트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
SI6466ADQ-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 6.8A 8TSSOP 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.8A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 8.1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 450mV @ 250µA (Min) 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.05W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)	재고 있음2,502
SI6467BDQ-T1-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 12V 6.8A 8-TSSOP 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.8A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 8A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 850mV @ 450µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 70nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.05W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)	재고 있음8,748
SI6467BDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 12V 6.8A 8TSSOP 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.8A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 8A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 850mV @ 450µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 70nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.05W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)	재고 있음5,454
SI6469DQ-T1-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 8V 8TSSOP 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 8V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 450mV @ 250µA (Min) 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.5W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)	재고 있음5,400
SI6469DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 8V 8TSSOP 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 8V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 450mV @ 250µA (Min) 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.5W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)	재고 있음4,608
SI6473DQ-T1-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 9.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 450mV @ 250µA (Min) 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 70nC @ 5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.08W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)	재고 있음6,282
SI6473DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 9.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 450mV @ 250µA (Min) 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 70nC @ 5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.08W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)	재고 있음7,236
SI7100DN-T1-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 8V 35A 1212-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 8V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 15A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 105nC @ 8V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3810pF @ 4V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.8W (Ta), 52W (Tc) 작동 온도: -50°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8 패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8	재고 있음3,762
SI7100DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 8V 35A PPAK 1212-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 8V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 15A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 105nC @ 8V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3810pF @ 4V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.8W (Ta), 52W (Tc) 작동 온도: -50°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8 패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8	재고 있음6,462
SI7101DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 102nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3595pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.7W (Ta), 52W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8 패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8	재고 있음134,202
SI7102DN-T1-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 110nC @ 8V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3720pF @ 6V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.8W (Ta), 52W (Tc) 작동 온도: -50°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8 패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8	재고 있음3,834
SI7102DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 12V 35A 1212-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 110nC @ 8V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3720pF @ 6V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.8W (Ta), 52W (Tc) 작동 온도: -50°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8 패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8	재고 있음5,454
SI7104DN-T1-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 26.1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 70nC @ 10V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2800pF @ 6V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.8W (Ta), 52W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8 패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8	재고 있음3,564
SI7104DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 26.1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 70nC @ 10V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2800pF @ 6V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.8W (Ta), 52W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8 패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8	재고 있음8,082
SI7106DN-T1-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 12.5A 1212-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 19.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.5W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8 패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8	재고 있음2,934
SI7106DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 12.5A 1212-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 19.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.5W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8 패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8	재고 있음7,632
SI7107DN-T1-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.8A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 15.3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 450µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 44nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.5W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8 패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8	재고 있음6,678
SI7107DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.8A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 15.3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 450µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 44nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.5W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8 패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8	재고 있음3,798
SI7108DN-T1-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 14A 1212-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 22A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 4.5V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.5W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8 패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8	재고 있음2,268
SI7108DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 14A 1212-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 22A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 4.5V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.5W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8 패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8	재고 있음24,840
SI7110DN-T1-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 13.5A 1212-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 21.1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.5W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8 패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8	재고 있음26,082
SI7110DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 13.5A 1212-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 21.1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.5W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8 패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8	재고 있음7,308
SI7111EDN-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 60A POWERPAK1212 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® Gen III FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.55mOhm @ 15A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.6V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 46nC @ 2.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5860pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 52W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8 패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8	재고 있음8,892
SI7112DN-T1-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 11.3A 1212-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.3A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 17.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2610pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.5W (Ta) 작동 온도: -50°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8 패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8	재고 있음6,642
SI7112DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 11.3A 1212-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.3A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 17.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2610pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.5W (Ta) 작동 온도: -50°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8 패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8	재고 있음57,576
SI7113ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 100V 10.8A 1212-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.8A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 132mOhm @ 3.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16.5nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 515pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 27.8W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8 패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8	재고 있음3,580
SI7113DN-T1-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 100V 13.2A 1212-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13.2A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 55nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1480pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.7W (Ta), 52W (Tc) 작동 온도: -50°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8 패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8	재고 있음26,706
SI7113DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 100V 13.2A 1212-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13.2A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 55nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1480pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.7W (Ta), 52W (Tc) 작동 온도: -50°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8 패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8	재고 있음279,378
SI7114ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 18A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 32nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1230pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.7W (Ta), 39W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8 패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8	재고 있음2,214
SI7114DN-T1-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 11.7A 1212-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.7A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 18.3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.5W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8 패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8	재고 있음27,162

SI6466ADQ-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 6.8A 8TSSOP

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.8A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 8.1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.05W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-TSSOP
패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

재고 있음2,502

SI6467BDQ-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 12V 6.8A 8-TSSOP

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.8A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 8A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 850mV @ 450µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 70nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.05W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-TSSOP
패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

재고 있음8,748

SI6467BDQ-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 12V 6.8A 8TSSOP

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.8A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 8A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 850mV @ 450µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 70nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.05W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-TSSOP
패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

재고 있음5,454

SI6469DQ-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 8V 8TSSOP

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 8V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.5W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-TSSOP
패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

재고 있음5,400

SI6469DQ-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 8V 8TSSOP

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 8V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.5W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-TSSOP
패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

재고 있음4,608

SI6473DQ-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 9.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 70nC @ 5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.08W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-TSSOP
패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

재고 있음6,282

SI6473DQ-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 9.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 70nC @ 5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.08W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-TSSOP
패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

재고 있음7,236

SI7100DN-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 8V 35A 1212-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 8V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 105nC @ 8V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3810pF @ 4V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
작동 온도: -50°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8
패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8

재고 있음3,762

SI7100DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 8V 35A PPAK 1212-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 8V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 105nC @ 8V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3810pF @ 4V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
작동 온도: -50°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8
패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8

재고 있음6,462

SI7101DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 102nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3595pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8
패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8

재고 있음134,202

SI7102DN-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 110nC @ 8V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3720pF @ 6V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
작동 온도: -50°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8
패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8

재고 있음3,834

SI7102DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 12V 35A 1212-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 110nC @ 8V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3720pF @ 6V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
작동 온도: -50°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8
패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8

재고 있음5,454

SI7104DN-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 26.1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 70nC @ 10V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2800pF @ 6V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8
패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8

재고 있음3,564

SI7104DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 26.1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 70nC @ 10V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2800pF @ 6V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8
패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8

재고 있음8,082

SI7106DN-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 12.5A 1212-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 19.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.5W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8
패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8

재고 있음2,934

SI7106DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 12.5A 1212-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 19.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.5W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8
패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8

재고 있음7,632

SI7107DN-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.8A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 15.3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 450µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 44nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.5W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8
패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8

재고 있음6,678

SI7107DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.8A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 15.3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 450µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 44nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.5W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8
패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8

재고 있음3,798

SI7108DN-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 14A 1212-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 22A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.5W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8
패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8

재고 있음2,268

SI7108DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 14A 1212-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 22A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.5W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8
패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8

재고 있음24,840

SI7110DN-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 13.5A 1212-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 21.1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.5W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8
패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8

재고 있음26,082

SI7110DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 13.5A 1212-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 21.1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.5W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8
패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8

재고 있음7,308

SI7111EDN-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 60A POWERPAK1212

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET® Gen III
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.55mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.6V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 46nC @ 2.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5860pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 52W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8
패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8

재고 있음8,892

SI7112DN-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 11.3A 1212-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.3A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 17.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2610pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.5W (Ta)
작동 온도: -50°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8
패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8

재고 있음6,642

SI7112DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 11.3A 1212-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.3A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 17.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2610pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.5W (Ta)
작동 온도: -50°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8
패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8

재고 있음57,576

SI7113ADN-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 100V 10.8A 1212-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.8A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 132mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16.5nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 515pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 27.8W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8
패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8

재고 있음3,580

SI7113DN-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 100V 13.2A 1212-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13.2A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 55nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1480pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
작동 온도: -50°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8
패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8

재고 있음26,706

SI7113DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 100V 13.2A 1212-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13.2A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 55nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1480pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
작동 온도: -50°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8
패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8

재고 있음279,378

SI7114ADN-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1230pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.7W (Ta), 39W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8
패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8

재고 있음2,214

SI7114DN-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 11.7A 1212-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.7A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 18.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.5W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8
패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8

재고 있음27,162

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