트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
NVTFS005N04CTAG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 T6 40V SG NCH U8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Ta), 69A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 40µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1000pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 50W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음8,172
NVTFS008N04CTAG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 T6 40V SG NCH U8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Ta), 48A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 30µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 625pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 38W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음7,290
NVTFS010N10MCLTAG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 PTNG 100V 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.7A (Ta), 57.8 (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 85µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2150pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.2W (Ta), 77.8W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음3,418
NVTFS015N04CTAG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 27A 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.4A (Ta), 27A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17.3mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 20µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.3nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 325pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.9W (Ta), 23W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음8,694
NVTFS4823NTAG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 13A 8WDFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 750pF @ 12V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 21W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음4,626
NVTFS4823NTWG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 13A 8WDFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 750pF @ 12V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 21W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음6,480
NVTFS4823NWFTAG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 30A U8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 750pF @ 12V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 21W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음12,252
NVTFS4823NWFTWG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 30A U8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 750pF @ 12V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 21W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음3,564
NVTFS4824NTAG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 18.2A 8WDFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18.2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 23A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1740pF @ 12V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.2W (Ta), 21W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음13,536
NVTFS4824NTWG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 18.2A 8WDFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18.2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 23A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1740pF @ 12V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.2W (Ta), 21W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음3,294
NVTFS4824NWFTAG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 69A U8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18.2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 23A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1740pF @ 12V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.2W (Ta), 21W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음6,696
NVTFS4824NWFTWG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 69A U8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18.2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 23A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1740pF @ 12V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.2W (Ta), 21W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음3,528
NVTFS4C05NTAG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 75A U8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Ta), 102A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 31nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1988pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.2W (Ta), 68W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음12,420
NVTFS4C05NWFTAG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 22A U8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Ta), 102A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 31nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1988pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.2W (Ta), 68W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음16,086
NVTFS4C06NTAG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 71A U8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 26nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1683pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 37W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음6,426
NVTFS4C06NTWG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 71A U8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 26nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1683pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 37W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음3,294
NVTFS4C06NWFTAG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 71A U8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 26nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1683pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 37W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음7,776
NVTFS4C06NWFTWG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 71A U8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 26nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1683pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 37W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음5,040
NVTFS4C08NTAG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 55A U8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18.2nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1113pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 31W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음3,330
NVTFS4C08NTWG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 55A U8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18.2nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1113pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 31W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음7,128
NVTFS4C08NWFTAG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 55A U8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18.2nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1113pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 31W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음4,122
NVTFS4C08NWFTWG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 55A U8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18.2nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1113pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 31W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음8,118
NVTFS4C10NTAG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 44A U8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15.3A (Ta), 47A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19.3nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 993pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3W (Ta), 28W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음4,482
NVTFS4C10NWFTAG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 15.3A U8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15.3A (Ta), 47A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19.3nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 993pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3W (Ta), 28W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음3,598
NVTFS4C13NTAG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 40A U8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15.2nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 770pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3W (Ta), 26W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음4,806
NVTFS4C13NTWG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 40A U8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15.2nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 770pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3W (Ta), 26W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음8,496
NVTFS4C13NWFTAG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 40A U8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15.2nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 770pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3W (Ta), 26W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음6,012
NVTFS4C13NWFTWG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 40A U8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15.2nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 770pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3W (Ta), 26W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음8,424
NVTFS4C25NTAG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 27A U8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.1A (Ta), 22.1A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.3nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 500pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3W (Ta), 14.3W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음7,578
NVTFS4C25NWFTAG ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 10.1A U8FL 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.1A (Ta), 22.1A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.3nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 500pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3W (Ta), 14.3W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음12,876

NVTFS005N04CTAG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

T6 40V SG NCH U8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Ta), 69A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 40µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1000pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음8,172

NVTFS008N04CTAG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

T6 40V SG NCH U8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Ta), 48A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 30µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 625pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 38W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음7,290

NVTFS010N10MCLTAG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

PTNG 100V

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.7A (Ta), 57.8 (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 85µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2150pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.2W (Ta), 77.8W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음3,418

NVTFS015N04CTAG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 27A

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.4A (Ta), 27A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17.3mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 20µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.3nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 325pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.9W (Ta), 23W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음8,694

NVTFS4823NTAG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 13A 8WDFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 750pF @ 12V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 21W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음4,626

NVTFS4823NTWG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 13A 8WDFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 750pF @ 12V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 21W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음6,480

NVTFS4823NWFTAG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 30A U8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 750pF @ 12V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 21W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음12,252

NVTFS4823NWFTWG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 30A U8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 750pF @ 12V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 21W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음3,564

NVTFS4824NTAG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 18.2A 8WDFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18.2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 23A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1740pF @ 12V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.2W (Ta), 21W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음13,536

NVTFS4824NTWG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 18.2A 8WDFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18.2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 23A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1740pF @ 12V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.2W (Ta), 21W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음3,294

NVTFS4824NWFTAG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 69A U8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18.2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 23A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1740pF @ 12V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.2W (Ta), 21W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음6,696

NVTFS4824NWFTWG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 69A U8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18.2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 23A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1740pF @ 12V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.2W (Ta), 21W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음3,528

NVTFS4C05NTAG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 75A U8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Ta), 102A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 31nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1988pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.2W (Ta), 68W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음12,420

NVTFS4C05NWFTAG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 22A U8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Ta), 102A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 31nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1988pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.2W (Ta), 68W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음16,086

NVTFS4C06NTAG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 71A U8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1683pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 37W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음6,426

NVTFS4C06NTWG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 71A U8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1683pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 37W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음3,294

NVTFS4C06NWFTAG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 71A U8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1683pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 37W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음7,776

NVTFS4C06NWFTWG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 71A U8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1683pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 37W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음5,040

NVTFS4C08NTAG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 55A U8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18.2nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1113pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 31W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음3,330

NVTFS4C08NTWG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 55A U8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18.2nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1113pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 31W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음7,128

NVTFS4C08NWFTAG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 55A U8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18.2nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1113pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 31W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음4,122

NVTFS4C08NWFTWG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 55A U8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18.2nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1113pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 31W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음8,118

NVTFS4C10NTAG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 44A U8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15.3A (Ta), 47A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19.3nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 993pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3W (Ta), 28W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음4,482

NVTFS4C10NWFTAG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 15.3A U8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15.3A (Ta), 47A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19.3nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 993pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3W (Ta), 28W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음3,598

NVTFS4C13NTAG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 40A U8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15.2nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 770pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3W (Ta), 26W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음4,806

NVTFS4C13NTWG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 40A U8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15.2nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 770pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3W (Ta), 26W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음8,496

NVTFS4C13NWFTAG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 40A U8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15.2nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 770pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3W (Ta), 26W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음6,012

NVTFS4C13NWFTWG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 40A U8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15.2nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 770pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3W (Ta), 26W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음8,424

NVTFS4C25NTAG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 27A U8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.1A (Ta), 22.1A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.3nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 500pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3W (Ta), 14.3W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음7,578

NVTFS4C25NWFTAG

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 10.1A U8FL

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.1A (Ta), 22.1A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.3nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 500pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3W (Ta), 14.3W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-WDFN (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음12,876

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