트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
2SB1457,T6YMEF(M Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 2A 100V TO226-3 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V 전력-최대: 900mW 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body 공급자 장치 패키지: TO-92MOD	재고 있음7,560
2SB1457(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 2A 100V TO226-3 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V 전력-최대: 900mW 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body 공급자 장치 패키지: TO-92MOD	재고 있음6,786
2SB1462G0L Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 50V 0.1A SSMINI-3 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 10V 전력-최대: 125mW 주파수-전환: 80MHz 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490 공급자 장치 패키지: SSMini3-F3	재고 있음6,570
2SB1462J0L Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 50V 0.1A SS-MINI 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 10V 전력-최대: 125mW 주파수-전환: 80MHz 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490 공급자 장치 패키지: SSMini3-F1	재고 있음6,300
2SB1463GRL Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 150V 0.05A SSMINI-3 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 3mA, 30mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 130 @ 10mA, 5V 전력-최대: 125mW 주파수-전환: 200MHz 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490 공급자 장치 패키지: SSMini3-F3	재고 있음2,988
2SB1463JRL Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 150V 0.05A SSMINI-3 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 3mA, 30mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 130 @ 10mA, 5V 전력-최대: 125mW 주파수-전환: 200MHz 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490 공급자 장치 패키지: SSMini3-F1	재고 있음8,964
2SB1474TL Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 80V 4A SOT-428 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 4mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 12MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: CPT3	재고 있음6,786
2SB1481(TOJS,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 4A 100V TO220-3 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 6mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 2µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 3A, 2V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220NIS	재고 있음6,642
2SB14880PA Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 400V 0.5A MT-2 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 1μA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 50mA, 5V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 25MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 3-SIP 공급자 장치 패키지: MT-2-A1	재고 있음20,142
2SB1495,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 3A 100V TO220-3 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220NIS	재고 있음8,154
2SB1495,Q(M Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 3A 100V TO220-3 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220NIS	재고 있음7,470
2SB15040QA Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 50V 8A MT-3 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 8mA, 4A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 4A, 3V 전력-최대: 1.5W 주파수-전환: 20MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 3-SIP 공급자 장치 패키지: MT-3-A1	재고 있음20,304
2SB15040RA Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 50V 8A MT-3 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 8mA, 4A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 4000 @ 4A, 3V 전력-최대: 1.5W 주파수-전환: 20MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 3-SIP 공급자 장치 패키지: MT-3-A1	재고 있음22,392
2SB1548AP Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 80V 3A TO-220D 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 300µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 4V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 30MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220D-A1	재고 있음5,364
2SB1559 Sanken	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 150V 8A TO3P 제조업체: Sanken 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 6A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 5000 @ 6A, 4V 전력-최대: 80W 주파수-전환: 65MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3 공급자 장치 패키지: TO-3P	재고 있음7,800
2SB1560 Sanken	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 150V 10A TO-3P 제조업체: Sanken 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 7mA, 7A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 5000 @ 7A, 4V 전력-최대: 100W 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3 공급자 장치 패키지: TO-3P	재고 있음8,304
2SB1561T100Q Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 60V 2A SOT-89 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 200MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: MPT3	재고 있음6,030
2SB1565FU6E Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 60V 3A TO220FN 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 200mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 15MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220FN	재고 있음5,922
2SB1570 Sanken	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 150V 12A MT200 제조업체: Sanken 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 12A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 7mA, 7A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 5000 @ 7A, 4V 전력-최대: 150W 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 3-ESIP 공급자 장치 패키지: MT-200	재고 있음6,552
2SB157400L Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 50V 2A U-G2 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 200mA, 2V 전력-최대: 10W 주파수-전환: 80MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: U-G2	재고 있음3,384
2SB1580T100 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 100V 2A SOT-89 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 2V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: MPT3	재고 있음2,304
2SB1587 Sanken	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 150V 8A TO3PF 제조업체: Sanken 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 6A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 5000 @ 6A, 4V 전력-최대: 75W 주파수-전환: 65MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3P-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-3PF	재고 있음6,138
2SB1588 Sanken	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 150V 10A TO3PF 제조업체: Sanken 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 7mA, 7A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 5000 @ 7A, 4V 전력-최대: 80W 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3P-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-3PF	재고 있음7,974
2SB158900L Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 10V 1.5A MINIPWR 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 400mA, 1V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 190MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: MiniP3-F1	재고 있음8,316
2SB1590KT146Q Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 15V 1A SOT346 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 20mA, 400mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V 전력-최대: 200mW 주파수-전환: 200MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SMT3	재고 있음3,438
2SB15920RA Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 25V 3A TO-92NL 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 220mV @ 25mA, 1.4A 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 130 @ 1.4A, 2V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body 공급자 장치 패키지: TO-92NL-A1	재고 있음5,958
2SB15990QL Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 40V 1.5A MINI PWR 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 150mA, 1.5A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: MiniP3-F1	재고 있음20,196
2SB15990RL Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 40V 1.5A MINI PWR 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 150mA, 1.5A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: MiniP3-F1	재고 있음21,720
2SB1623AP Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 80V 4A TO-220D 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 20mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 4000 @ 3A, 3V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 20MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220D-A1	재고 있음4,320
2SB1647 Sanken	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 150V 15A TO-3P 제조업체: Sanken 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 15A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 10mA, 10A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 5000 @ 10A, 4V 전력-최대: 130W 주파수-전환: 45MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3 공급자 장치 패키지: TO-3P	재고 있음18,072

2SB1457,T6YMEF(M

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 2A 100V TO226-3

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V
전력-최대: 900mW
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
공급자 장치 패키지: TO-92MOD

재고 있음7,560

2SB1457(TE6,F,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 2A 100V TO226-3

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V
전력-최대: 900mW
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
공급자 장치 패키지: TO-92MOD

재고 있음6,786

2SB1462G0L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 50V 0.1A SSMINI-3

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 10V
전력-최대: 125mW
주파수-전환: 80MHz
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490
공급자 장치 패키지: SSMini3-F3

재고 있음6,570

2SB1462J0L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 50V 0.1A SS-MINI

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 10V
전력-최대: 125mW
주파수-전환: 80MHz
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490
공급자 장치 패키지: SSMini3-F1

재고 있음6,300

2SB1463GRL

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 150V 0.05A SSMINI-3

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 3mA, 30mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 130 @ 10mA, 5V
전력-최대: 125mW
주파수-전환: 200MHz
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490
공급자 장치 패키지: SSMini3-F3

재고 있음2,988

2SB1463JRL

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 150V 0.05A SSMINI-3

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 3mA, 30mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 130 @ 10mA, 5V
전력-최대: 125mW
주파수-전환: 200MHz
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490
공급자 장치 패키지: SSMini3-F1

재고 있음8,964

2SB1474TL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 80V 4A SOT-428

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 4mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 12MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: CPT3

재고 있음6,786

2SB1481(TOJS,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 4A 100V TO220-3

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 6mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 2µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 3A, 2V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220NIS

재고 있음6,642

2SB14880PA

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 400V 0.5A MT-2

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 1μA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 50mA, 5V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 25MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 3-SIP
공급자 장치 패키지: MT-2-A1

재고 있음20,142

2SB1495,Q(J

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 3A 100V TO220-3

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220NIS

재고 있음8,154

2SB1495,Q(M

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 3A 100V TO220-3

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220NIS

재고 있음7,470

2SB15040QA

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 50V 8A MT-3

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 8mA, 4A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 4A, 3V
전력-최대: 1.5W
주파수-전환: 20MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 3-SIP
공급자 장치 패키지: MT-3-A1

재고 있음20,304

2SB15040RA

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 50V 8A MT-3

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 8mA, 4A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 4000 @ 4A, 3V
전력-최대: 1.5W
주파수-전환: 20MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 3-SIP
공급자 장치 패키지: MT-3-A1

재고 있음22,392

2SB1548AP

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 80V 3A TO-220D

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 300µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 4V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 30MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220D-A1

재고 있음5,364

2SB1559

Sanken

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 150V 8A TO3P

제조업체: Sanken
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 6A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 5000 @ 6A, 4V
전력-최대: 80W
주파수-전환: 65MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3
공급자 장치 패키지: TO-3P

재고 있음7,800

2SB1560

Sanken

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 150V 10A TO-3P

제조업체: Sanken
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 7mA, 7A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 5000 @ 7A, 4V
전력-최대: 100W
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3
공급자 장치 패키지: TO-3P

재고 있음8,304

2SB1561T100Q

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 60V 2A SOT-89

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 200MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: MPT3

재고 있음6,030

2SB1565FU6E

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 60V 3A TO220FN

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 200mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 15MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220FN

재고 있음5,922

2SB1570

Sanken

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 150V 12A MT200

제조업체: Sanken
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 12A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 7mA, 7A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 5000 @ 7A, 4V
전력-최대: 150W
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 3-ESIP
공급자 장치 패키지: MT-200

재고 있음6,552

2SB157400L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 50V 2A U-G2

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 200mA, 2V
전력-최대: 10W
주파수-전환: 80MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: U-G2

재고 있음3,384

2SB1580T100

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 100V 2A SOT-89

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 2V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: MPT3

재고 있음2,304

2SB1587

Sanken

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 150V 8A TO3PF

제조업체: Sanken
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 6A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 5000 @ 6A, 4V
전력-최대: 75W
주파수-전환: 65MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3P-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-3PF

재고 있음6,138

2SB1588

Sanken

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 150V 10A TO3PF

제조업체: Sanken
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 7mA, 7A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 5000 @ 7A, 4V
전력-최대: 80W
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3P-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-3PF

재고 있음7,974

2SB158900L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 10V 1.5A MINIPWR

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 400mA, 1V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 190MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: MiniP3-F1

재고 있음8,316

2SB1590KT146Q

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 15V 1A SOT346

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 20mA, 400mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
전력-최대: 200mW
주파수-전환: 200MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SMT3

재고 있음3,438

2SB15920RA

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 25V 3A TO-92NL

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 220mV @ 25mA, 1.4A
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 130 @ 1.4A, 2V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
공급자 장치 패키지: TO-92NL-A1

재고 있음5,958

2SB15990QL

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 40V 1.5A MINI PWR

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 150mA, 1.5A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: MiniP3-F1

재고 있음20,196

2SB15990RL

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 40V 1.5A MINI PWR

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 150mA, 1.5A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: MiniP3-F1

재고 있음21,720

2SB1623AP

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 80V 4A TO-220D

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 20mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 4000 @ 3A, 3V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 20MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220D-A1

재고 있음4,320

2SB1647

Sanken

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 150V 15A TO-3P

제조업체: Sanken
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 15A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 10mA, 10A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 5000 @ 10A, 4V
전력-최대: 130W
주파수-전환: 45MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3
공급자 장치 패키지: TO-3P

재고 있음18,072

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