트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
IXTP4N60P IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 4A TO-220 제조업체: IXYS 시리즈: PolarHV™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 635pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 89W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음7,740
IXTP4N65X2 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V 4A X2 TO-220 제조업체: IXYS 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.3nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 455pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 80W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음3,454
IXTP4N70X2M IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 제조업체: IXYS 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 700V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11.8nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 386pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 30W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220 Isolated Tab 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	재고 있음5,886
IXTP4N80P IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 800V 3.5A TO-220 제조업체: IXYS 시리즈: PolarHV™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.6A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14.2nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 750pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 100W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음3,546
IXTP50N085T IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 85V 50A TO-220 제조업체: IXYS 시리즈: TrenchMV™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 85V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 25µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 34nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1460pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 130W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음5,004
IXTP50N20P IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 200V 50A TO-220 제조업체: IXYS 시리즈: PolarHT™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 70nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2720pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 360W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음8,262
IXTP50N20PM IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 200V 20A TO-220 제조업체: IXYS 시리즈: PolarHT™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 70nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2720pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 90W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220 Isolated Tab 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	재고 있음3,222
IXTP50N25T IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 250V 50A TO-220 제조업체: IXYS 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 78nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4000pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 400W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음7,074
IXTP52P10P IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 100V 52A TO-220 제조업체: IXYS 시리즈: PolarP™ FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 52A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 60nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2845pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 300W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음6,288
IXTP54N30T IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 300V 54A TO-220 제조업체: IXYS 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 300V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 54A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음8,622
IXTP55N075T IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 75V 55A TO-220 제조업체: IXYS 시리즈: TrenchMV™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 75V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 55A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 27.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 25µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1400pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 130W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음2,718
IXTP56N15T IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 150V 56A TO-220 제조업체: IXYS 시리즈: TrenchHV™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 56A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 28A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 34nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2250pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 300W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음6,624
IXTP5N50P IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 4.8A TO-220 제조업체: IXYS 시리즈: PolarHV™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.8A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 50µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12.6nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 620pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 89W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음5,148
IXTP5N60P IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 5A TO-220 제조업체: IXYS 시리즈: PolarHV™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 50µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14.2nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 750pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 100W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음3,078
IXTP60N10T IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 60A TO-220 제조업체: IXYS 시리즈: TrenchMV™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 50µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 49nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2650pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 176W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음12,876
IXTP60N20T IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 200V 60A TO-220 제조업체: IXYS 시리즈: Trench™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 73nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4530pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음7,704
IXTP62N15P IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 150V 62A TO-220 제조업체: IXYS 시리즈: PolarHT™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 62A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 31A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 70nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2250pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 350W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음3,348
IXTP64N055T IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 55V 64A TO-220 제조업체: IXYS 시리즈: TrenchMV™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 64A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 25µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 37nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1420pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 130W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음8,874
IXTP6N100D2 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1000V 6A TO220AB 제조업체: IXYS 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 3A, 0V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 95nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2650pF @ 25V FET 기능: Depletion Mode 전력 손실 (최대): 300W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음5,058
IXTP6N50D2 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 6A TO220AB 제조업체: IXYS 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3A, 0V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 96nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2800pF @ 25V FET 기능: Depletion Mode 전력 손실 (최대): 300W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음6,372
IXTP6N50P IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 6A TO-220 제조업체: IXYS 시리즈: PolarHV™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 50µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14.6nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 740pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 100W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음8,838
IXTP70N075T2 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 75V 70A TO-220 제조업체: IXYS 시리즈: TrenchT2™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 75V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 70A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 46nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2725pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 150W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음7,968
IXTP70N085T IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 85V 70A TO-220 제조업체: IXYS 시리즈: TrenchMV™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 85V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 70A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 50µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 59nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2570pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 176W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음4,410
IXTP72N20T IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 200V 72A TO-220 제조업체: IXYS 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 72A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음3,240
IXTP74N15T IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 150V 74A TO-220 제조업체: IXYS 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 74A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음3,906
IXTP75N10P IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 75A TO-220 제조업체: IXYS 시리즈: PolarHT™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 74nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2250pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 360W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음2,052
IXTP76N075T IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 75V 76A TO-220 제조업체: IXYS 시리즈: TrenchMV™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 75V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 76A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 50µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 57nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2580pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 176W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음4,878
IXTP76N25T IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 250V 76A TO-220 제조업체: IXYS 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 76A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 92nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4500pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 460W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음8,568
IXTP76P10T IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 100V 76A TO-220 제조업체: IXYS 시리즈: TrenchP™ FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 76A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 197nC @ 10V Vgs (최대): ±15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13700pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 298W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음9,540
IXTP7N60P IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 7A TO-220 제조업체: IXYS 시리즈: PolarHV™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1080pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 150W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음3,078

IXTP4N60P

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 4A TO-220

제조업체: IXYS
시리즈: PolarHV™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 635pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 89W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음7,740

IXTP4N65X2

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 4A X2 TO-220

제조업체: IXYS
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.3nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 455pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 80W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음3,454

IXTP4N70X2M

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH

제조업체: IXYS
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 700V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11.8nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 386pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 30W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220 Isolated Tab
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

재고 있음5,886

IXTP4N80P

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 3.5A TO-220

제조업체: IXYS
시리즈: PolarHV™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.6A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14.2nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 750pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 100W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음3,546

IXTP50N085T

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 85V 50A TO-220

제조업체: IXYS
시리즈: TrenchMV™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 85V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 25µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 34nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1460pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 130W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음5,004

IXTP50N20P

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 50A TO-220

제조업체: IXYS
시리즈: PolarHT™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 70nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2720pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 360W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음8,262

IXTP50N20PM

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 20A TO-220

제조업체: IXYS
시리즈: PolarHT™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 70nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2720pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 90W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220 Isolated Tab
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

재고 있음3,222

IXTP50N25T

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 250V 50A TO-220

제조업체: IXYS
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 250V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 78nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4000pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 400W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음7,074

IXTP52P10P

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 100V 52A TO-220

제조업체: IXYS
시리즈: PolarP™
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 52A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 60nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2845pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 300W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음6,288

IXTP54N30T

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 300V 54A TO-220

제조업체: IXYS
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 300V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 54A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음8,622

IXTP55N075T

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 75V 55A TO-220

제조업체: IXYS
시리즈: TrenchMV™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 75V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 55A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 27.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 25µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1400pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 130W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음2,718

IXTP56N15T

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 150V 56A TO-220

제조업체: IXYS
시리즈: TrenchHV™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 150V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 56A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 28A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 34nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2250pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 300W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음6,624

IXTP5N50P

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 4.8A TO-220

제조업체: IXYS
시리즈: PolarHV™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.8A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 50µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12.6nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 620pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 89W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음5,148

IXTP5N60P

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 5A TO-220

제조업체: IXYS
시리즈: PolarHV™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 50µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14.2nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 750pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 100W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음3,078

IXTP60N10T

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 60A TO-220

제조업체: IXYS
시리즈: TrenchMV™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 50µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 49nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2650pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 176W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음12,876

IXTP60N20T

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 60A TO-220

제조업체: IXYS
시리즈: Trench™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 73nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4530pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음7,704

IXTP62N15P

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 150V 62A TO-220

제조업체: IXYS
시리즈: PolarHT™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 150V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 62A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 31A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 70nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2250pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 350W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음3,348

IXTP64N055T

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 64A TO-220

제조업체: IXYS
시리즈: TrenchMV™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 64A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 25µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 37nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1420pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 130W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음8,874

IXTP6N100D2

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1000V 6A TO220AB

제조업체: IXYS
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 3A, 0V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 95nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2650pF @ 25V
FET 기능: Depletion Mode
전력 손실 (최대): 300W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음5,058

IXTP6N50D2

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 6A TO220AB

제조업체: IXYS
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3A, 0V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 96nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2800pF @ 25V
FET 기능: Depletion Mode
전력 손실 (최대): 300W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음6,372

IXTP6N50P

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 6A TO-220

제조업체: IXYS
시리즈: PolarHV™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 50µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14.6nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 740pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 100W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음8,838

IXTP70N075T2

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 75V 70A TO-220

제조업체: IXYS
시리즈: TrenchT2™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 75V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 70A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 46nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2725pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 150W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음7,968

IXTP70N085T

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 85V 70A TO-220

제조업체: IXYS
시리즈: TrenchMV™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 85V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 70A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 50µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 59nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2570pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 176W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음4,410

IXTP72N20T

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 72A TO-220

제조업체: IXYS
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 72A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음3,240

IXTP74N15T

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 150V 74A TO-220

제조업체: IXYS
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 150V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 74A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음3,906

IXTP75N10P

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 75A TO-220

제조업체: IXYS
시리즈: PolarHT™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 74nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2250pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 360W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음2,052

IXTP76N075T

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 75V 76A TO-220

제조업체: IXYS
시리즈: TrenchMV™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 75V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 76A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 50µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 57nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2580pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 176W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음4,878

IXTP76N25T

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 250V 76A TO-220

제조업체: IXYS
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 250V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 76A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 92nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4500pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 460W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음8,568

IXTP76P10T

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 100V 76A TO-220

제조업체: IXYS
시리즈: TrenchP™
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 76A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 197nC @ 10V
Vgs (최대): ±15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13700pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 298W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음9,540

IXTP7N60P

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 7A TO-220

제조업체: IXYS
시리즈: PolarHV™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1080pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 150W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음3,078

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