트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
2STX1360 STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 60V 3A TO 92 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 150mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 130MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음2,754
2STX1360-AP STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 60V 3A TO 92 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 150mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 130MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92AP	재고 있음7,416
2STX2220 STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 20V 1.5A TO-92 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 450mV @ 150mA, 1.5A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V 전력-최대: 900mW 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음2,052
30A02CH-TL-E ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 30V 0.7A CPH3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 700mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 220mV @ 10mA, 200mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 2V 전력-최대: 700mW 주파수-전환: 520MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-96 공급자 장치 패키지: 3-CPH	재고 있음85,260
30A02MH-TL-E ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 30V 0.7A MCPH3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 700mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 220mV @ 10mA, 200mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 2V 전력-최대: 600mW 주파수-전환: 520MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: 3-MCPH	재고 있음5,220
30A02MH-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 30V 0.7A MCPH3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 700mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 220mV @ 10mA, 200mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 2V 전력-최대: 600mW 주파수-전환: 520MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: 3-MCPH	재고 있음6,030
30C02CH-TL-E ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 30V 0.7A CPH3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 700mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 190mV @ 10mA, 200mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 50mA, 2V 전력-최대: 700mW 주파수-전환: 540MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-96 공급자 장치 패키지: 3-CPH	재고 있음5,976
30C02MH-TL-E ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 30V 0.7A MCPH3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 700mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 190mV @ 10mA, 200mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 50mA, 2V 전력-최대: 600mW 주파수-전환: 540MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: 3-MCPH	재고 있음29,958
30C02MH-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 30V 0.7A MCPH3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 700mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 190mV @ 10mA, 200mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 50mA, 2V 전력-최대: 600mW 주파수-전환: 540MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: 3-MCPH	재고 있음6,912
3STF1640 STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 IC TRANS NPN HP SOT89 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 6A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 170mV @ 300mA, 6A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 350 @ 1A, 1V 전력-최대: 1.5W 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: SOT-89	재고 있음47,880
3STL2540 STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 40V 5A POWERFLAT3 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 10mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 210 @ 2A, 2V 전력-최대: 1.2W 주파수-전환: 130MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-PowerUDFN 공급자 장치 패키지: PowerFlat™ (2x2)	재고 있음6,804
3STR1630 STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 30V 6A SOT-23-3 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 6A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음3,636
4885-MPSA42 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,606
495220TU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 325V 4A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 325V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 5mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 5V 전력-최대: 40W 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음7,236
495220TU_SN00120 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 325V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 5mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 5V 전력-최대: 40W 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음4,032
500-00001 Parallax	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANSISTOR, NPN SW HS 200MA 제조업체: Parallax Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 50nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V 전력-최대: 1.5W 주파수-전환: 300MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92 (TO-226)	재고 있음6,444
50A02CH-TL-E ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 50V 0.5A CPH3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 120mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 2V 전력-최대: 700mW 주파수-전환: 690MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: 3-CPH	재고 있음56,178
50A02CH-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 50V 0.5A CPH3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 120mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 2V 전력-최대: 700mW 주파수-전환: 690MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: 3-CPH	재고 있음8,514
50A02MH-TL-E ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 50V 0.5A MCPH3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 120mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 2V 전력-최대: 600mW 주파수-전환: 690MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: 3-MCPH	재고 있음240,330
50A02SS-TL-E ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 50V 0.4A SSFP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 400mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 120mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 2V 전력-최대: 200mW 주파수-전환: 690MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-81 공급자 장치 패키지: 3-SSFP	재고 있음267,750
50C02CH-TL-E ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 50V 0.5A CPH3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V 전력-최대: 700mW 주파수-전환: 500MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: 3-CPH	재고 있음42,906
50C02MH-TL-E ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 50V 0.5A MCPH3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V 전력-최대: 600mW 주파수-전환: 500MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: 3-MCPH	재고 있음43,788
50C02SS-TL-E ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 50V 0.4A SSFP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 400mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V 전력-최대: 200mW 주파수-전환: 500MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: 3-SSFP	재고 있음89,754
5885-2N5434 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 BIP T03 NPN 25A 60V 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,214
6385_2N2907A ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP GENERAL PURPOSE 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 50nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 10V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-18	재고 있음6,966
6585_2N4209 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP GENERAL PURPOSE 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 800mV @ 100µA, 1mA 전류-수집기 차단 (최대): 10nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 35 @ 1mA, 5V 전력-최대: 300mW 주파수-전환: 850MHz 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Die 공급자 장치 패키지: Die	재고 있음5,922
6685_2N3906 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP GENERAL PURPOSE 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 250MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Die 공급자 장치 패키지: Die	재고 있음4,446
6685-MMBT3906 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN SOT23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,680
6686-2N3906 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,680
6785_2N4033 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP GENERAL PURPOSE 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 75 @ 100µA, 5V 전력-최대: 800mW 주파수-전환: - 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: Die 공급자 장치 패키지: Die	재고 있음4,752

2STX1360

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 3A TO 92

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 150mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 130MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음2,754

2STX1360-AP

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 3A TO 92

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 150mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 130MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92AP

재고 있음7,416

2STX2220

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 20V 1.5A TO-92

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 450mV @ 150mA, 1.5A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
전력-최대: 900mW
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음2,052

30A02CH-TL-E

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 30V 0.7A CPH3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 700mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 220mV @ 10mA, 200mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 2V
전력-최대: 700mW
주파수-전환: 520MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-96
공급자 장치 패키지: 3-CPH

재고 있음85,260

30A02MH-TL-E

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 30V 0.7A MCPH3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 700mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 220mV @ 10mA, 200mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 2V
전력-최대: 600mW
주파수-전환: 520MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: 3-MCPH

재고 있음5,220

30A02MH-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 30V 0.7A MCPH3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 700mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 220mV @ 10mA, 200mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 2V
전력-최대: 600mW
주파수-전환: 520MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: 3-MCPH

재고 있음6,030

30C02CH-TL-E

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 30V 0.7A CPH3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 700mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 190mV @ 10mA, 200mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 50mA, 2V
전력-최대: 700mW
주파수-전환: 540MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-96
공급자 장치 패키지: 3-CPH

재고 있음5,976

30C02MH-TL-E

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 30V 0.7A MCPH3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 700mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 190mV @ 10mA, 200mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 50mA, 2V
전력-최대: 600mW
주파수-전환: 540MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: 3-MCPH

재고 있음29,958

30C02MH-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 30V 0.7A MCPH3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 700mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 190mV @ 10mA, 200mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 50mA, 2V
전력-최대: 600mW
주파수-전환: 540MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: 3-MCPH

재고 있음6,912

3STF1640

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

IC TRANS NPN HP SOT89

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 6A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 170mV @ 300mA, 6A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 350 @ 1A, 1V
전력-최대: 1.5W
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: SOT-89

재고 있음47,880

3STL2540

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 40V 5A POWERFLAT3

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 10mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 210 @ 2A, 2V
전력-최대: 1.2W
주파수-전환: 130MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-PowerUDFN
공급자 장치 패키지: PowerFlat™ (2x2)

재고 있음6,804

3STR1630

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 30V 6A SOT-23-3

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 6A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음3,636

4885-MPSA42

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,606

495220TU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 325V 4A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 325V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 5mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 5V
전력-최대: 40W
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음7,236

495220TU_SN00120

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 325V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 5mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 5V
전력-최대: 40W
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음4,032

500-00001

Parallax

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANSISTOR, NPN SW HS 200MA

제조업체: Parallax Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 50nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
전력-최대: 1.5W
주파수-전환: 300MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92 (TO-226)

재고 있음6,444

50A02CH-TL-E

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 50V 0.5A CPH3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 120mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 2V
전력-최대: 700mW
주파수-전환: 690MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: 3-CPH

재고 있음56,178

50A02CH-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 50V 0.5A CPH3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 120mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 2V
전력-최대: 700mW
주파수-전환: 690MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: 3-CPH

재고 있음8,514

50A02MH-TL-E

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 50V 0.5A MCPH3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 120mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 2V
전력-최대: 600mW
주파수-전환: 690MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: 3-MCPH

재고 있음240,330

50A02SS-TL-E

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 50V 0.4A SSFP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 400mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 120mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 2V
전력-최대: 200mW
주파수-전환: 690MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-81
공급자 장치 패키지: 3-SSFP

재고 있음267,750

50C02CH-TL-E

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 50V 0.5A CPH3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V
전력-최대: 700mW
주파수-전환: 500MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: 3-CPH

재고 있음42,906

50C02MH-TL-E

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 50V 0.5A MCPH3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V
전력-최대: 600mW
주파수-전환: 500MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: 3-MCPH

재고 있음43,788

50C02SS-TL-E

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 50V 0.4A SSFP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 400mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V
전력-최대: 200mW
주파수-전환: 500MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: 3-SSFP

재고 있음89,754

5885-2N5434

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

BIP T03 NPN 25A 60V

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,214

6385_2N2907A

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP GENERAL PURPOSE

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 50nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 10V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-18

재고 있음6,966

6585_2N4209

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP GENERAL PURPOSE

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 800mV @ 100µA, 1mA
전류-수집기 차단 (최대): 10nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 35 @ 1mA, 5V
전력-최대: 300mW
주파수-전환: 850MHz
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Die
공급자 장치 패키지: Die

재고 있음5,922

6685_2N3906

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP GENERAL PURPOSE

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 250MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Die
공급자 장치 패키지: Die

재고 있음4,446

6685-MMBT3906

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN SOT23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,680

6686-2N3906

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,680

6785_2N4033

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP GENERAL PURPOSE

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 75 @ 100µA, 5V
전력-최대: 800mW
주파수-전환: -
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: Die
공급자 장치 패키지: Die

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