트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
ISP26DP06NMSATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 60V SOT223-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT223 패키지 / 케이스: TO-261-3	재고 있음4,878
ISP650P06NMXTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 60V SOT223-4 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.7A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1.037mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 39nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1600pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.8W (Ta), 4.2W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음4,140
ISP75DP06LMXTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 60V SOT223-4 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.1A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 77µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 120pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.8W (Ta), 4.2W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음3,996
ISS17EP06LMXTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 60V SOT23-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 300mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 300mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 34µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.79nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 55pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 360W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT23-3-5 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음3,420
ISS55EP06LMXTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 60V SOT23-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 180mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 180mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 11µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 590pC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 18pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 400mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT23-3-5 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음6,678
ITD50N04S4L04ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH TO252-5 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음4,698
IXCP01N90E IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 900V 0.25A TO-220 제조업체: IXYS 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 250mA (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80Ohm @ 50mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 25µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.5nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 133pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 40W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음6,120
IXCY01N90E IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 900V 0.25A TO-252 제조업체: IXYS 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 250mA (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80Ohm @ 50mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 25µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.5nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 133pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 40W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-252 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음5,292
IXFA102N15T IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 150V 102A D2PAK 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 102A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 87nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5220pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 455W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-263 (IXFA) 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음5,112
IXFA10N60P IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™, PolarP2™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 740mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 32nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1610pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 200W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-263 (IXFA) 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음6,576
IXFA10N60P-TRL IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK 제조업체: IXYS 시리즈: * FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음2,700
IXFA10N80P IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 800V 10A TO-263 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™, PolarHT™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2050pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 300W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-263 (IXFA) 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음6,072
IXFA110N15T2-TRL IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 150V 110A D2PAK 제조업체: IXYS 시리즈: TrenchT2™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 110A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 150nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8600pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 480W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-263 (IXFA) 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음3,006
IXFA12N50P IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 12A D2-PAK 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™, PolarP2™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1830pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 200W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-263 (IXFA) 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음6,714
IXFA12N65X2 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18.5nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1134pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 180W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-263AA 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음4,536
IXFA130N10T IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK 제조업체: IXYS 시리즈: TrenchMV™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 130A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 104nC @ 10V Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5080pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 360W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-263 (IXFA) 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음5,256
IXFA130N10T2 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 130A TO-263AA 제조업체: IXYS 시리즈: GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 130A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 65A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 130nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6600pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 360W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-263 (IXFA) 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음3,168
IXFA130N15X3 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 130A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 65A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 1.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 80nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5230pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 390W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-263AA 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음8,046
IXFA14N60P IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 14A D2-PAK 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™, PolarHT™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2500pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 300W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-263 (IXFA) 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음4,626
IXFA14N60P3 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 14A TO-263AA 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™, Polar3™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1480pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 327W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-263 (IXFA) 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음7,416
IXFA14N85XHV IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 850V 14A TO263 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 850V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1043pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 460W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-263 (IXFA) 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음7,920
IXFA16N50P IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 16A D2-PAK 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™, PolarHT™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 43nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2250pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 300W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-263 (IXFA) 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음4,374
IXFA16N50P3 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 16A TO-263AA 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™, Polar3™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1515pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 330W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-263 (IXFA) 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음6,246
IXFA16N60P3 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 16A TO-263AA 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™, Polar3™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1830pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 347W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-263 (IXFA) 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음8,406
IXFA180N10T2 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 180A TO-263AA 제조업체: IXYS 시리즈: GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 180A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 185nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10500pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 480W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-263 (IXFA) 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음3,564
IXFA18N60X IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 18A TO-263AA 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 1.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1440pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 320W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-263AA 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음6,084
IXFA20N50P3 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 20A TO-263AA 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™, Polar3™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1800pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 380W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-263 (IXFA) 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음6,624
IXFA20N85XHV IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 850V/20A ULTRA JUNCTION X-CLASS 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 850V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 63nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1660pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 540W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-263 (D2Pak-HV) 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음8,532
IXFA220N06T3 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 60V/220A TRENCHT3 HIPERFET MOSFE 제조업체: IXYS 시리즈: HiperFET™, TrenchT3™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 220A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 136nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8500pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 440W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-263 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음4,986
IXFA22N60P3 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™, Polar3™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 38nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2600pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-263AA 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음3,258

ISP26DP06NMSATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 60V SOT223-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT223
패키지 / 케이스: TO-261-3

재고 있음4,878

ISP650P06NMXTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 60V SOT223-4

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.7A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1.037mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 39nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1600pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.8W (Ta), 4.2W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음4,140

ISP75DP06LMXTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 60V SOT223-4

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.1A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 77µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 120pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.8W (Ta), 4.2W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음3,996

ISS17EP06LMXTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 60V SOT23-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 300mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 300mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 34µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.79nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 55pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 360W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT23-3-5
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음3,420

ISS55EP06LMXTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 60V SOT23-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 180mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 180mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 11µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 590pC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 18pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 400mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT23-3-5
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음6,678

ITD50N04S4L04ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH TO252-5

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음4,698

IXCP01N90E

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 900V 0.25A TO-220

제조업체: IXYS
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 900V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 250mA (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80Ohm @ 50mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 25µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.5nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 133pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 40W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음6,120

IXCY01N90E

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 900V 0.25A TO-252

제조업체: IXYS
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 900V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 250mA (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80Ohm @ 50mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 25µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.5nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 133pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 40W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-252
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음5,292

IXFA102N15T

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 150V 102A D2PAK

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 150V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 102A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 87nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5220pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 455W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-263 (IXFA)
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음5,112

IXFA10N60P

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™, PolarP2™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 740mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1610pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 200W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-263 (IXFA)
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음6,576

IXFA10N60P-TRL

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK

제조업체: IXYS
시리즈: *
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음2,700

IXFA10N80P

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 10A TO-263

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™, PolarHT™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2050pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 300W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-263 (IXFA)
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음6,072

IXFA110N15T2-TRL

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 150V 110A D2PAK

제조업체: IXYS
시리즈: TrenchT2™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 150V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 110A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 150nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8600pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 480W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-263 (IXFA)
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음3,006

IXFA12N50P

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 12A D2-PAK

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™, PolarP2™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1830pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 200W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-263 (IXFA)
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음6,714

IXFA12N65X2

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18.5nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1134pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 180W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-263AA
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음4,536

IXFA130N10T

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK

제조업체: IXYS
시리즈: TrenchMV™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 130A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 104nC @ 10V
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5080pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 360W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-263 (IXFA)
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음5,256

IXFA130N10T2

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 130A TO-263AA

제조업체: IXYS
시리즈: GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 130A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 65A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 130nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6600pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 360W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-263 (IXFA)
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음3,168

IXFA130N15X3

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 150V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 130A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 65A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 80nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5230pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 390W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-263AA
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음8,046

IXFA14N60P

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 14A D2-PAK

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™, PolarHT™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2500pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 300W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-263 (IXFA)
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음4,626

IXFA14N60P3

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 14A TO-263AA

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™, Polar3™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1480pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 327W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-263 (IXFA)
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음7,416

IXFA14N85XHV

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 850V 14A TO263

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 850V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1043pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 460W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-263 (IXFA)
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음7,920

IXFA16N50P

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 16A D2-PAK

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™, PolarHT™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 43nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2250pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 300W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-263 (IXFA)
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음4,374

IXFA16N50P3

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 16A TO-263AA

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™, Polar3™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1515pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 330W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-263 (IXFA)
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음6,246

IXFA16N60P3

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 16A TO-263AA

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™, Polar3™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1830pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 347W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-263 (IXFA)
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음8,406

IXFA180N10T2

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 180A TO-263AA

제조업체: IXYS
시리즈: GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 180A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 185nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10500pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 480W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-263 (IXFA)
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음3,564

IXFA18N60X

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 18A TO-263AA

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1440pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 320W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-263AA
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음6,084

IXFA20N50P3

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 20A TO-263AA

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™, Polar3™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1800pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 380W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-263 (IXFA)
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음6,624

IXFA20N85XHV

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

850V/20A ULTRA JUNCTION X-CLASS

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 850V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 63nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1660pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 540W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-263 (D2Pak-HV)
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음8,532

IXFA220N06T3

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

60V/220A TRENCHT3 HIPERFET MOSFE

제조업체: IXYS
시리즈: HiperFET™, TrenchT3™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 220A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 136nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8500pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 440W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-263
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음4,986

IXFA22N60P3

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™, Polar3™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2600pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-263AA
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음3,258

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