트랜지스터

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Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 4.5A SC-70-6

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: TrenchFET®
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.2A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): ±12V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.9W (Ta), 15.6W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SC-70-6 Single
• 패키지 / 케이스: PowerPAK® SC-70-6

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Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 4.5A SC70-6

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: TrenchFET®
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23.6mOhm @ 9.9A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 10V
• Vgs (최대): ±12V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1020pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SC-70-6 Single
• 패키지 / 케이스: PowerPAK® SC-70-6

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Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 8V 12A 6SC-70

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: TrenchFET®
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 8V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.2V, 4.5V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.2A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 800mV @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 50nC @ 5V
• Vgs (최대): ±5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2300pF @ 4V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 19W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SC-70-6 Single
• 패키지 / 케이스: PowerPAK® SC-70-6

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트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 8V 12A SC-70-6

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: TrenchFET®
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 8V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.2V, 4.5V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.2A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 800mV @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 50nC @ 5V
• Vgs (최대): ±5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2300pF @ 4V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SC-70-6 Single
• 패키지 / 케이스: PowerPAK® SC-70-6

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트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 12A SC-70

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: TrenchFET®
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 6A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 62nC @ 8V
• Vgs (최대): ±8V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1750pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SC-70-6 Single
• 패키지 / 케이스: PowerPAK® SC-70-6

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트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: TrenchFET®
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 7A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 800pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SC-70-6 Single
• 패키지 / 케이스: PowerPAK® SC-70-6

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트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V SC-70-6

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: TrenchFET®
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta), 12A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 7A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 800pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SC-70-6 Single
• 패키지 / 케이스: PowerPAK® SC-70-6

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트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 7A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 800pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 19.2W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SC-70-6 Single
• 패키지 / 케이스: PowerPAK® SC-70-6

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트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 12A SC-70-6

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: TrenchFET®
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta), 12A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 7A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 800pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SC-70-6 Single
• 패키지 / 케이스: PowerPAK® SC-70-6

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트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: TrenchFET®
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.5A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 850mV @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 60nC @ 8V
• Vgs (최대): ±8V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1700pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SC-70-6 Single
• 패키지 / 케이스: PowerPAK® SC-70-6

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트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: TrenchFET®
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 800pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SC-70-6 Single
• 패키지 / 케이스: PowerPAK® SC-70-6

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트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 12A SC-70-6

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: TrenchFET®
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.6A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 75nC @ 8V
• Vgs (최대): ±12V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SC-70-6 Single
• 패키지 / 케이스: PowerPAK® SC-70-6

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트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 8V 12A SC70-6L

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: TrenchFET®
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 8V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.2V, 4.5V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 15.7A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 800mV @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25.2nC @ 5V
• Vgs (최대): ±5V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1508pF @ 4V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SC-70-6 Single
• 패키지 / 케이스: PowerPAK® SC-70-6

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트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 29.7A SC70-6

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: TrenchFET®
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 29.7A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 8A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 90nC @ 8V
• Vgs (최대): ±8V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2340pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
• 작동 온도: -50°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SC-70-6 Single
• 패키지 / 케이스: PowerPAK® SC-70-6

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Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 6A PPAK SC70-6L

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: TrenchFET®
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3.9A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 10V
• Vgs (최대): ±12V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 350pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.4W (Ta), 11.4W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SC-70-6 Single
• 패키지 / 케이스: PowerPAK® SC-70-6

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SIA439EDJ-T1-GE3

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트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 28A SC-70-6L

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: TrenchFET®
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 28A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 5A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 69nC @ 8V
• Vgs (최대): ±8V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2410pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
• 작동 온도: -50°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SC-70-6 Single
• 패키지 / 케이스: PowerPAK® SC-70-6

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트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 12A SC-70

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: TrenchFET®
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 9A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21.5nC @ 10V
• Vgs (최대): ±12V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 700pF @ 20V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SC-70-6 Single
• 패키지 / 케이스: PowerPAK® SC-70-6

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트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 40V 12A SC-70

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: TrenchFET®
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.4A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 890pF @ 20V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 19W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SC-70-6 Single
• 패키지 / 케이스: PowerPAK® SC-70-6

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트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 9A SC70-6

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: TrenchFET®
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.7A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 8V
• Vgs (최대): ±8V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 750pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 3.3W (Ta), 15W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SC-70-6 Single
• 패키지 / 케이스: PowerPAK® SC-70-6

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트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 9A SC70-6

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: TrenchFET®
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.7A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 8V
• Vgs (최대): ±8V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 750pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 3.3W (Ta), 15W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SC-70-6 Single
• 패키지 / 케이스: PowerPAK® SC-70-6

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Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 12A SC-70

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: TrenchFET®
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.4A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 560pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SC-70-6 Single
• 패키지 / 케이스: PowerPAK® SC-70-6

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트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V SMD

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: TrenchFET®
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Ta), 12A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.4A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 560pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SC-70-6 Single
• 패키지 / 케이스: PowerPAK® SC-70-6

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트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 12A SC-70

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: TrenchFET®
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 7A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 72nC @ 10V
• Vgs (최대): ±12V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2130pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SC-70-6 Single
• 패키지 / 케이스: PowerPAK® SC-70-6

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트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: -
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16.7mOhm @ 7A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 69nC @ 10V
• Vgs (최대): ±12V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2180pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 19W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SC-70-6 Single
• 패키지 / 케이스: PowerPAK® SC-70-6

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트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 150V 7.7A SC70-6L

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: ThunderFET®
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.7A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 177mOhm @ 3A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 230pF @ 75V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SC-70-6 Single
• 패키지 / 케이스: PowerPAK® SC-70-6

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Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 12V 12A SC-70-6L

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: TrenchFET®
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 7A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 850mV @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 80nC @ 8V
• Vgs (최대): ±8V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2880pF @ 6V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 19W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SC-70-6 Single
• 패키지 / 케이스: PowerPAK® SC-70-6

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트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6L

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: TrenchFET®
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 12.4A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 8V
• Vgs (최대): ±8V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1380pF @ 1V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SC-70-6 Single
• 패키지 / 케이스: PowerPAK® SC-70-6

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SIA449DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: TrenchFET®
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 72nC @ 10V
• Vgs (최대): ±12V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2140pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 3.5W (Ta), 19W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SC-70-6 Single
• 패키지 / 케이스: PowerPAK® SC-70-6

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Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 240V 1.52A SC70-6

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: TrenchFET®
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 240V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.52A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.9Ohm @ 700mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.04nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 167pF @ 120V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 3.3W (Ta), 15W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SC-70-6 Single
• 패키지 / 케이스: PowerPAK® SC-70-6

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Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 240V 1.52A SC70-6

• 제조업체: Vishay Siliconix
• 시리즈: TrenchFET®
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 240V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.52A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.9Ohm @ 700mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.04nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 167pF @ 120V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 3.3W (Ta), 15W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SC-70-6 Single
• 패키지 / 케이스: PowerPAK® SC-70-6

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