트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
BC516_J35Z ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 30V 1A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30000 @ 20mA, 2V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 200MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음2,286
BC516_L34Z ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 30V 1A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30000 @ 20mA, 2V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 200MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음6,606
BC517 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 30V 1A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30000 @ 20mA, 2V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 200MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음3,150
BC517,112 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 30V 0.5A TO-92 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30000 @ 20mA, 2V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 220MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음7,776
BC517,116 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 30V 0.5A TO-92 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30000 @ 20mA, 2V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 220MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음6,984
BC517_D26Z ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 30V 1.2A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30000 @ 20mA, 2V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음4,338
BC517_D27Z ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 30V 1.2A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30000 @ 20mA, 2V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음7,074
BC517-D74Z ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 30V 1.2A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30000 @ 20mA, 2V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음197,916
BC517_D75Z ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 30V 1.2A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30000 @ 20mA, 2V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음8,028
BC517G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 30V 1A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30000 @ 20mA, 2V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 200MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음1,180
BC517_J35Z ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 30V 1.2A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30000 @ 20mA, 2V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음7,488
BC517_L34Z ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 30V 1.2A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30000 @ 20mA, 2V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음8,262
BC517RL1 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 30V 1A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30000 @ 20mA, 2V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 200MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음6,696
BC517RL1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 30V 1A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30000 @ 20mA, 2V 전력-최대: 1.5W 주파수-전환: 200MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음5,076
BC517ZL1 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 30V 1A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30000 @ 20mA, 2V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 200MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음6,552
BC517ZL1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 30V 1A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30000 @ 20mA, 2V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 200MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음2,808
BC51PA,115 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 45V 1A SOT1061 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V 전력-최대: 420mW 주파수-전환: 145MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-PowerUDFN 공급자 장치 패키지: 3-HUSON (2x2)	재고 있음44,658
BC51PASX Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 IC TRANS PNP 1A 45V SOT1061 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V 전력-최대: 420mW 주파수-전환: 145MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-UDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: DFN2020D-3	재고 있음3,132
BC52-10PA,115 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 60V 1A SOT1061 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V 전력-최대: 420mW 주파수-전환: 145MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-PowerUDFN 공급자 장치 패키지: 3-HUSON (2x2)	재고 있음5,688
BC52-10PASX Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 IC TRANS PNP 1A 60 SOT1061 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V 전력-최대: 420mW 주파수-전환: 145MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-UDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: DFN2020D-3	재고 있음4,410
BC52-16PA,115 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 60V 1A SOT1061 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V 전력-최대: 420mW 주파수-전환: 145MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-PowerUDFN 공급자 장치 패키지: 3-HUSON (2x2)	재고 있음8,244
BC52-16PASX Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 IC TRANS PNP 1A 60 SOT1061 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V 전력-최대: 420mW 주파수-전환: 145MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-UDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: DFN2020D-3	재고 있음3,204
BC52PA,115 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 60V 1A SOT1061 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V 전력-최대: 420mW 주파수-전환: 145MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-PowerUDFN 공급자 장치 패키지: 3-HUSON (2x2)	재고 있음8,640
BC52PASX Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 IC TRANS PNP 1A 60 SOT1061 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V 전력-최대: 420mW 주파수-전환: 145MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-UDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: DFN2020D-3	재고 있음8,820
BC53-10PA,115 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 80V 1A SOT1061 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V 전력-최대: 420mW 주파수-전환: 145MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-PowerUDFN 공급자 장치 패키지: 3-HUSON (2x2)	재고 있음5,508
BC53-10PASX Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 IC TRANS PNP 1A 80V SOT1061 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V 전력-최대: 420mW 주파수-전환: 145MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-UDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: DFN2020D-3	재고 있음3,204
BC53-16PA,115 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 80V 1A SOT1061 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V 전력-최대: 420mW 주파수-전환: 145MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-PowerUDFN 공급자 장치 패키지: 3-HUSON (2x2)	재고 있음2,214
BC53-16PA-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 80V 1A UDFN 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V 전력-최대: 520mW 주파수-전환: 125MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-UDFN 공급자 장치 패키지: U-DFN-2020-3	재고 있음7,020
BC53-16PASX Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 IC TRANS PNP 1A 80V SOT1061 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V 전력-최대: 420mW 주파수-전환: 145MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-UDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: DFN2020D-3	재고 있음8,712
BC53PA,115 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 80V 1A SOT1061 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V 전력-최대: 420mW 주파수-전환: 145MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-PowerUDFN 공급자 장치 패키지: 3-HUSON (2x2)	재고 있음25,656

BC516_J35Z

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 30V 1A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30000 @ 20mA, 2V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 200MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음2,286

BC516_L34Z

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 30V 1A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30000 @ 20mA, 2V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 200MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음6,606

BC517

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 30V 1A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30000 @ 20mA, 2V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 200MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음3,150

BC517,112

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 30V 0.5A TO-92

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30000 @ 20mA, 2V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 220MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음7,776

BC517,116

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 30V 0.5A TO-92

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30000 @ 20mA, 2V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 220MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음6,984

BC517_D26Z

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 30V 1.2A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30000 @ 20mA, 2V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음4,338

BC517_D27Z

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 30V 1.2A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30000 @ 20mA, 2V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음7,074

BC517-D74Z

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 30V 1.2A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30000 @ 20mA, 2V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음197,916

BC517_D75Z

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 30V 1.2A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30000 @ 20mA, 2V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음8,028

BC517G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 30V 1A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30000 @ 20mA, 2V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 200MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음1,180

BC517_J35Z

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 30V 1.2A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30000 @ 20mA, 2V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음7,488

BC517_L34Z

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 30V 1.2A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30000 @ 20mA, 2V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음8,262

BC517RL1

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 30V 1A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30000 @ 20mA, 2V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 200MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음6,696

BC517RL1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 30V 1A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30000 @ 20mA, 2V
전력-최대: 1.5W
주파수-전환: 200MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음5,076

BC517ZL1

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 30V 1A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30000 @ 20mA, 2V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 200MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음6,552

BC517ZL1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 30V 1A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30000 @ 20mA, 2V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 200MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음2,808

BC51PA,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 45V 1A SOT1061

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
전력-최대: 420mW
주파수-전환: 145MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-PowerUDFN
공급자 장치 패키지: 3-HUSON (2x2)

재고 있음44,658

BC51PASX

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

IC TRANS PNP 1A 45V SOT1061

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
전력-최대: 420mW
주파수-전환: 145MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-UDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: DFN2020D-3

재고 있음3,132

BC52-10PA,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 60V 1A SOT1061

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
전력-최대: 420mW
주파수-전환: 145MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-PowerUDFN
공급자 장치 패키지: 3-HUSON (2x2)

재고 있음5,688

BC52-10PASX

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

IC TRANS PNP 1A 60 SOT1061

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
전력-최대: 420mW
주파수-전환: 145MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-UDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: DFN2020D-3

재고 있음4,410

BC52-16PA,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 60V 1A SOT1061

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
전력-최대: 420mW
주파수-전환: 145MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-PowerUDFN
공급자 장치 패키지: 3-HUSON (2x2)

재고 있음8,244

BC52-16PASX

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

IC TRANS PNP 1A 60 SOT1061

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
전력-최대: 420mW
주파수-전환: 145MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-UDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: DFN2020D-3

재고 있음3,204

BC52PA,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 60V 1A SOT1061

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
전력-최대: 420mW
주파수-전환: 145MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-PowerUDFN
공급자 장치 패키지: 3-HUSON (2x2)

재고 있음8,640

BC52PASX

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

IC TRANS PNP 1A 60 SOT1061

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
전력-최대: 420mW
주파수-전환: 145MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-UDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: DFN2020D-3

재고 있음8,820

BC53-10PA,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 80V 1A SOT1061

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
전력-최대: 420mW
주파수-전환: 145MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-PowerUDFN
공급자 장치 패키지: 3-HUSON (2x2)

재고 있음5,508

BC53-10PASX

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

IC TRANS PNP 1A 80V SOT1061

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
전력-최대: 420mW
주파수-전환: 145MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-UDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: DFN2020D-3

재고 있음3,204

BC53-16PA,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 80V 1A SOT1061

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
전력-최대: 420mW
주파수-전환: 145MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-PowerUDFN
공급자 장치 패키지: 3-HUSON (2x2)

재고 있음2,214

BC53-16PA-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 80V 1A UDFN

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
전력-최대: 520mW
주파수-전환: 125MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-UDFN
공급자 장치 패키지: U-DFN-2020-3

재고 있음7,020

BC53-16PASX

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

IC TRANS PNP 1A 80V SOT1061

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
전력-최대: 420mW
주파수-전환: 145MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-UDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: DFN2020D-3

재고 있음8,712

BC53PA,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 80V 1A SOT1061

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
전력-최대: 420mW
주파수-전환: 145MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-PowerUDFN
공급자 장치 패키지: 3-HUSON (2x2)

재고 있음25,656

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