트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
SN7002NH6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: Automotive, AEC-Q101, SIPMOS® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 26µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.5nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 45pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 360mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음6,012
SN7002NH6327XTSA2 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: Automotive, AEC-Q101, SIPMOS® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 26µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.5nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 45pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 360mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음151,632
SN7002NH6433XTMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 26µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.5nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 45pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 360mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음4,536
SN7002N L6327 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 26µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.5nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 45pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 360mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음7,308
SN7002NL6433HTMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 26µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.5nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 45pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 360mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음2,934
SN7002W E6327 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-323 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 230mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 230mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 26µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.5nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 45pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT323-3 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323	재고 있음7,938
SN7002W E6433 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-323 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 230mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 230mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 26µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.5nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 45pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT323-3 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323	재고 있음5,400
SN7002WH6327XTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-323 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 230mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 230mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 26µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.5nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 45pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT323-3 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323	재고 있음6,282
SN7002WH6433XTMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-323 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음7,200
SN7002W L6327 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-323 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 230mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 230mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 26µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.5nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 45pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT323-3 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323	재고 있음3,546
SN7002W L6433 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-323 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 230mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 230mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 26µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.5nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 45pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT323-3 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323	재고 있음5,958
SPA02N80C3XKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 800V 2A TO-220 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 120µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 290pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 30.5W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-FP 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음9,780
SPA03N60C3XKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V 3.2A TO-220 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.2A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 135µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 400pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 29.7W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-FP 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음4,374
SPA04N50C3XKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 560V 4.5A TO220FP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 560V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 200µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 470pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 31W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-FP 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음6,858
SPA04N60C3XKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V 4.5A TO220FP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 200µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 490pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 31W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-FP 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음6,156
SPA04N80C3XKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 800V 4A TO220FP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 240µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 31nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 570pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 38W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-FP 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음5,616
SPA06N60C3XKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V 6.2A TO-220 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.2A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 3.9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 260µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 31nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 620pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 32W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-FP 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음5,742
SPA06N80C3XKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 800V 6A TO220FP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 41nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 785pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 39W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-FP 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음105,930
SPA07N60C3XKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-220 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.3A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 790pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 32W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-FP 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음6,228
SPA07N60CFDXKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V 6.6A TO220-FP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.6A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 4.6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 300µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 47nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 790pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 32W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-FP 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음4,122
SPA07N65C3XKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-220 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.3A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 350µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 790pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 32W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-FP 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음6,768
SPA08N50C3XKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 560V 7.6A TO220FP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 560V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.6A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 350µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 32nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 750pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 32W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-FP 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음8,118
SPA08N80C3XKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 800V 8A TO220FP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 5.1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 470µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 60nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1100pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 40W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-FP 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음22,308
SPA11N60C3IN Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V 11A TO220FP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 500µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 60nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1200pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 33W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3-31 Full Pack 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음3,780
SPA11N60C3XKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 500µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 60nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1200pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 33W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3-31 Full Pack 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음3,400
SPA11N60CFDXKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1.9mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 64nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1200pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 33W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음3,330
SPA11N65C3XKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V 11A TO-220 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 500µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 60nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1200pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 33W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-FP 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음8,928
SPA11N80C3XKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 800V 11A TO220FP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 680µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 85nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1600pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 34W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-FP 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음35,442
SPA11N80C3XKSA2 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 800V 11A TO220 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 680µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 85nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1600pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 34W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3 Isolated Tab	재고 있음2,880
SPA12N50C3XKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 560V 11.6A TO220FP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 560V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.6A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 500µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 49nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1200pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 33W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-FP 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음6,192

SN7002NH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: Automotive, AEC-Q101, SIPMOS®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 26µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.5nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 45pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 360mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음6,012

SN7002NH6327XTSA2

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: Automotive, AEC-Q101, SIPMOS®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 26µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.5nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 45pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 360mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음151,632

SN7002NH6433XTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 26µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.5nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 45pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 360mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음4,536

SN7002N L6327

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 26µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.5nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 45pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 360mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음7,308

SN7002NL6433HTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 26µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.5nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 45pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 360mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-3
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음2,934

SN7002W E6327

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-323

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 230mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 230mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 26µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.5nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 45pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT323-3
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323

재고 있음7,938

SN7002W E6433

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-323

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 230mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 230mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 26µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.5nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 45pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT323-3
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323

재고 있음5,400

SN7002WH6327XTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-323

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 230mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 230mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 26µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.5nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 45pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT323-3
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323

재고 있음6,282

SN7002WH6433XTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-323

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: *
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음7,200

SN7002W L6327

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-323

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 230mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 230mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 26µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.5nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 45pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT323-3
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323

재고 있음3,546

SN7002W L6433

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-323

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 230mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 230mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 26µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.5nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 45pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT323-3
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323

재고 있음5,958

SPA02N80C3XKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 2A TO-220

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 120µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 290pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 30.5W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-FP
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음9,780

SPA03N60C3XKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 3.2A TO-220

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.2A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 135µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 400pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 29.7W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-FP
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음4,374

SPA04N50C3XKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 560V 4.5A TO220FP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 560V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 200µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 470pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 31W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-FP
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음6,858

SPA04N60C3XKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 4.5A TO220FP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 200µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 490pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 31W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-FP
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음6,156

SPA04N80C3XKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 4A TO220FP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 240µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 31nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 570pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 38W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-FP
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음5,616

SPA06N60C3XKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 6.2A TO-220

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.2A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 3.9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 260µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 31nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 620pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 32W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-FP
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음5,742

SPA06N80C3XKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 6A TO220FP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 41nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 785pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 39W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-FP
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음105,930

SPA07N60C3XKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-220

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.3A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 790pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 32W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-FP
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음6,228

SPA07N60CFDXKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 6.6A TO220-FP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.6A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 300µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 47nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 790pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 32W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-FP
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음4,122

SPA07N65C3XKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-220

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.3A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 350µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 790pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 32W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-FP
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음6,768

SPA08N50C3XKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 560V 7.6A TO220FP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 560V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.6A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 350µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 750pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 32W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-FP
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음8,118

SPA08N80C3XKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 8A TO220FP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 470µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 60nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1100pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 40W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-FP
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음22,308

SPA11N60C3IN

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 11A TO220FP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 500µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 60nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1200pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 33W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3-31 Full Pack
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음3,780

SPA11N60C3XKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 500µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 60nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1200pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 33W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3-31 Full Pack
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음3,400

SPA11N60CFDXKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1.9mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 64nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1200pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 33W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음3,330

SPA11N65C3XKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 11A TO-220

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 500µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 60nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1200pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 33W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-FP
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음8,928

SPA11N80C3XKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 11A TO220FP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 680µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 85nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1600pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 34W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-FP
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음35,442

SPA11N80C3XKSA2

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 11A TO220

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 680µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 85nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1600pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 34W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3 Isolated Tab

재고 있음2,880

SPA12N50C3XKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 560V 11.6A TO220FP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 560V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.6A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 500µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 49nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1200pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 33W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-FP
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음6,192

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