트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
2SC4783-T1-A Renesas Electronics America	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANSISTOR NPN USM SC-75 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,608
2SC4793,F(J Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 1A 230V TO220-3 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 230V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220NIS	재고 있음5,778
2SC4793(F,M) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 230V 1A TO220NIS 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 230V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220NIS	재고 있음107,046
2SC4793,HFEF(J Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 1A 230V TO220-3 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 230V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220NIS	재고 있음4,734
2SC4793,HFEF(M Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 1A 230V TO220-3 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 230V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220NIS	재고 있음3,870
2SC4793(LBSAN,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 1A 230V TO220-3 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 230V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220NIS	재고 있음6,462
2SC4793,NSEIKIF(J Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 1A 230V TO220-3 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 230V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220NIS	재고 있음5,436
2SC4793(PAIO,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 1A 230V TO220-3 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 230V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220NIS	재고 있음5,418
2SC4793,TOA1F(J Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 1A 230V TO220-3 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 230V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220NIS	재고 있음5,076
2SC4793,WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 1A 230V TO220-3 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 230V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220NIS	재고 있음8,964
2SC4793,YHF(J Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 1A 230V TO220-3 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 230V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220NIS	재고 있음4,032
2SC4793,YHF(M Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 1A 230V TO220-3 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 230V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220NIS	재고 있음5,832
2SC48050QL Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 10V 0.065A SMINI-3 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 65mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 8V 전력-최대: 150mW 주파수-전환: 8.5GHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SMini3-G1	재고 있음4,644
2SC4809J0L Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 10V 0.05A SSMINI-3P 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 20mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 75 @ 5mA, 4V 전력-최대: 125mW 주파수-전환: 2.7GHz 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490 공급자 장치 패키지: SSMini3-F1	재고 있음3,312
2SC4837S-AY ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 50V 4A FLP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 140 @ 10mA, 2V 전력-최대: 1.5W 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 No Tab 공급자 장치 패키지: FLP	재고 있음7,650
2SC4881(CANO,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 5A 50V TO220-3 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 125mA, 2.5A 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220NIS	재고 있음4,194
2SC4881,LS1SUMIF(M Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 5A 50V TO220-3 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 125mA, 2.5A 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220NIS	재고 있음7,182
2SC4883 Sanken	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 150V 2A TO220F 제조업체: Sanken 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 70mA, 700mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 700mA, 10V 전력-최대: 20W 주파수-전환: 120MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220F	재고 있음15,954
2SC4883A Sanken	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 180V 2A TO220F 제조업체: Sanken 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 180V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 70mA, 700mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 700mA, 10V 전력-최대: 20W 주파수-전환: 120MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220F	재고 있음15,804
2SC4886 Sanken	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 150V 14A TO-3PF 제조업체: Sanken 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 14A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 500mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 5A, 4V 전력-최대: 80W 주파수-전환: 60MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3P-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-3PF	재고 있음5,364
2SC4901YK-TL-E Renesas Electronics America	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANSISTOR NPN CMPAK 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,516
2SC4901YK-TR-E Renesas Electronics America	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANSISTOR NPN CMPAK 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,092
2SC4926YD-TL-E Renesas Electronics America	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANSISTOR NPN MPAK-4 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,256
2SC4935-Y,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 3A 50V TO220-3 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 80MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220NIS	재고 있음3,294
2SC4942-T1-AZ Renesas Electronics America	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANSISTOR 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,222
2SC4944-GR(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 50V 0.15A USV 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V 전력-최대: 200mW 주파수-전환: 80MHz 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 공급자 장치 패키지: USV	재고 있음4,302
2SC4953 Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 400V 3A TO-220D 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 300mA, 1.5A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 8 @ 1.2A, 2V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 10MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220D-A1	재고 있음7,938
2SC4960 Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 800V 1A TOP-3F 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 800V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 40mA, 200mA 전류-수집기 차단 (최대): 50µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 3 @ 500mA, 5V 전력-최대: 3W 주파수-전환: 4MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TOP-3F 공급자 장치 패키지: TOP-3F-A1	재고 있음2,934
2SC5001TLQ Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 20V 10A SOT-428 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 4A 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: CPT3	재고 있음7,596
2SC5001TLR Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 20V 10A SOT-428 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 4A 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V 전력-최대: 10W 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: CPT3	재고 있음22,170

2SC4783-T1-A

Renesas Electronics America

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANSISTOR NPN USM SC-75

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,608

2SC4793,F(J

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 1A 230V TO220-3

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 230V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220NIS

재고 있음5,778

2SC4793(F,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 230V 1A TO220NIS

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 230V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220NIS

재고 있음107,046

2SC4793,HFEF(J

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 1A 230V TO220-3

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 230V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220NIS

재고 있음4,734

2SC4793,HFEF(M

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 1A 230V TO220-3

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 230V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220NIS

재고 있음3,870

2SC4793(LBSAN,F,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 1A 230V TO220-3

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 230V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220NIS

재고 있음6,462

2SC4793,NSEIKIF(J

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 1A 230V TO220-3

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 230V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220NIS

재고 있음5,436

2SC4793(PAIO,F,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 1A 230V TO220-3

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 230V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220NIS

재고 있음5,418

2SC4793,TOA1F(J

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 1A 230V TO220-3

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 230V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220NIS

재고 있음5,076

2SC4793,WNLF(J

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 1A 230V TO220-3

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 230V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220NIS

재고 있음8,964

2SC4793,YHF(J

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 1A 230V TO220-3

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 230V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220NIS

재고 있음4,032

2SC4793,YHF(M

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 1A 230V TO220-3

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 230V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220NIS

재고 있음5,832

2SC48050QL

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 10V 0.065A SMINI-3

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 65mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 8V
전력-최대: 150mW
주파수-전환: 8.5GHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SMini3-G1

재고 있음4,644

2SC4809J0L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 10V 0.05A SSMINI-3P

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 20mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 75 @ 5mA, 4V
전력-최대: 125mW
주파수-전환: 2.7GHz
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490
공급자 장치 패키지: SSMini3-F1

재고 있음3,312

2SC4837S-AY

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 50V 4A FLP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 140 @ 10mA, 2V
전력-최대: 1.5W
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 No Tab
공급자 장치 패키지: FLP

재고 있음7,650

2SC4881(CANO,F,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 5A 50V TO220-3

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 125mA, 2.5A
전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220NIS

재고 있음4,194

2SC4881,LS1SUMIF(M

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 5A 50V TO220-3

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 125mA, 2.5A
전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220NIS

재고 있음7,182

2SC4883

Sanken

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 150V 2A TO220F

제조업체: Sanken
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 70mA, 700mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 700mA, 10V
전력-최대: 20W
주파수-전환: 120MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220F

재고 있음15,954

2SC4883A

Sanken

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 180V 2A TO220F

제조업체: Sanken
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 180V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 70mA, 700mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 700mA, 10V
전력-최대: 20W
주파수-전환: 120MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220F

재고 있음15,804

2SC4886

Sanken

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 150V 14A TO-3PF

제조업체: Sanken
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 14A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 500mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 5A, 4V
전력-최대: 80W
주파수-전환: 60MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3P-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-3PF

재고 있음5,364

2SC4901YK-TL-E

Renesas Electronics America

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANSISTOR NPN CMPAK

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,516

2SC4901YK-TR-E

Renesas Electronics America

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANSISTOR NPN CMPAK

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,092

2SC4926YD-TL-E

Renesas Electronics America

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANSISTOR NPN MPAK-4

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,256

2SC4935-Y,Q(J

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 3A 50V TO220-3

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 80MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220NIS

재고 있음3,294

2SC4942-T1-AZ

Renesas Electronics America

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANSISTOR

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,222

2SC4944-GR(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 50V 0.15A USV

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
전력-최대: 200mW
주파수-전환: 80MHz
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
공급자 장치 패키지: USV

재고 있음4,302

2SC4953

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 400V 3A TO-220D

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 300mA, 1.5A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 8 @ 1.2A, 2V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 10MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220D-A1

재고 있음7,938

2SC4960

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 800V 1A TOP-3F

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 800V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 40mA, 200mA
전류-수집기 차단 (최대): 50µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 3 @ 500mA, 5V
전력-최대: 3W
주파수-전환: 4MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TOP-3F
공급자 장치 패키지: TOP-3F-A1

재고 있음2,934

2SC5001TLQ

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 20V 10A SOT-428

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 4A
전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: CPT3

재고 있음7,596

2SC5001TLR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 20V 10A SOT-428

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 4A
전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
전력-최대: 10W
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: CPT3

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