트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
BC214_J35Z ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 30V 0.5A TO-9 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 140 @ 2mA, 5V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 200MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음5,328
BC214L ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 30V 0.5A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 140 @ 2mA, 5V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 200MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음6,066
BC214LB ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 30V 0.5A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 140 @ 2mA, 5V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 200MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음2,340
BC214LB_J35Z ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 30V 0.5A TO-9 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 140 @ 2mA, 5V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 200MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음7,848
BC214LB_L34Z ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 30V 0.5A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 140 @ 2mA, 5V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 200MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음4,320
BC214LC ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 30V 0.5A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 140 @ 2mA, 5V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 200MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음4,374
BC214LC_J35Z ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 30V 0.5A TO-9 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 140 @ 2mA, 5V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 200MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음4,140
BC214L_D26Z ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 30V 0.5A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 140 @ 2mA, 5V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 200MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음4,104
BC214L_J35Z ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 30V 0.5A TO-9 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 140 @ 2mA, 5V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 200MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음4,626
BC214L_L34Z ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 30V 0.5A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 140 @ 2mA, 5V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 200MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음2,592
BC237 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 45V 0.1A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 15nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V 전력-최대: 350mW 주파수-전환: 200MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음6,282
BC237A ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 45V 0.1A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 15nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 250MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음2,736
BC237A-AP Micro Commercial Co	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN TO-92 제조업체: Micro Commercial Co 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V 전력-최대: 350mW 주파수-전환: 200MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92	재고 있음2,034
BC237ABU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 45V 0.1A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 15nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 250MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음2,484
BC237A_J35Z ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 45V 0.1A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 15nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 250MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음2,808
BC237ATA ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 45V 0.1A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 15nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 250MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음3,960
BC237B Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 15nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V 전력-최대: 300mW 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92	재고 있음6,714
BC237B-AP Micro Commercial Co	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN TO-92 제조업체: Micro Commercial Co 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V 전력-최대: 350mW 주파수-전환: 200MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92	재고 있음2,952
BC237BBU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 45V 0.1A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 15nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 250MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음5,742
BC237BG ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 45V 0.1A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 15nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 200MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음6,246
BC237B_J35Z ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 45V 0.1A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 15nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 250MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음6,120
BC237BRL1 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 45V 0.1A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 15nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V 전력-최대: 350mW 주파수-전환: 200MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음8,136
BC237BRL1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 45V 0.1A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 15nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 200MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음7,272
BC237B_S00Z ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANSISTOR NPN 45V 100MA TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 15nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 250MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음8,244
BC237BTA ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 45V 0.1A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 15nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 250MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음4,626
BC237BTAR ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 45V 0.1A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 15nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 250MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음4,140
BC237BTF ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 45V 0.1A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 15nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 250MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음4,158
BC237BTFR ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 45V 0.1A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 15nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 250MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음8,442
BC237BU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 45V 0.1A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 15nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 250MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음4,824
BC237BZL1 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 45V 0.1A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 15nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V 전력-최대: 350mW 주파수-전환: 200MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음6,768

BC214_J35Z

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 30V 0.5A TO-9

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 140 @ 2mA, 5V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 200MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음5,328

BC214L

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 30V 0.5A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 140 @ 2mA, 5V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 200MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음6,066

BC214LB

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 30V 0.5A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 140 @ 2mA, 5V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 200MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음2,340

BC214LB_J35Z

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 30V 0.5A TO-9

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 140 @ 2mA, 5V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 200MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음7,848

BC214LB_L34Z

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 30V 0.5A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 140 @ 2mA, 5V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 200MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음4,320

BC214LC

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 30V 0.5A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 140 @ 2mA, 5V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 200MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음4,374

BC214LC_J35Z

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 30V 0.5A TO-9

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 140 @ 2mA, 5V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 200MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음4,140

BC214L_D26Z

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 30V 0.5A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 140 @ 2mA, 5V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 200MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음4,104

BC214L_J35Z

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 30V 0.5A TO-9

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 140 @ 2mA, 5V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 200MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음4,626

BC214L_L34Z

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 30V 0.5A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 140 @ 2mA, 5V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 200MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음2,592

BC237

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 45V 0.1A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 15nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V
전력-최대: 350mW
주파수-전환: 200MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음6,282

BC237A

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 45V 0.1A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 15nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 250MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음2,736

BC237A-AP

Micro Commercial Co

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN TO-92

제조업체: Micro Commercial Co
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V
전력-최대: 350mW
주파수-전환: 200MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92

재고 있음2,034

BC237ABU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 45V 0.1A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 15nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 250MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음2,484

BC237A_J35Z

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 45V 0.1A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 15nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 250MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음2,808

BC237ATA

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 45V 0.1A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 15nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 250MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음3,960

BC237B

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 15nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V
전력-최대: 300mW
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92

재고 있음6,714

BC237B-AP

Micro Commercial Co

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN TO-92

제조업체: Micro Commercial Co
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
전력-최대: 350mW
주파수-전환: 200MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92

재고 있음2,952

BC237BBU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 45V 0.1A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 15nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 250MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음5,742

BC237BG

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 45V 0.1A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 15nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 200MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음6,246

BC237B_J35Z

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 45V 0.1A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 15nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 250MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음6,120

BC237BRL1

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 45V 0.1A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 15nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
전력-최대: 350mW
주파수-전환: 200MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음8,136

BC237BRL1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 45V 0.1A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 15nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 200MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음7,272

BC237B_S00Z

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANSISTOR NPN 45V 100MA TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 15nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 250MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음8,244

BC237BTA

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 45V 0.1A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 15nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 250MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음4,626

BC237BTAR

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 45V 0.1A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 15nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 250MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음4,140

BC237BTF

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 45V 0.1A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 15nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 250MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음4,158

BC237BTFR

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 45V 0.1A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 15nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 250MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음8,442

BC237BU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 45V 0.1A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 15nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 250MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음4,824

BC237BZL1

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 45V 0.1A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 15nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
전력-최대: 350mW
주파수-전환: 200MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음6,768

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