트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
NTDV2955PT4G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 60V 12A DPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DPAK 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음6,768
NTDV3055L104-1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 12A IPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 6A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 5V Vgs (최대): ±15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 440pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.5W (Ta), 48W (Tj) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I-PAK 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	재고 있음8,298
NTDV5804NT4G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 69A DPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 69A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2850pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 71W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DPAK 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음7,164
NTDV5805NT4G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 51A DPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 51A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 80nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1725pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DPAK 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음8,982
NTDV6414ANT4G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 32A DPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DPAK-3 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음6,228
NTE4151PT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 0.76A SC-89 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 760mA (Tj) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 350mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.1nC @ 4.5V Vgs (최대): ±6V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 156pF @ 5V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 313mW (Tj) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-89-3 패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490	재고 있음91,020
NTE4153NT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 915MA SC-89 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 915mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.82nC @ 4.5V Vgs (최대): ±6V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 110pF @ 16V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 300mW (Tj) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-89-3 패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490	재고 있음1,375,398
NTF2955PT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT-223 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.7A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 2.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14.3nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 492pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음6,498
NTF2955T1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT-223 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.7A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 2.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14.3nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 492pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음177,480
NTF3055-100T1 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 3A SOT223 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 455pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.3W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 (TO-261) 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음5,976
NTF3055-100T1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 3A SOT223 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 455pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.3W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 (TO-261) 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음6,012
NTF3055-100T1G-IRH1 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 NFET SOT223 60V 3A 0.100R 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 455pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.3W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 (TO-261) 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음6,102
NTF3055-100T3G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 3A SOT223 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 455pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.3W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음5,364
NTF3055-100T3LF ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 3A SOT223 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 455pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.3W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음3,402
NTF3055-160T1 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 2A SOT223 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 280pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.3W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음2,088
NTF3055-160T3LF ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 2A SOT223 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 280pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.3W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음5,580
NTF3055L108T1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 3A SOT223 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1.5A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 5V Vgs (최대): ±15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 440pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.3W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음48,870
NTF3055L108T3G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 3A SOT223 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1.5A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 5V Vgs (최대): ±15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 440pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.3W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음6,156
NTF3055L108T3LF ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 3A SOT223 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1.5A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 5V Vgs (최대): ±15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 440pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.3W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음7,056
NTF3055L108T3LFG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 3A SOT223 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1.5A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 5V Vgs (최대): ±15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 440pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.3W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음2,646
NTF3055L175T1 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 2A SOT223 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 1A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 5V Vgs (최대): ±15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 270pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.3W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 (TO-261) 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음6,822
NTF3055L175T1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 2A SOT223 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 1A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 5V Vgs (최대): ±15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 270pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.3W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 (TO-261) 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음8,838
NTF3055L175T3 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 2A SOT223 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 1A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 5V Vgs (최대): ±15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 270pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.3W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 (TO-261) 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음2,268
NTF3055L175T3G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 2A SOT223 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 1A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 5V Vgs (최대): ±15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 270pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.3W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 (TO-261) 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음4,824
NTF3055L175T3LF ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 2A SOT223 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 1A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 5V Vgs (최대): ±15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 270pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.3W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 (TO-261) 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음7,038
NTF5P03T3G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 3.7A SOT223 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.7A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 5.2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 38nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 950pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.56W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음2,790
NTF6P02T3G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 10A SOT223 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 6A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1200pF @ 16V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 8.3W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음4,248
NTGD3147FT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-TSOP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 2.2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 400pF @ 10V FET 기능: Schottky Diode (Isolated) 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: -25°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-TSOP 패키지 / 케이스: SOT-23-6	재고 있음5,670
NTGD4169FT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 2.6A 6-TSOP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 295pF @ 15V FET 기능: Schottky Diode (Isolated) 전력 손실 (최대): 900mW (Ta) 작동 온도: -25°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-TSOP 패키지 / 케이스: SOT-23-6	재고 있음3,564
NTGS1135PT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 8V 4.6A 6-TSOP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 8V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.2V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 4.6A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 850mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21nC @ 4.5V Vgs (최대): ±6V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2200pF @ 6V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 970mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-TSOP 패키지 / 케이스: SOT-23-6	재고 있음4,644

NTDV2955PT4G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 60V 12A DPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DPAK
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음6,768

NTDV3055L104-1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 12A IPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 6A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 5V
Vgs (최대): ±15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 440pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.5W (Ta), 48W (Tj)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I-PAK
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

재고 있음8,298

NTDV5804NT4G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 69A DPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 69A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2850pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 71W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DPAK
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음7,164

NTDV5805NT4G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 51A DPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 51A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 80nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1725pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DPAK
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음8,982

NTDV6414ANT4G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 32A DPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DPAK-3
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음6,228

NTE4151PT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 0.76A SC-89

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 760mA (Tj)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 350mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.1nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±6V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 156pF @ 5V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 313mW (Tj)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-89-3
패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490

재고 있음91,020

NTE4153NT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 915MA SC-89

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 915mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.82nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±6V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 110pF @ 16V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 300mW (Tj)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-89-3
패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490

재고 있음1,375,398

NTF2955PT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT-223

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.7A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14.3nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 492pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음6,498

NTF2955T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT-223

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.7A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14.3nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 492pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음177,480

NTF3055-100T1

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 3A SOT223

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 455pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.3W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223 (TO-261)
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음5,976

NTF3055-100T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 3A SOT223

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 455pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.3W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223 (TO-261)
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음6,012

NTF3055-100T1G-IRH1

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

NFET SOT223 60V 3A 0.100R

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 455pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.3W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223 (TO-261)
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음6,102

NTF3055-100T3G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 3A SOT223

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 455pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.3W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음5,364

NTF3055-100T3LF

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 3A SOT223

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 455pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.3W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음3,402

NTF3055-160T1

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 2A SOT223

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 280pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.3W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음2,088

NTF3055-160T3LF

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 2A SOT223

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 280pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.3W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음5,580

NTF3055L108T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 3A SOT223

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1.5A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 5V
Vgs (최대): ±15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 440pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.3W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음48,870

NTF3055L108T3G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 3A SOT223

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1.5A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 5V
Vgs (최대): ±15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 440pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.3W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음6,156

NTF3055L108T3LF

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 3A SOT223

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1.5A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 5V
Vgs (최대): ±15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 440pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.3W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음7,056

NTF3055L108T3LFG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 3A SOT223

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1.5A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 5V
Vgs (최대): ±15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 440pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.3W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음2,646

NTF3055L175T1

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 2A SOT223

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 1A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 5V
Vgs (최대): ±15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 270pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.3W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223 (TO-261)
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음6,822

NTF3055L175T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 2A SOT223

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 1A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 5V
Vgs (최대): ±15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 270pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.3W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223 (TO-261)
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음8,838

NTF3055L175T3

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 2A SOT223

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 1A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 5V
Vgs (최대): ±15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 270pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.3W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223 (TO-261)
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음2,268

NTF3055L175T3G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 2A SOT223

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 1A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 5V
Vgs (최대): ±15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 270pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.3W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223 (TO-261)
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음4,824

NTF3055L175T3LF

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 2A SOT223

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 1A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 5V
Vgs (최대): ±15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 270pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.3W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223 (TO-261)
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음7,038

NTF5P03T3G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 3.7A SOT223

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.7A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 5.2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 950pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.56W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음2,790

NTF6P02T3G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 10A SOT223

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1200pF @ 16V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 8.3W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음4,248

NTGD3147FT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-TSOP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 2.2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 400pF @ 10V
FET 기능: Schottky Diode (Isolated)
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: -25°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-TSOP
패키지 / 케이스: SOT-23-6

재고 있음5,670

NTGD4169FT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 2.6A 6-TSOP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 295pF @ 15V
FET 기능: Schottky Diode (Isolated)
전력 손실 (최대): 900mW (Ta)
작동 온도: -25°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-TSOP
패키지 / 케이스: SOT-23-6

재고 있음3,564

NTGS1135PT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 8V 4.6A 6-TSOP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 8V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.2V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 4.6A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 850mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±6V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2200pF @ 6V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 970mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-TSOP
패키지 / 케이스: SOT-23-6

재고 있음4,644

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