트랜지스터

STD95P3LLH6AG

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 80A DPAK

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: STripFET™ H6
• FET 유형: -
• 기술: -
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
• Vgs (th) (최대) @ Id: -
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): -
• 작동 온도: -
• 장착 유형: -
• 공급자 장치 패키지: -
• 패키지 / 케이스: -

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STD96N3LLH6

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 80A DPAK

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: DeepGATE™, STripFET™ VI
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 40A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2200pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 70W (Tc)
• 작동 온도: 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: DPAK
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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STD9HN65M2

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 5.5A DPAK

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: MDmesh™ M2
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 820mOhm @ 2.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11.5nC @ 10V
• Vgs (최대): ±25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 325pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 60W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: DPAK
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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STD9N40M2

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 400V 6A DPAK

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: MDmesh™ II Plus
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 400V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.8nC @ 10V
• Vgs (최대): ±25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 270pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 60W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: DPAK
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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STD9N60M2

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 5.5A DPAK

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: MDmesh™ II Plus
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 780mOhm @ 3A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 10V
• Vgs (최대): ±25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 320pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 60W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: DPAK
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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STD9N65M2

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 5A DPAK

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: MDmesh™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 10V
• Vgs (최대): ±25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 315pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 60W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: DPAK
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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STD9N80K5

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHANNEL 800V 7A DPAK

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: MDmesh™ K5
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 100µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 340pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 110W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: DPAK
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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STD9NM40N

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 400V 5.6A DPAK

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: MDmesh™ II
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 400V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.6A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 790mOhm @ 2.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 10V
• Vgs (최대): ±25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 365pF @ 50V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 60W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: DPAK
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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STD9NM50N

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 7.5A DPAK

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: MDmesh™ II
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 3.7A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V
• Vgs (최대): ±25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 570pF @ 50V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 45W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: DPAK
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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STD9NM50N-1

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 7.5A IPAK

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: MDmesh™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 3.7A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V
• Vgs (최대): ±25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 570pF @ 50V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 70W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: I-PAK
• 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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STD9NM60N

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 6.5A DPAK

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: MDmesh™ II
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 745mOhm @ 3.25A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17.4nC @ 10V
• Vgs (최대): ±25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 452pF @ 50V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 70W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: DPAK
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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STDLED524

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 525V 4A DPAK

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 525V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.6Ohm @ 2.2A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 50µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 340pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 45W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: DPAK
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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STDLED623

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 620V 3A DPAK

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 620V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.1A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 50µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15.5nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 350pF @ 50V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 45W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: DPAK
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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STDLED625

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 620V 5A DPAK

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 620V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2.1A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 50µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 890pF @ 50V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 70W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: DPAK
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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STDLED625H

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 620V 4.5A DPAK

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 620V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.9A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 50µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 560pF @ 50V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 70W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: DPAK
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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STDLED627

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 620V 7A DPAK

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 620V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.8A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 50µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 890pF @ 50V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 90W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: DPAK
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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STDLED656

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 6A DPAK

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2.7A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 50µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 34nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 895pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 70W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: DPAK
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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STDV3055L104T4G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 12A DPAK

• 제조업체: ON Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 6A, 5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 5V
• Vgs (최대): ±15V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 440pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 1.5W (Ta), 48W (Tj)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: DPAK
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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STE110NS20FD

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 110A ISOTOP

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: MESH OVERLAY™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 110A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 50A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 504nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7900pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 500W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Chassis Mount
• 공급자 장치 패키지: ISOTOP®
• 패키지 / 케이스: ISOTOP

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STE139N65M5

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

N-CHANNEL 650 V, 0.014 OHM TYP.,

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: MDmesh™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 130A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 65A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 363nC @ 10V
• Vgs (최대): ±25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 15600pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 672W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Chassis Mount
• 공급자 장치 패키지: ISOTOP
• 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

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STE140NF20D

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 140A ISOTOP

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: STripFET™ II
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 140A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 70A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 338nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 11100pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 500W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Chassis Mount
• 공급자 장치 패키지: ISOTOP
• 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

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STE145N65M5

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 143A ISOTOP

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: MDmesh™ V
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 143A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 69A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 414nC @ 10V
• Vgs (최대): ±25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 18500pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 679W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Chassis Mount
• 공급자 장치 패키지: ISOTOP®
• 패키지 / 케이스: ISOTOP

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STE180NE10

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 180A ISOTOP

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: STripFET™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 180A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 40A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 795nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 21000pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 360W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Chassis Mount
• 공급자 장치 패키지: ISOTOP®
• 패키지 / 케이스: ISOTOP

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STE250NS10

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 220A ISOTOP

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: STripFET™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 220A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 125A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 900nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 31000pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 500W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Chassis Mount
• 공급자 장치 패키지: ISOTOP®
• 패키지 / 케이스: ISOTOP

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STE26NA90

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 900V 26A ISOTOP

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 26A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 13A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.75V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 660nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1770pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 450W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Chassis Mount
• 공급자 장치 패키지: ISOTOP®
• 패키지 / 케이스: ISOTOP

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STE30NK90Z

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 900V 28A ISOTOP

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: SuperMESH™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 28A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 14A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 150µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 490nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12000pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 500W (Tc)
• 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Chassis Mount
• 공급자 장치 패키지: ISOTOP®
• 패키지 / 케이스: ISOTOP

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STE40NC60

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 40A ISOTOP

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: PowerMESH™ II
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 430nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 11100pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 460W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Chassis Mount
• 공급자 장치 패키지: ISOTOP®
• 패키지 / 케이스: ISOTOP

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STE40NK90ZD

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 900V 40A ISOTOP

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: SuperFREDmesh™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 150µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 826nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 25000pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 600W (Tc)
• 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Chassis Mount
• 공급자 장치 패키지: ISOTOP®
• 패키지 / 케이스: ISOTOP

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STE45NK80ZD

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 45A ISOTOP

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: SuperFREDmesh™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 45A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 22.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 150µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 781nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 26000pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 600W (Tc)
• 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Chassis Mount
• 공급자 장치 패키지: ISOTOP®
• 패키지 / 케이스: ISOTOP

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STE48NM50

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 550V 48A ISOTOP

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: MDmesh™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 550V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 48A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 24A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 117nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3700pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 450W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Chassis Mount
• 공급자 장치 패키지: ISOTOP®
• 패키지 / 케이스: ISOTOP

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