트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
2SA2099 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 50V 10A TO-220ML 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 250mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 130MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220ML	재고 있음4,482
2SA2112-AN ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 50V 3A NMP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 10V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 390MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: SC-71 공급자 장치 패키지: 3-NMP	재고 있음8,532
2SA2119KT146 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 12V 0.5A 3PIN ATV 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V 전력-최대: 200mW 주파수-전환: 260MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SMT3	재고 있음28,854
2SA2124-S-TD-E ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 30V 2A 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 75mA, 1.5A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V 전력-최대: 3.5W 주파수-전환: 440MHz 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: PCP	재고 있음6,804
2SA2124-TD-E ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 30V 2A SOT89-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 75mA, 1.5A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 5V 전력-최대: 1.3W 주파수-전환: 440MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: PCP	재고 있음23,562
2SA2125-S-TD-E ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 50V 3A 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V 전력-최대: 3.5W 주파수-전환: 390MHz 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: PCP	재고 있음5,472
2SA2125-S-TD-H ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 50V 3A 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V 전력-최대: 3.5W 주파수-전환: 390MHz 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: PCP	재고 있음8,892
2SA2125-TD-E ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 50V 3A PCP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V 전력-최대: 3.5W 주파수-전환: 390MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: PCP	재고 있음20,892
2SA2125-TD-H ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 50V 3A PCP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V 전력-최대: 3.5W 주파수-전환: 390MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: PCP	재고 있음20,040
2SA2126-E ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 50V 3A TP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 520mV @ 100mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V 전력-최대: 800mW 주파수-전환: 390MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA 공급자 장치 패키지: TP	재고 있음8,586
2SA2126-H ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 50V 3A TP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 520mV @ 100mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V 전력-최대: 800mW 주파수-전환: 390MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA 공급자 장치 패키지: TP	재고 있음21,540
2SA2126-S-TL-E ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 50V 3A 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 520mV @ 100mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V 전력-최대: 800mW 주파수-전환: 390MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: 2-TP-FA	재고 있음5,400
2SA2126-TL-E ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 50V 3A TP-FA 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 520mV @ 100mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V 전력-최대: 800mW 주파수-전환: 390MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: 2-TP-FA	재고 있음6,120
2SA2126-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 50V 3A TP-FA 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 520mV @ 100mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V 전력-최대: 800mW 주파수-전환: 390MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: 2-TP-FA	재고 있음15,486
2SA2127 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 50V 2A MP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 420MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body 공급자 장치 패키지: 3-MP	재고 있음4,950
2SA2127-AE ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 50V 2A TO92-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 420MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: 3-MP	재고 있음6,192
2SA2127-AEX ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS BIPO TO-93 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,212
2SA21400P Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 180V 1.5A TO-220D 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 180V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220D-A1	재고 있음3,672
2SA21400Q Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 180V 1.5A TO-220D 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 180V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 5V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220D-A1	재고 있음4,320
2SA2151 Sanken	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 200V 15A TO3P 제조업체: Sanken 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 15A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 200V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 3A, 4V 전력-최대: 160W 주파수-전환: 20MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3 공급자 장치 패키지: TO-3P	재고 있음7,152
2SA2151A Sanken	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 230V 15A TO3P 제조업체: Sanken 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 15A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 230V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 3A, 4V 전력-최대: 160W 주파수-전환: 20MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3 공급자 장치 패키지: TO-3P	재고 있음23,088
2SA2153-TD-E ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 50V 2A SOT89-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V 전력-최대: 1.3W 주파수-전환: 420MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: PCP	재고 있음29,286
2SA2154CT-GR,L3F Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 50V 0.1A 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V 전력-최대: 100mW 주파수-전환: 80MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883 공급자 장치 패키지: CST3	재고 있음3,384
2SA2154CT-Y(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 50V 0.1A 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V 전력-최대: 100mW 주파수-전환: 80MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883 공급자 장치 패키지: CST3	재고 있음7,776
2SA2154MFVGR,L3F Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 PNP TRANSISTOR VCEO-50V IC-0.15A 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,484
2SA2154MFV-GR(TPL3 Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 50V 0.15A VESM 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V 전력-최대: 150mW 주파수-전환: 80MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-723 공급자 장치 패키지: VESM	재고 있음5,634
2SA2154MFV-Y,L3F Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 PNP TRANSISTOR VCEO-50V IC-0.15A 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,148
2SA2161G0L Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 12V 0.5A SSMINI3P 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V 전력-최대: 125mW 주파수-전환: 200MHz 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490 공급자 장치 패키지: SSMini3-F3	재고 있음3,402
2SA2161J0L Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 12V 0.5A SSMINI3P 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V 전력-최대: 125mW 주파수-전환: 200MHz 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490 공급자 장치 패키지: SSMini3-F1	재고 있음27,324
2SA216200L Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 12V 0.5A SSSMINI-3 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V 전력-최대: 100mW 주파수-전환: 200MHz 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-723 공급자 장치 패키지: SSSMini3-F1	재고 있음7,506

2SA2099

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 50V 10A TO-220ML

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 250mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 130MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220ML

재고 있음4,482

2SA2112-AN

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 50V 3A NMP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 10V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 390MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: SC-71
공급자 장치 패키지: 3-NMP

재고 있음8,532

2SA2119KT146

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 12V 0.5A 3PIN ATV

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V
전력-최대: 200mW
주파수-전환: 260MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SMT3

재고 있음28,854

2SA2124-S-TD-E

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 30V 2A

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 75mA, 1.5A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
전력-최대: 3.5W
주파수-전환: 440MHz
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: PCP

재고 있음6,804

2SA2124-TD-E

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 30V 2A SOT89-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 75mA, 1.5A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 5V
전력-최대: 1.3W
주파수-전환: 440MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: PCP

재고 있음23,562

2SA2125-S-TD-E

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 50V 3A

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
전력-최대: 3.5W
주파수-전환: 390MHz
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: PCP

재고 있음5,472

2SA2125-S-TD-H

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 50V 3A

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
전력-최대: 3.5W
주파수-전환: 390MHz
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: PCP

재고 있음8,892

2SA2125-TD-E

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 50V 3A PCP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
전력-최대: 3.5W
주파수-전환: 390MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: PCP

재고 있음20,892

2SA2125-TD-H

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 50V 3A PCP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
전력-최대: 3.5W
주파수-전환: 390MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: PCP

재고 있음20,040

2SA2126-E

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 50V 3A TP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 520mV @ 100mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
전력-최대: 800mW
주파수-전환: 390MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
공급자 장치 패키지: TP

재고 있음8,586

2SA2126-H

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 50V 3A TP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 520mV @ 100mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
전력-최대: 800mW
주파수-전환: 390MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
공급자 장치 패키지: TP

재고 있음21,540

2SA2126-S-TL-E

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 50V 3A

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 520mV @ 100mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
전력-최대: 800mW
주파수-전환: 390MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: 2-TP-FA

재고 있음5,400

2SA2126-TL-E

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 50V 3A TP-FA

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 520mV @ 100mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
전력-최대: 800mW
주파수-전환: 390MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: 2-TP-FA

재고 있음6,120

2SA2126-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 50V 3A TP-FA

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 520mV @ 100mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
전력-최대: 800mW
주파수-전환: 390MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: 2-TP-FA

재고 있음15,486

2SA2127

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 50V 2A MP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 420MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
공급자 장치 패키지: 3-MP

재고 있음4,950

2SA2127-AE

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 50V 2A TO92-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 420MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: 3-MP

재고 있음6,192

2SA2127-AEX

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS BIPO TO-93

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,212

2SA21400P

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 180V 1.5A TO-220D

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 180V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220D-A1

재고 있음3,672

2SA21400Q

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 180V 1.5A TO-220D

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 180V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 5V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220D-A1

재고 있음4,320

2SA2151

Sanken

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 200V 15A TO3P

제조업체: Sanken
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 15A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 200V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 3A, 4V
전력-최대: 160W
주파수-전환: 20MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3
공급자 장치 패키지: TO-3P

재고 있음7,152

2SA2151A

Sanken

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 230V 15A TO3P

제조업체: Sanken
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 15A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 230V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 3A, 4V
전력-최대: 160W
주파수-전환: 20MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3
공급자 장치 패키지: TO-3P

재고 있음23,088

2SA2153-TD-E

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 50V 2A SOT89-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
전력-최대: 1.3W
주파수-전환: 420MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: PCP

재고 있음29,286

2SA2154CT-GR,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 50V 0.1A

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
전력-최대: 100mW
주파수-전환: 80MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883
공급자 장치 패키지: CST3

재고 있음3,384

2SA2154CT-Y(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 50V 0.1A

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
전력-최대: 100mW
주파수-전환: 80MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883
공급자 장치 패키지: CST3

재고 있음7,776

2SA2154MFVGR,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

PNP TRANSISTOR VCEO-50V IC-0.15A

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,484

2SA2154MFV-GR(TPL3

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 50V 0.15A VESM

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
전력-최대: 150mW
주파수-전환: 80MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-723
공급자 장치 패키지: VESM

재고 있음5,634

2SA2154MFV-Y,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

PNP TRANSISTOR VCEO-50V IC-0.15A

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,148

2SA2161G0L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 12V 0.5A SSMINI3P

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V
전력-최대: 125mW
주파수-전환: 200MHz
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490
공급자 장치 패키지: SSMini3-F3

재고 있음3,402

2SA2161J0L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 12V 0.5A SSMINI3P

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V
전력-최대: 125mW
주파수-전환: 200MHz
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490
공급자 장치 패키지: SSMini3-F1

재고 있음27,324

2SA216200L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 12V 0.5A SSSMINI-3

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V
전력-최대: 100mW
주파수-전환: 200MHz
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-723
공급자 장치 패키지: SSSMini3-F1

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