트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
NTD4813NT4G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 7.6A DPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.6A (Ta), 40A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.9nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 860pF @ 12V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.27W (Ta), 35.3W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DPAK 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음4,788
NTD4815N-1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 6.9A IPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.9A (Ta), 35A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.6nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 770pF @ 12V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.26W (Ta), 32.6W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I-PAK 패키지 / 케이스: TO-251-3 Stub Leads, IPak	재고 있음6,732
NTD4815N-35G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET NCH 30V 6.9A IPAK TRIMMED 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.9A (Ta), 35A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14.1nC @ 11.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 770pF @ 12V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.26W (Ta), 32.6W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I-PAK 패키지 / 케이스: TO-251-3 Stub Leads, IPak	재고 있음20,844
NTD4815NH-1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 6.9A IPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.9A (Ta), 35A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.8nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 845pF @ 12V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.26W (Ta), 32.6W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I-PAK 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	재고 있음8,280
NTD4815NH-35G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 6.9A IPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.9A (Ta), 35A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.8nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 845pF @ 12V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.26W (Ta), 32.6W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I-PAK 패키지 / 케이스: TO-251-3 Stub Leads, IPak	재고 있음6,102
NTD4815NHT4G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 6.9A DPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.9A (Ta), 35A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.8nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 845pF @ 12V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.26W (Ta), 32.6W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DPAK 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음3,366
NTD4815NT4G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 6.9A DPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.9A (Ta), 35A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 11.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.6nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 770pF @ 12V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.26W (Ta), 32.6W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DPAK 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음8,784
NTD4854N-1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 15.7A IPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15.7A (Ta), 128A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 49.2nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4600pF @ 12V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.43W (Ta), 93.75W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I-PAK 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	재고 있음8,028
NTD4854N-35G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 15.7A IPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15.7A (Ta), 128A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 49.2nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4600pF @ 12V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.43W (Ta), 93.75W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I-PAK 패키지 / 케이스: TO-251-3 Stub Leads, IPak	재고 있음3,060
NTD4854NT4G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 15.7A DPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15.7A (Ta), 128A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 49.2nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4600pF @ 12V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.43W (Ta), 93.75W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DPAK 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음8,730
NTD4855N-1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 14A IPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Ta), 98A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 32.7nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2950pF @ 12V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.35W (Ta), 66.7W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I-PAK 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	재고 있음3,528
NTD4855N-35G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 14A IPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Ta), 98A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 32.7nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2950pF @ 12V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.35W (Ta), 66.7W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I-PAK 패키지 / 케이스: TO-251-3 Stub Leads, IPak	재고 있음5,562
NTD4855NT4G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 14A DPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Ta), 98A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 32.7nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2950pF @ 12V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.35W (Ta), 66.7W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DPAK 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음2,034
NTD4856N-1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 13.3A IPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13.3A (Ta), 89A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2241pF @ 12V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.33W (Ta), 60W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I-PAK 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	재고 있음8,982
NTD4856N-35G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 13.3A IPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13.3A (Ta), 89A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2241pF @ 12V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.33W (Ta), 60W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I-PAK 패키지 / 케이스: TO-251-3 Stub Leads, IPak	재고 있음6,570
NTD4856NT4G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 13.3A DPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13.3A (Ta), 89A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2241pF @ 12V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.33W (Ta), 60W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DPAK 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음5,922
NTD4857N-1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 12A IPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta), 78A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1960pF @ 12V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.31W (Ta), 56.6W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I-PAK 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	재고 있음8,766
NTD4857N-35G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 12A IPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta), 78A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1960pF @ 12V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.31W (Ta), 56.6W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I-PAK 패키지 / 케이스: TO-251-3 Stub Leads, IPak	재고 있음2,628
NTD4857NA-1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 78A SGL IPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta), 78A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 32nC @ 10V Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1960pF @ 12V FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I-PAK 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	재고 있음4,878
NTD4857NAT4G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 12A DPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta), 78A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 4.5V Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1960pF @ 12V FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DPAK 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음2,556
NTD4857NT4G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 12A DPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta), 78A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1960pF @ 12V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.31W (Ta), 56.6W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DPAK 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음6,606
NTD4858N-1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 11.2A IPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.2A (Ta), 73A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19.2nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1563pF @ 12V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.3W (Ta), 54.5W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I-PAK 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	재고 있음5,706
NTD4858N-35G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 11.2A IPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.2A (Ta), 73A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19.2nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1563pF @ 12V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.3W (Ta), 54.5W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I-PAK 패키지 / 케이스: TO-251-3 Stub Leads, IPak	재고 있음14,844
NTD4858NA-1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 11.2A IPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.2A (Ta), 73A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19.2nC @ 4.5V Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1563pF @ 12V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.3W (Ta), 54.5W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I-PAK 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	재고 있음7,632
NTD4858NA-35G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 11.2A IPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.2A (Ta), 73A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19.2nC @ 4.5V Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1563pF @ 12V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.3W (Ta), 54.5W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I-PAK 패키지 / 케이스: TO-251-3 Stub Leads, IPak	재고 있음6,876
NTD4858NAT4G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 11.2A DPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.2A (Ta), 73A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19.2nC @ 4.5V Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1563pF @ 12V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.3W (Ta), 54.5W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DPAK 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음5,004
NTD4858NT4G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 11.2A DPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.2A (Ta), 73A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19.2nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1563pF @ 12V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.3W (Ta), 54.5W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DPAK 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음62,910
NTD4860N-1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 10.4A IPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.4A (Ta), 65A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16.5nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1308pF @ 12V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.28W (Ta), 50W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I-PAK 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	재고 있음4,554
NTD4860N-35G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 10.4A IPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.4A (Ta), 65A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16.5nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1308pF @ 12V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.28W (Ta), 50W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I-PAK 패키지 / 케이스: TO-251-3 Stub Leads, IPak	재고 있음3,366
NTD4860NA-1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 65A IPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.4A (Ta), 65A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21.8nC @ 10V Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1308pF @ 12V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.28W (Ta), 50W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I-PAK 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	재고 있음3,924

NTD4813NT4G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 7.6A DPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.6A (Ta), 40A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 11.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.9nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 860pF @ 12V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.27W (Ta), 35.3W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DPAK
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음4,788

NTD4815N-1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 6.9A IPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.9A (Ta), 35A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 11.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.6nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 770pF @ 12V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.26W (Ta), 32.6W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I-PAK
패키지 / 케이스: TO-251-3 Stub Leads, IPak

재고 있음6,732

NTD4815N-35G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET NCH 30V 6.9A IPAK TRIMMED

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.9A (Ta), 35A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 11.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14.1nC @ 11.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 770pF @ 12V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.26W (Ta), 32.6W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I-PAK
패키지 / 케이스: TO-251-3 Stub Leads, IPak

재고 있음20,844

NTD4815NH-1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 6.9A IPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.9A (Ta), 35A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 11.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.8nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 845pF @ 12V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.26W (Ta), 32.6W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I-PAK
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

재고 있음8,280

NTD4815NH-35G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 6.9A IPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.9A (Ta), 35A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 11.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.8nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 845pF @ 12V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.26W (Ta), 32.6W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I-PAK
패키지 / 케이스: TO-251-3 Stub Leads, IPak

재고 있음6,102

NTD4815NHT4G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 6.9A DPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.9A (Ta), 35A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 11.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.8nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 845pF @ 12V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.26W (Ta), 32.6W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DPAK
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음3,366

NTD4815NT4G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 6.9A DPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.9A (Ta), 35A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 11.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.6nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 770pF @ 12V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.26W (Ta), 32.6W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DPAK
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음8,784

NTD4854N-1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 15.7A IPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15.7A (Ta), 128A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 49.2nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4600pF @ 12V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.43W (Ta), 93.75W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I-PAK
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

재고 있음8,028

NTD4854N-35G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 15.7A IPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15.7A (Ta), 128A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 49.2nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4600pF @ 12V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.43W (Ta), 93.75W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I-PAK
패키지 / 케이스: TO-251-3 Stub Leads, IPak

재고 있음3,060

NTD4854NT4G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 15.7A DPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15.7A (Ta), 128A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 49.2nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4600pF @ 12V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.43W (Ta), 93.75W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DPAK
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음8,730

NTD4855N-1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 14A IPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Ta), 98A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 32.7nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2950pF @ 12V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.35W (Ta), 66.7W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I-PAK
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

재고 있음3,528

NTD4855N-35G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 14A IPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Ta), 98A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 32.7nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2950pF @ 12V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.35W (Ta), 66.7W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I-PAK
패키지 / 케이스: TO-251-3 Stub Leads, IPak

재고 있음5,562

NTD4855NT4G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 14A DPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Ta), 98A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 32.7nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2950pF @ 12V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.35W (Ta), 66.7W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DPAK
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음2,034

NTD4856N-1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 13.3A IPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13.3A (Ta), 89A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2241pF @ 12V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.33W (Ta), 60W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I-PAK
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

재고 있음8,982

NTD4856N-35G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 13.3A IPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13.3A (Ta), 89A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2241pF @ 12V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.33W (Ta), 60W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I-PAK
패키지 / 케이스: TO-251-3 Stub Leads, IPak

재고 있음6,570

NTD4856NT4G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 13.3A DPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13.3A (Ta), 89A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2241pF @ 12V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.33W (Ta), 60W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DPAK
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음5,922

NTD4857N-1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 12A IPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta), 78A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1960pF @ 12V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.31W (Ta), 56.6W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I-PAK
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

재고 있음8,766

NTD4857N-35G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 12A IPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta), 78A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1960pF @ 12V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.31W (Ta), 56.6W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I-PAK
패키지 / 케이스: TO-251-3 Stub Leads, IPak

재고 있음2,628

NTD4857NA-1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 78A SGL IPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta), 78A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1960pF @ 12V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I-PAK
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

재고 있음4,878

NTD4857NAT4G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 12A DPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta), 78A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 4.5V
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1960pF @ 12V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DPAK
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음2,556

NTD4857NT4G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 12A DPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta), 78A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1960pF @ 12V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.31W (Ta), 56.6W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DPAK
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음6,606

NTD4858N-1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 11.2A IPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.2A (Ta), 73A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19.2nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1563pF @ 12V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.3W (Ta), 54.5W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I-PAK
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

재고 있음5,706

NTD4858N-35G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 11.2A IPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.2A (Ta), 73A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19.2nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1563pF @ 12V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.3W (Ta), 54.5W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I-PAK
패키지 / 케이스: TO-251-3 Stub Leads, IPak

재고 있음14,844

NTD4858NA-1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 11.2A IPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.2A (Ta), 73A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19.2nC @ 4.5V
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1563pF @ 12V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.3W (Ta), 54.5W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I-PAK
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

재고 있음7,632

NTD4858NA-35G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 11.2A IPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.2A (Ta), 73A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19.2nC @ 4.5V
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1563pF @ 12V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.3W (Ta), 54.5W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I-PAK
패키지 / 케이스: TO-251-3 Stub Leads, IPak

재고 있음6,876

NTD4858NAT4G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 11.2A DPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.2A (Ta), 73A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19.2nC @ 4.5V
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1563pF @ 12V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.3W (Ta), 54.5W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DPAK
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음5,004

NTD4858NT4G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 11.2A DPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.2A (Ta), 73A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19.2nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1563pF @ 12V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.3W (Ta), 54.5W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DPAK
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음62,910

NTD4860N-1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 10.4A IPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.4A (Ta), 65A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16.5nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1308pF @ 12V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.28W (Ta), 50W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I-PAK
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

재고 있음4,554

NTD4860N-35G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 10.4A IPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.4A (Ta), 65A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16.5nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1308pF @ 12V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.28W (Ta), 50W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I-PAK
패키지 / 케이스: TO-251-3 Stub Leads, IPak

재고 있음3,366

NTD4860NA-1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 65A IPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.4A (Ta), 65A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21.8nC @ 10V
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1308pF @ 12V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.28W (Ta), 50W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I-PAK
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

재고 있음3,924

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