트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
NTD14N03R-1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 2.5A IPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.8nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 115pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.04W (Ta), 20.8W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I-PAK 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	재고 있음4,464
NTD14N03RG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 2.5A DPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.8nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 115pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.04W (Ta), 20.8W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DPAK 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음2,250
NTD14N03RT4 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 2.5A DPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.8nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 115pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.04W (Ta), 20.8W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DPAK 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음7,110
NTD14N03RT4G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 2.5A DPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.8nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 115pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.04W (Ta), 20.8W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DPAK 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음3,474
NTD15N06-001 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 15A IPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 450pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.5W (Ta), 48W (Tj) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I-PAK 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	재고 있음7,488
NTD15N06L-001 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 15A IPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 7.5A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 5V Vgs (최대): ±15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 440pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.5W (Ta), 48W (Tj) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I-PAK 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	재고 있음5,382
NTD15N06LT4 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 15A DPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 7.5A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 5V Vgs (최대): ±15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 440pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.5W (Ta), 48W (Tj) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DPAK 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음4,392
NTD15N06T4 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 15A DPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 450pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.5W (Ta), 48W (Tj) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DPAK 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음3,906
NTD18N06 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 18A DPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 710pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 55W (Tj) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DPAK 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음5,328
NTD18N06-001 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 18A IPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 710pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 55W (Tj) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I-PAK 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	재고 있음3,330
NTD18N06-1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 18A IPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 710pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 55W (Tj) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I-PAK 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	재고 있음8,856
NTD18N06G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 18A DPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 710pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 55W (Tj) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DPAK 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음4,950
NTD18N06L ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 18A DPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 9A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 5V Vgs (최대): ±15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 675pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 55W (Tj) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DPAK 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음7,164
NTD18N06L-001 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 18A IPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 9A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 5V Vgs (최대): ±15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 675pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 55W (Tj) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I-PAK 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	재고 있음5,760
NTD18N06L-1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 18A IPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 9A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 5V Vgs (최대): ±15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 675pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 55W (Tj) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I-PAK 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	재고 있음4,896
NTD18N06LG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 18A DPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 9A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 5V Vgs (최대): ±15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 675pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 55W (Tj) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DPAK 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음7,506
NTD18N06LT4 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 18A DPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 9A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 5V Vgs (최대): ±15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 675pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 55W (Tj) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DPAK 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음6,930
NTD18N06LT4G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 18A DPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 9A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 5V Vgs (최대): ±15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 675pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 55W (Tj) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DPAK 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음2,100
NTD18N06T4G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 18A DPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 710pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 55W (Tj) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DPAK 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음5,328
NTD20N03L27 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 20A DPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 10A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18.9nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1260pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.75W (Ta), 74W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DPAK 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음8,244
NTD20N03L27-001 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 20A IPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 10A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18.9nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1260pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.75W (Ta), 74W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I-PAK 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	재고 있음3,580
NTD20N03L27-1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 20A IPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 10A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18.9nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1260pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.75W (Ta), 74W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I-PAK 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	재고 있음2,142
NTD20N03L27G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 20A DPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 10A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18.9nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1260pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.75W (Ta), 74W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DPAK 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음2,574
NTD20N03L27T4G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 20A DPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 10A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18.9nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1260pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.75W (Ta), 74W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DPAK 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음19,398
NTD20N06-001 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 20A IPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1015pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.88W (Ta), 60W (Tj) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I-PAK 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	재고 있음7,866
NTD20N06-1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 20A IPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1015pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.88W (Ta), 60W (Tj) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I-PAK 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	재고 있음6,066
NTD20N06G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 20A DPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1015pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.88W (Ta), 60W (Tj) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DPAK 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음7,380
NTD20N06L-001 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 20A IPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 10A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 32nC @ 5V Vgs (최대): ±15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 990pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.36W (Ta), 60W (Tj) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I-PAK 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	재고 있음2,088
NTD20N06L-1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 20A IPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 10A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 32nC @ 5V Vgs (최대): ±15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 990pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.36W (Ta), 60W (Tj) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I-PAK 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	재고 있음8,586
NTD20N06LG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 20A DPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 10A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 32nC @ 5V Vgs (최대): ±15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 990pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.36W (Ta), 60W (Tj) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DPAK 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음7,758

NTD14N03R-1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 2.5A IPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.8nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 115pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.04W (Ta), 20.8W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I-PAK
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

재고 있음4,464

NTD14N03RG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 2.5A DPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.8nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 115pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.04W (Ta), 20.8W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DPAK
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음2,250

NTD14N03RT4

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 2.5A DPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.8nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 115pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.04W (Ta), 20.8W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DPAK
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음7,110

NTD14N03RT4G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 2.5A DPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.8nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 115pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.04W (Ta), 20.8W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DPAK
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음3,474

NTD15N06-001

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 15A IPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 450pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.5W (Ta), 48W (Tj)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I-PAK
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

재고 있음7,488

NTD15N06L-001

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 15A IPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 7.5A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 5V
Vgs (최대): ±15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 440pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.5W (Ta), 48W (Tj)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I-PAK
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

재고 있음5,382

NTD15N06LT4

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 15A DPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 7.5A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 5V
Vgs (최대): ±15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 440pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.5W (Ta), 48W (Tj)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DPAK
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음4,392

NTD15N06T4

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 15A DPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 450pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.5W (Ta), 48W (Tj)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DPAK
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음3,906

NTD18N06

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 18A DPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 710pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 55W (Tj)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DPAK
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음5,328

NTD18N06-001

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 18A IPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 710pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 55W (Tj)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I-PAK
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

재고 있음3,330

NTD18N06-1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 18A IPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 710pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 55W (Tj)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I-PAK
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

재고 있음8,856

NTD18N06G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 18A DPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 710pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 55W (Tj)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DPAK
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음4,950

NTD18N06L

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 18A DPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 9A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 5V
Vgs (최대): ±15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 675pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 55W (Tj)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DPAK
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음7,164

NTD18N06L-001

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 18A IPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 9A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 5V
Vgs (최대): ±15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 675pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 55W (Tj)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I-PAK
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

재고 있음5,760

NTD18N06L-1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 18A IPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 9A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 5V
Vgs (최대): ±15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 675pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 55W (Tj)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I-PAK
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

재고 있음4,896

NTD18N06LG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 18A DPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 9A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 5V
Vgs (최대): ±15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 675pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 55W (Tj)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DPAK
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음7,506

NTD18N06LT4

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 18A DPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 9A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 5V
Vgs (최대): ±15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 675pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 55W (Tj)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DPAK
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음6,930

NTD18N06LT4G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 18A DPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 9A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 5V
Vgs (최대): ±15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 675pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 55W (Tj)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DPAK
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음2,100

NTD18N06T4G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 18A DPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 710pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.1W (Ta), 55W (Tj)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DPAK
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음5,328

NTD20N03L27

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 20A DPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 10A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18.9nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1260pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.75W (Ta), 74W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DPAK
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음8,244

NTD20N03L27-001

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 20A IPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 10A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18.9nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1260pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.75W (Ta), 74W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I-PAK
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

재고 있음3,580

NTD20N03L27-1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 20A IPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 10A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18.9nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1260pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.75W (Ta), 74W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I-PAK
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

재고 있음2,142

NTD20N03L27G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 20A DPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 10A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18.9nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1260pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.75W (Ta), 74W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DPAK
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음2,574

NTD20N03L27T4G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 20A DPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 10A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18.9nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1260pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.75W (Ta), 74W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DPAK
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음19,398

NTD20N06-001

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 20A IPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1015pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.88W (Ta), 60W (Tj)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I-PAK
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

재고 있음7,866

NTD20N06-1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 20A IPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1015pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.88W (Ta), 60W (Tj)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I-PAK
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

재고 있음6,066

NTD20N06G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 20A DPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1015pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.88W (Ta), 60W (Tj)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DPAK
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음7,380

NTD20N06L-001

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 20A IPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 10A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 32nC @ 5V
Vgs (최대): ±15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 990pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.36W (Ta), 60W (Tj)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I-PAK
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

재고 있음2,088

NTD20N06L-1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 20A IPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 10A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 32nC @ 5V
Vgs (최대): ±15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 990pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.36W (Ta), 60W (Tj)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I-PAK
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

재고 있음8,586

NTD20N06LG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 20A DPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 10A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 32nC @ 5V
Vgs (최대): ±15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 990pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.36W (Ta), 60W (Tj)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DPAK
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음7,758

Send Message

Certifications

자원

지원

Social Media

Need Help?
Send Message