트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
BC32716TF ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 45V 0.8A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음4,914
BC32716TFR ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 45V 0.8A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음3,258
BC327-16ZL1 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 45V 0.8A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 260MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음6,696
BC327-16ZL1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 45V 0.8A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 260MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음2,448
BC32725 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 45V 0.8A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음278
BC327-25,112 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 45V 0.5A TO-92 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 80MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음5,436
BC327-25,116 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 45V 0.5A TO-92 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 80MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음2,574
BC327-25-AP Micro Commercial Co	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 45V 0.8A TO-92 제조업체: Micro Commercial Co 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 200nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 260MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92	재고 있음23,562
BC32725BU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 45V 0.8A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음97,938
BC32725_J18Z ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 45V 0.8A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음7,416
BC32725_J35Z ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 45V 0.8A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음2,790
BC327-25RL1 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 45V 0.8A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 260MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음5,850
BC327-25RL1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 45V 0.8A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V 전력-최대: 1.5W 주파수-전환: 260MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음4,644
BC32725TA ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 45V 0.8A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음105,744
BC32725TAR ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 45V 0.8A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음2,304
BC32725TF ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 45V 0.8A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음3,490
BC32725TFR ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 45V 0.8A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음3,580
BC327-25ZL1 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 45V 0.8A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 260MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음2,304
BC327-25ZL1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 45V 0.8A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 260MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음4,500
BC327-40,112 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 45V 0.5A TO-92 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 80MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음4,176
BC327-40,116 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 45V 0.5A TO-92 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 80MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음6,984
BC327-40-AP Micro Commercial Co	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 45V 0.8A TO-92 제조업체: Micro Commercial Co 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 200nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 260MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92	재고 있음112,596
BC32740BU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 45V 0.8A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음55,338
BC32740TA ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 45V 0.8A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음46,836
BC327-40ZL1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 45V 0.8A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V 전력-최대: 1.5W 주파수-전환: 260MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음2,862
BC327,412 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 45V 0.5A TO-92 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 80MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음3,168
BC327A ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 45V 0.8A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음6,714
BC327ABU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 45V 0.8A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음5,598
BC327A_J35Z ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 45V 0.8A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음7,470
BC327-AP Micro Commercial Co	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 45V 0.8A TO-92 제조업체: Micro Commercial Co 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 200nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 260MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92	재고 있음3,978

BC32716TF

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 45V 0.8A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음4,914

BC32716TFR

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 45V 0.8A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음3,258

BC327-16ZL1

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 45V 0.8A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 260MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음6,696

BC327-16ZL1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 45V 0.8A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 260MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음2,448

BC32725

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 45V 0.8A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음278

BC327-25,112

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 45V 0.5A TO-92

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 80MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음5,436

BC327-25,116

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 45V 0.5A TO-92

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 80MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음2,574

BC327-25-AP

Micro Commercial Co

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 45V 0.8A TO-92

제조업체: Micro Commercial Co
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 200nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 260MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92

재고 있음23,562

BC32725BU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 45V 0.8A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음97,938

BC32725_J18Z

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 45V 0.8A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음7,416

BC32725_J35Z

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 45V 0.8A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음2,790

BC327-25RL1

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 45V 0.8A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 260MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음5,850

BC327-25RL1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 45V 0.8A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
전력-최대: 1.5W
주파수-전환: 260MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음4,644

BC32725TA

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 45V 0.8A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음105,744

BC32725TAR

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 45V 0.8A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음2,304

BC32725TF

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 45V 0.8A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음3,490

BC32725TFR

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 45V 0.8A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음3,580

BC327-25ZL1

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 45V 0.8A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 260MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음2,304

BC327-25ZL1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 45V 0.8A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 260MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음4,500

BC327-40,112

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 45V 0.5A TO-92

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 80MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음4,176

BC327-40,116

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 45V 0.5A TO-92

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 80MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음6,984

BC327-40-AP

Micro Commercial Co

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 45V 0.8A TO-92

제조업체: Micro Commercial Co
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 200nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 260MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92

재고 있음112,596

BC32740BU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 45V 0.8A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음55,338

BC32740TA

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 45V 0.8A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음46,836

BC327-40ZL1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 45V 0.8A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
전력-최대: 1.5W
주파수-전환: 260MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음2,862

BC327,412

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 45V 0.5A TO-92

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 80MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음3,168

BC327A

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 45V 0.8A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음6,714

BC327ABU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 45V 0.8A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음5,598

BC327A_J35Z

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 45V 0.8A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음7,470

BC327-AP

Micro Commercial Co

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 45V 0.8A TO-92

제조업체: Micro Commercial Co
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 200nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 260MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92

재고 있음3,978

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