트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
TSM10N60CZ C0 Taiwan Semiconductor Corporation	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CHANNEL 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45.8nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1738pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 166W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음3,580
TSM10N60CZ C0G Taiwan Semiconductor Corporation	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CHANNEL 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45.8nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1738pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 166W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음7,542
TSM10N80CI C0G Taiwan Semiconductor Corporation	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 800V 9.5A ITO220 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 4.75A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 53nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2336pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 48W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: ITO-220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	재고 있음21,648
TSM10N80CZ C0G Taiwan Semiconductor Corporation	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 4.75A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 53nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2336pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 48W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음21,996
TSM10NB60CI C0G Taiwan Semiconductor Corporation	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 10A ITO220 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 39nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1820pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 50W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: ITO-220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	재고 있음5,832
TSM10NC60CF C0G Taiwan Semiconductor Corporation	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 10A ITO220S 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1652pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 45W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: ITO-220S 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음6,768
TSM10NC65CF C0G Taiwan Semiconductor Corporation	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V 10A ITO220S 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 34nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1650pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 45W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: ITO-220S 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음20,148
TSM110NB04CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta), 54A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1443pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 68W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-PDFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음20,304
TSM110NB04LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta), 54A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1269pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 68W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-PDFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음23,676
TSM120N06LCP ROG Taiwan Semiconductor Corporation	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CHANNEL 60V 70A TO252 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 70A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 37nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2118pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 125W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-252, (D-Pak) 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음346,584
TSM120N06LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 54A 8PDFN 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 54A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36.5nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2116pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 69W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-PDFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음5,040
TSM120N06LCS RLG Taiwan Semiconductor Corporation	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CHANNEL 60V 23A 8SOP 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 23A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 37nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2193pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 12.5W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SOP 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음58,332
TSM120N10PQ56 RLG Taiwan Semiconductor Corporation	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 58A 8PDFN 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 58A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 145nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3902pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 36W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-PDFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음8,550
TSM120NA03CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 39A 8PDFN 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 39A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.2nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 562pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 33W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-PDFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음2,358
TSM126CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 30MA SOT23 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30mA (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 800Ohm @ 16mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 8µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.18nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 51.42pF @ 25V FET 기능: Depletion Mode 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음7,092
TSM130NB06CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta), 51A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2380pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 83W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-PDFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음21,330
TSM130NB06LCR Taiwan Semiconductor Corporation	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 60V 51A 13MO N-CHANNEL POWER MOS 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta), 51A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 37nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2175pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 83W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-PDFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음6,408
TSM130NB06LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta), 51A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 37nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2175pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 83W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-PDFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음21,960
TSM13N50ACI C0G Taiwan Semiconductor Corporation	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 13A ITO220 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 31nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1965pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 52W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: ITO-220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	재고 있음7,920
TSM13N50ACZ C0G Taiwan Semiconductor Corporation	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CHANNEL 500V 13A TO220 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 31nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1965pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 52W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음2,934
TSM13ND50CI Taiwan Semiconductor Corporation	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 500V 13A SINGLE N-CHANNEL POWER 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 3.3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.8V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 39nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1877pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 57W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: ITO-220 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	재고 있음31,842
TSM150NB04CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta), 41A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1092pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 56W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-PDFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음24,912
TSM150NB04LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta), 41A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 966pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 56W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-PDFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음23,754
TSM150P03PQ33 RGG Taiwan Semiconductor Corporation	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 36A 8PDFN 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 36A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29.3nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1829pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 27.8W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-PDFN (3x3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음8,802
TSM150P04LCS RLG Taiwan Semiconductor Corporation	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CHANNEL 40V 22A 8SOP 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 48nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2783pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 12.5W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SOP 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음49,836
TSM15N50CI C0G Taiwan Semiconductor Corporation	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 14A ITO220 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 39nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2263pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: ITO-220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	재고 있음23,604
TSM15N50CZ C0G Taiwan Semiconductor Corporation	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CHANNEL 500V 14A TO220 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 39nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2263pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음18,648
TSM160N10CZ C0G Taiwan Semiconductor Corporation	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 160A TO220 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 160A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 154nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9840pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 300W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음29,970
TSM160N10LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 46A 8PDFN 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 46A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 73nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4431pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 83W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-PDFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음51,060
TSM160P02CS RLG Taiwan Semiconductor Corporation	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CHANNEL 20V 11A 8SOP 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 6A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 4.5V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2320pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SOP 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음3,240

TSM10N60CZ C0

Taiwan Semiconductor Corporation

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHANNEL

제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45.8nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1738pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 166W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음3,580

TSM10N60CZ C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHANNEL

제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45.8nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1738pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 166W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음7,542

TSM10N80CI C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 9.5A ITO220

제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 4.75A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 53nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2336pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 48W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: ITO-220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

재고 있음21,648

TSM10N80CZ C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220

제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 4.75A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 53nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2336pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 48W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음21,996

TSM10NB60CI C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 10A ITO220

제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 39nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1820pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 50W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: ITO-220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

재고 있음5,832

TSM10NC60CF C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 10A ITO220S

제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1652pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 45W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: ITO-220S
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음6,768

TSM10NC65CF C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 10A ITO220S

제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 34nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1650pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 45W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: ITO-220S
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음20,148

TSM110NB04CR RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH

제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta), 54A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1443pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 68W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-PDFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음20,304

TSM110NB04LCR RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH

제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta), 54A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1269pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 68W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-PDFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음23,676

TSM120N06LCP ROG

Taiwan Semiconductor Corporation

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHANNEL 60V 70A TO252

제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 70A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 37nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2118pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 125W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-252, (D-Pak)
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음346,584

TSM120N06LCR RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 54A 8PDFN

제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 54A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36.5nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2116pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 69W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-PDFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음5,040

TSM120N06LCS RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHANNEL 60V 23A 8SOP

제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 23A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 37nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2193pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 12.5W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SOP
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음58,332

TSM120N10PQ56 RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 58A 8PDFN

제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 58A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 145nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3902pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 36W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-PDFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음8,550

TSM120NA03CR RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 39A 8PDFN

제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 39A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.2nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 562pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 33W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-PDFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음2,358

TSM126CX RFG

Taiwan Semiconductor Corporation

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 30MA SOT23

제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30mA (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 0V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 800Ohm @ 16mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 8µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.18nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 51.42pF @ 25V
FET 기능: Depletion Mode
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음7,092

TSM130NB06CR RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH

제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta), 51A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2380pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 83W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-PDFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음21,330

TSM130NB06LCR

Taiwan Semiconductor Corporation

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

60V 51A 13MO N-CHANNEL POWER MOS

제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta), 51A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 37nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2175pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 83W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-PDFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음6,408

TSM130NB06LCR RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH

제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta), 51A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 37nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2175pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 83W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-PDFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음21,960

TSM13N50ACI C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 13A ITO220

제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 31nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1965pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 52W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: ITO-220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

재고 있음7,920

TSM13N50ACZ C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHANNEL 500V 13A TO220

제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 31nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1965pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 52W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음2,934

TSM13ND50CI

Taiwan Semiconductor Corporation

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

500V 13A SINGLE N-CHANNEL POWER

제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.8V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 39nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1877pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 57W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: ITO-220
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

재고 있음31,842

TSM150NB04CR RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH

제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta), 41A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1092pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 56W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-PDFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음24,912

TSM150NB04LCR RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH

제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta), 41A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 966pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 56W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-PDFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음23,754

TSM150P03PQ33 RGG

Taiwan Semiconductor Corporation

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 36A 8PDFN

제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 36A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29.3nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1829pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 27.8W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-PDFN (3x3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음8,802

TSM150P04LCS RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CHANNEL 40V 22A 8SOP

제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 48nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2783pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 12.5W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SOP
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음49,836

TSM15N50CI C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 14A ITO220

제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 39nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2263pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: ITO-220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

재고 있음23,604

TSM15N50CZ C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHANNEL 500V 14A TO220

제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 39nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2263pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음18,648

TSM160N10CZ C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 160A TO220

제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 160A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 154nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9840pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 300W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음29,970

TSM160N10LCR RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 46A 8PDFN

제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 46A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 73nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4431pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 83W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-PDFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음51,060

TSM160P02CS RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CHANNEL 20V 11A 8SOP

제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2320pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SOP
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음3,240

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