트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
SIRC16DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® Gen IV FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 0.96mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 48nC @ 4.5V Vgs (최대): +20V, -16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5150pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 54.3W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8	재고 있음28,200
SIRC18DP-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 60A POWERPAKSO-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® Gen IV FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 111nC @ 10V Vgs (최대): +20V, -16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5060pF @ 15V FET 기능: Schottky Diode (Body) 전력 손실 (최대): 54.3W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8 패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8	재고 있음27,414
SIS106DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CHAN 60V POWERPAK 1212- 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® Gen IV FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.8A (Ta), 16A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 7.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13.5nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 540pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.2W (Ta), 24W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8S	재고 있음26,580
SIS108DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 80V PPAK 1212-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® Gen IV FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.7A (Ta), 16A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 7.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 545pF @ 40V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.2W (Ta), 24W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8 패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8	재고 있음2,070
SIS110DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK 1212 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® Gen IV FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.2A (Ta), 14.2A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 7.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 550pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.2W (Ta), 24W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8 패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8	재고 있음8,280
SIS126DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 80V PP 1212-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® Gen IV FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta), 45.1A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 7.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 32nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1402pF @ 40V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.7W (Ta), 52W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8 패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8	재고 있음6,228
SIS128LDN-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 80V PP 1212-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: * FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음4,824
SIS184DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CHAN 60V POWERPAK 1212- 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® Gen IV FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17.4A (Ta), 65.3A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 7.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 32nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1490pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.7W (Ta), 52W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8S 패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8S	재고 있음26,010
SIS322DNT-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 38.3A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21.5nC @ 10V Vgs (최대): +20V, -16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1000pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8 패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8	재고 있음6,696
SIS330DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1300pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.7W (Ta), 52W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8 패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8	재고 있음7,974
SIS334DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 640pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.8W (Ta), 50W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8 패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8	재고 있음3,186
SIS402DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 19A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 42nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1700pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.8W (Ta), 52W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8 패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8	재고 있음2,952
SIS406DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 9A 1212-8 PPAK 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 28nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1100pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.5W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8 패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8	재고 있음3,276
SIS407ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 18A 1212-8 PPAK 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 168nC @ 8V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5875pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.7W (Ta), 39.1W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8 패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8	재고 있음22,128
SIS407DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 25A 1212-8 PPAK 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15.3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 93.8nC @ 8V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2760pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.6W (Ta), 33W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8 패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8	재고 있음100,962
SIS410DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 41nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1600pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.8W (Ta), 52W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8 패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8	재고 있음1,426,842
SIS412DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8 PPAK 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 435pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.2W (Ta), 15.6W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8 패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8	재고 있음362,622
SIS413DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 110nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4280pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.7W (Ta), 52W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8 패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8	재고 있음313,200
SIS414DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8 PPAK 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33nC @ 10V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 795pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.4W (Ta), 31W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8 패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8	재고 있음3,400
SIS415DNT-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 180nC @ 10V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5460pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.7W (Ta), 52W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8 패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8	재고 있음2,142
SIS424DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 19.6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1200pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.7W (Ta), 39W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8 패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8	재고 있음3,438
SIS426DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 35A 1212-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 42nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1570pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.7W (Ta), 52W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8 패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8	재고 있음6,678
SIS427EDN-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 50A 1212-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 66nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1930pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.7W (Ta), 52W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8 패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8	재고 있음24,390
SIS429DNT-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 20A POWERPAK1212 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 50nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1350pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 27.8W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8 패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8	재고 있음8,802
SIS430DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 35A PPAK 1212-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1600pF @ 12.5V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.8W (Ta), 52W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8 패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8	재고 있음8,982
SIS434DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 35A PPAK 1212-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 16.2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1530pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.8W (Ta), 52W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8 패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8	재고 있음232,914
SIS435DNT-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 30A 1212-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 13A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 180nC @ 8V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5700pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.7W (Ta), 39W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8 패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8	재고 있음27,648
SIS436DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 16A PPAK 1212-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 855pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.5W (Ta), 27.7W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8 패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8	재고 있음8,244
SIS438DN-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 16A PPAK 1212-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 880pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.5W (Ta), 27.7W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8 패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8	재고 있음5,706
SIS439DNT-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 50A 1212-8 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 68nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2135pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.8W (Ta), 52.1W (Tc) 작동 온도: -50°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8S	재고 있음25,086

SIRC16DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET® Gen IV
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 0.96mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 48nC @ 4.5V
Vgs (최대): +20V, -16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5150pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 54.3W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8
패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8

재고 있음28,200

SIRC18DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 60A POWERPAKSO-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET® Gen IV
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 111nC @ 10V
Vgs (최대): +20V, -16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5060pF @ 15V
FET 기능: Schottky Diode (Body)
전력 손실 (최대): 54.3W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerPAK® SO-8
패키지 / 케이스: PowerPAK® SO-8

재고 있음27,414

SIS106DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHAN 60V POWERPAK 1212-

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET® Gen IV
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.8A (Ta), 16A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 7.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13.5nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 540pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.2W (Ta), 24W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8S

재고 있음26,580

SIS108DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 80V PPAK 1212-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET® Gen IV
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.7A (Ta), 16A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 7.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 545pF @ 40V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.2W (Ta), 24W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8
패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8

재고 있음2,070

SIS110DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK 1212

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET® Gen IV
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.2A (Ta), 14.2A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 7.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 550pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.2W (Ta), 24W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8
패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8

재고 있음8,280

SIS126DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 80V PP 1212-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET® Gen IV
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta), 45.1A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 7.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1402pF @ 40V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8
패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8

재고 있음6,228

SIS128LDN-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 80V PP 1212-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: *
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음4,824

SIS184DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHAN 60V POWERPAK 1212-

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET® Gen IV
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17.4A (Ta), 65.3A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 7.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1490pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8S
패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8S

재고 있음26,010

SIS322DNT-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 38.3A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21.5nC @ 10V
Vgs (최대): +20V, -16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1000pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8
패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8

재고 있음6,696

SIS330DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1300pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8
패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8

재고 있음7,974

SIS334DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 640pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.8W (Ta), 50W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8
패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8

재고 있음3,186

SIS402DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 19A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1700pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8
패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8

재고 있음2,952

SIS406DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 9A 1212-8 PPAK

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 28nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1100pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.5W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8
패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8

재고 있음3,276

SIS407ADN-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 18A 1212-8 PPAK

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 168nC @ 8V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5875pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.7W (Ta), 39.1W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8
패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8

재고 있음22,128

SIS407DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 25A 1212-8 PPAK

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15.3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 93.8nC @ 8V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2760pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.6W (Ta), 33W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8
패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8

재고 있음100,962

SIS410DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 41nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1600pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8
패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8

재고 있음1,426,842

SIS412DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8 PPAK

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 435pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.2W (Ta), 15.6W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8
패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8

재고 있음362,622

SIS413DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 110nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4280pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8
패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8

재고 있음313,200

SIS414DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8 PPAK

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 795pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.4W (Ta), 31W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8
패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8

재고 있음3,400

SIS415DNT-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 180nC @ 10V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5460pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8
패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8

재고 있음2,142

SIS424DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 19.6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1200pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.7W (Ta), 39W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8
패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8

재고 있음3,438

SIS426DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 35A 1212-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1570pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8
패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8

재고 있음6,678

SIS427EDN-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 50A 1212-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 66nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1930pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8
패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8

재고 있음24,390

SIS429DNT-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 20A POWERPAK1212

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1350pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 27.8W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8
패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8

재고 있음8,802

SIS430DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 35A PPAK 1212-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1600pF @ 12.5V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8
패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8

재고 있음8,982

SIS434DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 35A PPAK 1212-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 16.2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1530pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8
패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8

재고 있음232,914

SIS435DNT-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 30A 1212-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 13A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 180nC @ 8V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5700pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.7W (Ta), 39W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8
패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8

재고 있음27,648

SIS436DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 16A PPAK 1212-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 855pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.5W (Ta), 27.7W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8
패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8

재고 있음8,244

SIS438DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 16A PPAK 1212-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 880pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.5W (Ta), 27.7W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8
패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8

재고 있음5,706

SIS439DNT-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 50A 1212-8

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 68nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2135pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.8W (Ta), 52.1W (Tc)
작동 온도: -50°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: PowerPAK® 1212-8S

재고 있음25,086

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