트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
TPH3206LSB Transphorm	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 GANFET N-CH 650V 16A PQFN 제조업체: Transphorm 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 8V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 500µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.2nC @ 4.5V Vgs (최대): ±18V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 720pF @ 480V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 81W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PQFN (8x8) 패키지 / 케이스: 3-PowerDFN	재고 있음6,192
TPH3206PD Transphorm	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 GANFET N-CH 600V 17A TO220 제조업체: Transphorm 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 8V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 500µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.3nC @ 4.5V Vgs (최대): ±18V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 760pF @ 480V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 96W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음9,192
TPH3206PS Transphorm	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 GANFET N-CH 600V 17A TO220 제조업체: Transphorm 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 8V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 500µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.3nC @ 4.5V Vgs (최대): ±18V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 760pF @ 480V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 96W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음8,118
TPH3206PSB Transphorm	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 GANFET N-CH 650V 16A TO220AB 제조업체: Transphorm 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 8V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 500µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.2nC @ 4.5V Vgs (최대): ±18V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 720pF @ 480V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 81W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음10,656
TPH3207WS Transphorm	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 GANFET N-CH 650V 50A TO247 제조업체: Transphorm 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 32A, 8V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.65V @ 700µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 42nC @ 8V Vgs (최대): ±18V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2197pF @ 400V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 178W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음7,320
TPH3208LD Transphorm	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 GANFET N-CH 650V 20A PQFN 제조업체: Transphorm 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13A, 8V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 300µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 8V Vgs (최대): ±18V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 760pF @ 400V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 96W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 4-PQFN (8x8) 패키지 / 케이스: 4-PowerDFN	재고 있음4,428
TPH3208LDG Transphorm	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 GANFET N-CH 650V 20A PQFN 제조업체: Transphorm 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13A, 8V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 300µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 8V Vgs (최대): ±18V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 760pF @ 400V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 96W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 3-PQFN (8x8) 패키지 / 케이스: 3-PowerDFN	재고 있음9,528
TPH3208LS Transphorm	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 GANFET N-CH 650V 20A PQFN 제조업체: Transphorm 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13A, 8V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 300µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 8V Vgs (최대): ±18V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 760pF @ 400V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 96W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 3-PQFN (8x8) 패키지 / 케이스: 3-PowerDFN	재고 있음5,778
TPH3208LSG Transphorm	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN 제조업체: Transphorm 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14A, 8V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 300µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 42nC @ 8V Vgs (최대): ±18V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 760pF @ 400V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 96W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 3-PQFN (8x8) 패키지 / 케이스: 3-PowerDFN	재고 있음6,960
TPH3208PD Transphorm	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 GANFET N-CH 650V 20A TO220 제조업체: Transphorm 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13A, 8V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 300µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 8V Vgs (최대): ±18V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 760pF @ 400V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 96W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음8,892
TPH3208PS Transphorm	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 GANFET N-CH 650V 20A TO220 제조업체: Transphorm 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13A, 8V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 300µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 8V Vgs (최대): ±18V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 760pF @ 400V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 96W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음7,416
TPH3212PS Transphorm	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 GANFET N-CH 650V 27A TO220 제조업체: Transphorm 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 27A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 17A, 8V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 400uA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 8V Vgs (최대): ±18V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1130pF @ 400V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 104W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음8,916
TPH3300CNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 150V 18A 8-SOP 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSVIII-H FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 300µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.6nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1100pF @ 75V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.6W (Ta), 57W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SOP Advance (5x5) 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음4,518
TPH3R003PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSIX-H FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 88A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 44A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 300µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 50nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3825pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 90W (Tc) 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SOP Advance (5x5) 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음22,296
TPH3R203NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 47A 8-SOP 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSVIII-H FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 47A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 23.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 300µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2100pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.6W (Ta), 44W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SOP Advance (5x5) 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음52,056
TPH3R704PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 92A TSON 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSIX-H FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 92A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 46A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 0.2mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2500pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 960mW (Ta), 81W (Tc) 작동 온도: 175°C 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SOP Advance (5x5) 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음947,442
TPH4R003NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 63A 8SOP 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSVIII-H FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 200µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14.8nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1400pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.6W (Ta), 36W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SOP Advance (5x5) 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음33,012
TPH4R008NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N CH 80V 60A SOP ADV 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSVIII-H FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 59nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5300pF @ 40V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.6W (Ta), 78W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SOP Advance (5x5) 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음8,496
TPH4R10ANL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSVIII-H FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 92A (Ta), 70A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 75nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6.3nF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 67W (Tc) 작동 온도: 150°C 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SOP Advance (5x5) 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음6,444
TPH4R50ANH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N CH 100V 60A SOP ADV 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSVIII-H FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 58nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5200pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.6W (Ta), 78W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SOP Advance (5x5) 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음7,578
TPH4R606NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N CH 60V 32A 8-SOP ADV 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSVIII-H FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 32A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 500µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 49nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3965pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.6W (Ta), 63W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SOP Advance (5x5) 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음5,076
TPH5200FNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 250V 26A SOP8 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSVIII-H FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 26A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2200pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 78W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SOP Advance (5x5) 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음3,924
TPH5900CNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 150V 9A 8SOP 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSVIII-H FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 200µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 600pF @ 75V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.6W (Ta), 42W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SOP Advance (5x5) 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음104,820
TPH5R906NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N CH 60V 28A 8-SOP ADV 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSVIII-H FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 28A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 300µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 38nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3100pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.6W (Ta), 57W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SOP Advance (5x5) 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음43,596
TPH6400ENH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 200V 21A 8-SOP 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSVIII-H FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 6.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 300µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11.2nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1100pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.6W (Ta), 57W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SOP Advance (5x5) 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음143,088
TPH6R003NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N CH 30V 38A 8SOP 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSVIII-H FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 38A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 19A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 200µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1400pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.6W (Ta), 34W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SOP Advance (5x5) 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음7,470
TPH6R004PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSIX-H FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 87A (Ta), 49A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 24.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 200µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2700pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.8W (Ta), 81W (Tc) 작동 온도: 175°C 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SOP Advance (5x5) 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음8,334
TPH6R30ANL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSVIII-H FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 66A (Ta), 45A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 22.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 500µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 55nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4300pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 54W (Tc) 작동 온도: 150°C 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SOP Advance (5x5) 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음4,986
TPH7R006PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSIX-H FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 200µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1875pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 81W (Tc) 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SOP Advance (5x5) 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음103,212
TPH7R204PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSIX-H FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 48A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 15A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 200µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2040pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 69W (Tc) 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SOP Advance (5x5) 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음51,822

TPH3206LSB

Transphorm

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

GANFET N-CH 650V 16A PQFN

제조업체: Transphorm
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 8V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 500µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.2nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±18V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 720pF @ 480V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 81W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PQFN (8x8)
패키지 / 케이스: 3-PowerDFN

재고 있음6,192

TPH3206PD

Transphorm

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

GANFET N-CH 600V 17A TO220

제조업체: Transphorm
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 8V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 500µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.3nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±18V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 760pF @ 480V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 96W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음9,192

TPH3206PS

Transphorm

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

GANFET N-CH 600V 17A TO220

제조업체: Transphorm
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 8V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 500µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.3nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±18V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 760pF @ 480V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 96W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음8,118

TPH3206PSB

Transphorm

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

GANFET N-CH 650V 16A TO220AB

제조업체: Transphorm
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 8V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 500µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.2nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±18V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 720pF @ 480V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 81W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음10,656

TPH3207WS

Transphorm

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

GANFET N-CH 650V 50A TO247

제조업체: Transphorm
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 32A, 8V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.65V @ 700µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 42nC @ 8V
Vgs (최대): ±18V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2197pF @ 400V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 178W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음7,320

TPH3208LD

Transphorm

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

GANFET N-CH 650V 20A PQFN

제조업체: Transphorm
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13A, 8V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 300µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 8V
Vgs (최대): ±18V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 760pF @ 400V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 96W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 4-PQFN (8x8)
패키지 / 케이스: 4-PowerDFN

재고 있음4,428

TPH3208LDG

Transphorm

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

GANFET N-CH 650V 20A PQFN

제조업체: Transphorm
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13A, 8V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 300µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 8V
Vgs (최대): ±18V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 760pF @ 400V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 96W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 3-PQFN (8x8)
패키지 / 케이스: 3-PowerDFN

재고 있음9,528

TPH3208LS

Transphorm

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

GANFET N-CH 650V 20A PQFN

제조업체: Transphorm
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13A, 8V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 300µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 8V
Vgs (최대): ±18V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 760pF @ 400V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 96W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 3-PQFN (8x8)
패키지 / 케이스: 3-PowerDFN

재고 있음5,778

TPH3208LSG

Transphorm

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN

제조업체: Transphorm
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14A, 8V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 300µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 42nC @ 8V
Vgs (최대): ±18V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 760pF @ 400V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 96W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 3-PQFN (8x8)
패키지 / 케이스: 3-PowerDFN

재고 있음6,960

TPH3208PD

Transphorm

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

GANFET N-CH 650V 20A TO220

제조업체: Transphorm
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13A, 8V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 300µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 8V
Vgs (최대): ±18V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 760pF @ 400V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 96W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음8,892

TPH3208PS

Transphorm

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

GANFET N-CH 650V 20A TO220

제조업체: Transphorm
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13A, 8V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 300µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 8V
Vgs (최대): ±18V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 760pF @ 400V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 96W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음7,416

TPH3212PS

Transphorm

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

GANFET N-CH 650V 27A TO220

제조업체: Transphorm
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 27A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 17A, 8V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 400uA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 8V
Vgs (최대): ±18V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1130pF @ 400V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 104W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음8,916

TPH3300CNH,L1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 150V 18A 8-SOP

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSVIII-H
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 150V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 300µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.6nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1100pF @ 75V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.6W (Ta), 57W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SOP Advance (5x5)
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음4,518

TPH3R003PL,LQ

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSIX-H
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 88A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 44A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 300µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3825pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 90W (Tc)
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SOP Advance (5x5)
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음22,296

TPH3R203NL,L1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 47A 8-SOP

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSVIII-H
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 47A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 23.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 300µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2100pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.6W (Ta), 44W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SOP Advance (5x5)
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음52,056

TPH3R704PL,L1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 92A TSON

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSIX-H
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 92A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 46A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 0.2mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2500pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 960mW (Ta), 81W (Tc)
작동 온도: 175°C
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SOP Advance (5x5)
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음947,442

TPH4R003NL,L1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 63A 8SOP

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSVIII-H
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 200µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14.8nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1400pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.6W (Ta), 36W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SOP Advance (5x5)
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음33,012

TPH4R008NH,L1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N CH 80V 60A SOP ADV

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSVIII-H
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 59nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5300pF @ 40V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.6W (Ta), 78W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SOP Advance (5x5)
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음8,496

TPH4R10ANL,L1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSVIII-H
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 92A (Ta), 70A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 75nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6.3nF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 67W (Tc)
작동 온도: 150°C
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SOP Advance (5x5)
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음6,444

TPH4R50ANH,L1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N CH 100V 60A SOP ADV

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSVIII-H
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 58nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5200pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.6W (Ta), 78W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SOP Advance (5x5)
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음7,578

TPH4R606NH,L1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N CH 60V 32A 8-SOP ADV

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSVIII-H
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 32A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 500µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 49nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3965pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.6W (Ta), 63W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SOP Advance (5x5)
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음5,076

TPH5200FNH,L1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 250V 26A SOP8

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSVIII-H
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 250V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 26A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2200pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 78W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SOP Advance (5x5)
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음3,924

TPH5900CNH,L1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 150V 9A 8SOP

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSVIII-H
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 150V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 200µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 600pF @ 75V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.6W (Ta), 42W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SOP Advance (5x5)
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음104,820

TPH5R906NH,L1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N CH 60V 28A 8-SOP ADV

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSVIII-H
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 28A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 300µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 38nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3100pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.6W (Ta), 57W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SOP Advance (5x5)
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음43,596

TPH6400ENH,L1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 21A 8-SOP

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSVIII-H
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 300µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11.2nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1100pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.6W (Ta), 57W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SOP Advance (5x5)
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음143,088

TPH6R003NL,LQ

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N CH 30V 38A 8SOP

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSVIII-H
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 38A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 19A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 200µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1400pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.6W (Ta), 34W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SOP Advance (5x5)
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음7,470

TPH6R004PL,LQ

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSIX-H
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 87A (Ta), 49A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 24.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 200µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2700pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.8W (Ta), 81W (Tc)
작동 온도: 175°C
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SOP Advance (5x5)
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음8,334

TPH6R30ANL,L1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSVIII-H
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 66A (Ta), 45A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 22.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 500µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 55nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4300pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 54W (Tc)
작동 온도: 150°C
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SOP Advance (5x5)
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음4,986

TPH7R006PL,L1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSIX-H
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 200µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1875pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 81W (Tc)
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SOP Advance (5x5)
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음103,212

TPH7R204PL,LQ

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSIX-H
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 48A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 200µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2040pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 69W (Tc)
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SOP Advance (5x5)
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음51,822

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