트랜지스터

STP170N8F7

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 80V 120A TO-220AB

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: STripFET™ F7
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 60A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 120nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8710pF @ 40V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 250W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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STP17N62K3

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 620V 15A TO-220

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: SuperMESH3™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 620V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15.5A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 100µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 94nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2500pF @ 50V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 190W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220AB
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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STP17N80K5

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHANNEL 800V 14A TO220

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: MDmesh™ K5
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 7A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 26nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 866pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 170W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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STP17NF25

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 250V 17A TO-220

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: STripFET™ II
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 8.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29.5nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1000pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 90W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220AB
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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STP17NK40Z

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 400V 15A TO-220

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: SuperMESH™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 400V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 100µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 65nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1900pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 150W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220AB
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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STP17NK40ZFP

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 400V 15A TO-220FP

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: SuperMESH™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 400V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 100µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 65nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1900pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 35W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220FP
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

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STP180N10F3

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 120A TO220

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: STripFET™ III
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 60A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 114.6nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6665pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 315W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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STP180N4F6

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHANNEL 40V 120A TO220

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: STripFET™ F6
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
• Vgs (th) (최대) @ Id: -
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 190W (Tc)
• 작동 온도: -
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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STP180N55F3

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 120A TO-220

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: STripFET™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 60A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 100nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6800pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 330W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220AB
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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STP180NS04ZC

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 33V 120A TO-220

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: SAFeFET™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 33V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 40A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 110nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4560pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 330W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220AB
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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STP185N10F3

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 120A TO220

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: STripFET™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 60A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 300W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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STP185N55F3

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 120A TO-220

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: STripFET™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 60A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 100nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6800pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 330W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220AB
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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STP18N55M5

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 550V 13A TO220AB

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: MDmesh™ V
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 550V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 192mOhm @ 8A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 31nC @ 10V
• Vgs (최대): ±25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1260pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 110W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220AB
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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STP18N60DM2

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 12A

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: MDmesh™ DM2
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 6A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V
• Vgs (최대): ±25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 800pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 90W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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STP18N60M2

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V TO-220

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: MDmesh™ II Plus
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21.5nC @ 10V
• Vgs (최대): ±25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 791pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 110W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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STP18N65M2

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 12A TO220

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: MDmesh™ M2
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 6A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V
• Vgs (최대): ±25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 770pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 110W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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STP18N65M5

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 15A TO-220

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: MDmesh™ V
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 7.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 31nC @ 10V
• Vgs (최대): ±25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1240pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 110W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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STP18NM60N

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 13A TO-220

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: MDmesh™ II
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 285mOhm @ 6.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 10V
• Vgs (최대): ±25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1000pF @ 50V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 110W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220AB
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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STP18NM60ND

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 13A TO-220

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: FDmesh™ II
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 34nC @ 10V
• Vgs (최대): ±25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1030pF @ 50V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 110W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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STP18NM80

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 17A TO-220

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: MDmesh™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 8.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 70nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2070pF @ 50V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 190W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220AB
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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STP190N55LF3

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 120A TO-220

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: STripFET™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 30A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 80nC @ 5V
• Vgs (최대): ±18V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6200pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 312W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220-3
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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STP19NB20

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 19A TO-220

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: PowerMESH™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 19A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 9.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1000pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 125W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220AB
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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STP19NF20

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 15A TO-220

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: MESH OVERLAY™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 7.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 800pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 90W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220AB
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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STP19NM50N

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 14A TO-220

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: MDmesh™ II
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 34nC @ 10V
• Vgs (최대): ±25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1000pF @ 50V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 110W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220AB
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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STP19NM65N

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 15.5A TO-220

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: MDmesh™ II
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15.5A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 7.75A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 55nC @ 10V
• Vgs (최대): ±25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1900pF @ 50V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 150W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220AB
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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STP1N105K3

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1050V 1.4A TO-220

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: SuperMESH3™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 1050V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.4A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 600mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 50µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 180pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 60W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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STP200N3LL

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

N-CHANNEL 30 V, 2 MOHM TYP., 120

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 60A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 53nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5200pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 176.5W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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STP200N4F3

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 120A TO-220

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: STripFET™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 80A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 75nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5100pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 300W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220-3
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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STP200N6F3

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 120A TO220

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: STripFET™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 60A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 100nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6800pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 330W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220AB
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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STP200NF03

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 120A TO-220

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: STripFET™ III
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 60A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 140nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4950pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 300W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220AB
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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