트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
IXFP8N50PM IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 4.4A TO-220 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™, PolarHT™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.4A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1050pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 42W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음6,066
IXFP8N65X2 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 790pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 150W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음4,320
IXFP8N85X IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 850V 8A TO220AB 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 850V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 654pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 200W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB (IXFP) 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음3,672
IXFP8N85XM IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 850V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 654pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 33W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220 Isolated Tab 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	재고 있음7,524
IXFP90N20X3 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 200V/90A ULTRA JUNCTION X3-CLASS 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 45A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 1.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 78nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5420pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 390W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음6,948
IXFP90N20X3M IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 200V/90A ULTRA JUNCTION X3-CLASS 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 45A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 1.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 78nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5420pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 36W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220 Isolated Tab 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	재고 있음6,204
IXFQ10N80P IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 800V 10A TO-3P 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™, PolarHT™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2050pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 300W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-3P 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3	재고 있음2,358
IXFQ120N25X3 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CHANNEL 250V 120A TO3P 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 4mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 122nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7870pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 520W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-3P 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3	재고 있음6,900
IXFQ12N80P IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 800V 12A TO-3P 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™, PolarHT™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 51nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2800pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 360W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-3P 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3	재고 있음8,136
IXFQ140N20X3 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 200V/140A ULTRA JUNCTION X3-CLAS 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 140A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 70A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 4mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 127nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7660pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 520W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-3P 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3	재고 있음6,132
IXFQ14N80P IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 800V 14A TO-3P 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™, PolarHT™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 720mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 4mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 61nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3900pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 400W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-3P 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3	재고 있음4,644
IXFQ20N50P3 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 20A TO-3P 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™, Polar3™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1800pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 380W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-3P 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3	재고 있음7,146
IXFQ21N50Q IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 21A TO-3P 제조업체: IXYS 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-3P 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3	재고 있음7,542
IXFQ22N60P3 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 22A TO3P 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™, Polar3™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 38nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2600pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-3P 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3	재고 있음7,020
IXFQ23N60Q IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 23A TO-268(D3) 제조업체: IXYS 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 23A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-268 패키지 / 케이스: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	재고 있음5,580
IXFQ24N50P2 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 500V POLAR2 HIPERFETS 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™, PolarP2™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 48nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2890pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 480W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-3P 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3	재고 있음3,472
IXFQ24N50Q IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 24A TO-3P 제조업체: IXYS 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-3P 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3	재고 있음3,690
IXFQ24N60X IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 24A TO-3P 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 47nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1910pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 400W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-3P 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3	재고 있음6,768
IXFQ26N50 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 26A TO-30 제조업체: IXYS 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 26A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-3P 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3	재고 있음3,150
IXFQ26N50P3 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 26A TO-3P 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™, Polar3™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 26A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 4mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 42nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2220pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-3P 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3	재고 있음7,416
IXFQ26N50Q IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 26A TO-3P 제조업체: IXYS 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 26A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-3P 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3	재고 있음7,416
IXFQ28N60P3 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 28A TO3P 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™, Polar3™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 28A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 50nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3560pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 695W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-3P 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3	재고 있음7,938
IXFQ30N60X IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 30A TO3P 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 4mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 56nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2270pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-3P 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3	재고 있음8,532
IXFQ34N50P3 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 34A TO-3P 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™, Polar3™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 34A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 4mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 60nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3260pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 695W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-3P 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3	재고 있음6,420
IXFQ50N50P3 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 50A TO-3P 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™, Polar3™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 4mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 85nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4335pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 960W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-3P 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3	재고 있음6,480
IXFQ50N60P3 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 50A TO3P 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™, Polar3™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 4mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 94nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6300pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1040W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-3P 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3	재고 있음7,956
IXFQ50N60X IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 50A TO3P 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 4mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 116nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4660pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 660W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-3P 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3	재고 있음7,920
IXFQ60N25X3 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CHANNEL 250V 60A TO3P 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 1.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 50nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3610pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 320W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-3P 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3	재고 있음3,508
IXFQ60N50P3 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 60A TO3P 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™, Polar3™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 4mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 96nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6250pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1040W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-3P 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3	재고 있음5,652
IXFQ60N60X IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 60A TO3P 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 8mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 143nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5800pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 890W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-3P 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3	재고 있음5,256

IXFP8N50PM

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 4.4A TO-220

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™, PolarHT™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.4A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1050pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 42W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음6,066

IXFP8N65X2

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 790pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 150W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음4,320

IXFP8N85X

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 850V 8A TO220AB

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 850V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 654pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 200W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB (IXFP)
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음3,672

IXFP8N85XM

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 850V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 654pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 33W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220 Isolated Tab
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

재고 있음7,524

IXFP90N20X3

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

200V/90A ULTRA JUNCTION X3-CLASS

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 45A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 78nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5420pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 390W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음6,948

IXFP90N20X3M

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

200V/90A ULTRA JUNCTION X3-CLASS

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 45A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 78nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5420pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 36W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220 Isolated Tab
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

재고 있음6,204

IXFQ10N80P

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 10A TO-3P

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™, PolarHT™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2050pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 300W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-3P
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3

재고 있음2,358

IXFQ120N25X3

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHANNEL 250V 120A TO3P

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 250V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 4mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 122nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7870pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 520W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-3P
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3

재고 있음6,900

IXFQ12N80P

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 12A TO-3P

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™, PolarHT™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 51nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2800pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 360W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-3P
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3

재고 있음8,136

IXFQ140N20X3

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

200V/140A ULTRA JUNCTION X3-CLAS

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 140A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 70A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 4mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 127nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7660pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 520W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-3P
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3

재고 있음6,132

IXFQ14N80P

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 14A TO-3P

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™, PolarHT™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 720mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 4mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 61nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3900pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 400W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-3P
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3

재고 있음4,644

IXFQ20N50P3

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 20A TO-3P

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™, Polar3™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1800pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 380W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-3P
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3

재고 있음7,146

IXFQ21N50Q

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 21A TO-3P

제조업체: IXYS
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-3P
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3

재고 있음7,542

IXFQ22N60P3

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 22A TO3P

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™, Polar3™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2600pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-3P
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3

재고 있음7,020

IXFQ23N60Q

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 23A TO-268(D3)

제조업체: IXYS
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 23A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-268
패키지 / 케이스: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

재고 있음5,580

IXFQ24N50P2

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

500V POLAR2 HIPERFETS

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™, PolarP2™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 48nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2890pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 480W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-3P
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3

재고 있음3,472

IXFQ24N50Q

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 24A TO-3P

제조업체: IXYS
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-3P
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3

재고 있음3,690

IXFQ24N60X

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 24A TO-3P

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 47nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1910pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 400W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-3P
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3

재고 있음6,768

IXFQ26N50

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 26A TO-30

제조업체: IXYS
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 26A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-3P
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3

재고 있음3,150

IXFQ26N50P3

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 26A TO-3P

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™, Polar3™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 26A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 4mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2220pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-3P
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3

재고 있음7,416

IXFQ26N50Q

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 26A TO-3P

제조업체: IXYS
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 26A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-3P
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3

재고 있음7,416

IXFQ28N60P3

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 28A TO3P

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™, Polar3™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 28A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3560pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 695W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-3P
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3

재고 있음7,938

IXFQ30N60X

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 30A TO3P

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 4mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 56nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2270pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-3P
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3

재고 있음8,532

IXFQ34N50P3

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 34A TO-3P

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™, Polar3™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 34A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 4mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 60nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3260pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 695W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-3P
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3

재고 있음6,420

IXFQ50N50P3

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 50A TO-3P

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™, Polar3™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 4mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 85nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4335pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 960W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-3P
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3

재고 있음6,480

IXFQ50N60P3

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 50A TO3P

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™, Polar3™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 4mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 94nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6300pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1040W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-3P
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3

재고 있음7,956

IXFQ50N60X

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 50A TO3P

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 4mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 116nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4660pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 660W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-3P
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3

재고 있음7,920

IXFQ60N25X3

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHANNEL 250V 60A TO3P

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 250V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3610pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 320W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-3P
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3

재고 있음3,508

IXFQ60N50P3

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 60A TO3P

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™, Polar3™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 4mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 96nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6250pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1040W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-3P
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3

재고 있음5,652

IXFQ60N60X

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 60A TO3P

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 143nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5800pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 890W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-3P
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3

재고 있음5,256

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