10315pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 375W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음8,820

IRLS3034TRL7PP

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK7

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 240A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 200A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 180nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10990pF @ 40V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 380W (Tc)
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK (7-Lead)
패키지 / 케이스: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

재고 있음30,072

IRLS3034TRLPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 195A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 195A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 162nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10315pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 375W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음19,920

IRLS3036-7PPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 240A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 180A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 160nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 11270pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 380W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK (7-Lead)
패키지 / 케이스: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

재고 있음4,590

IRLS3036PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 195A D2-PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 195A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 165A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 140nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 11210pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 380W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음3,436

IRLS3036TRL7PP

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK-7

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 240A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 180A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 160nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 11270pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 380W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK (7-Lead)
패키지 / 케이스: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

재고 있음5,094

IRLS3036TRLPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 195A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 165A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 140nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 11210pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 380W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음23,136

IRLS3036TRRPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 270A D2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 195A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 165A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 140nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 11210pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 380W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음5,040

IRLS3813PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 160A D2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 160A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 148A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 150µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 83nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8020pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 195W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음6,210

IRLS3813TRLPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 160A D2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 160A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 148A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.35V @ 150µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 83nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8020pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 195W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263AB)
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음5,076

IRLS4030-7PPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 190A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 110A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 140nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 11490pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 370W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK (7-Lead)
패키지 / 케이스: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

재고 있음3,960

IRLS4030PBF

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 180A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 110A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 130nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 11360pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 370W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음8,460

IRLS4030TRL7PP

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 190A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 110A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 140nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 11490pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 370W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK (7-Lead)
패키지 / 케이스: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

재고 있음6,714

Send Message

Certifications

자원

지원

Social Media

Need Help?
Send Message