트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
BCP56-16TF Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 80V 1A SOT223 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V 전력-최대: - 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA 공급자 장치 패키지: SC-73	재고 있음7,920
BCP56-16-TP Micro Commercial Co	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 80V 1A SOT223 제조업체: Micro Commercial Co 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V 전력-최대: 1.5W 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA 공급자 장치 패키지: SOT-223	재고 있음151,536
BCP56-16TX Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 80V 1A SOT223 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V 전력-최대: 1.35W 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA 공급자 장치 패키지: SC-73	재고 있음5,886
BCP56F Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 BCP56/SC-73/REEL 13"" Q1/T1 ST 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA 공급자 장치 패키지: SC-73	재고 있음31,710
BCP56HX Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 80V 1A SC73 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V 전력-최대: - 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA 공급자 장치 패키지: SC-73	재고 있음23,328
BCP56T1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 80V 1A SOT223 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V 전력-최대: 1.5W 주파수-전환: 130MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA 공급자 장치 패키지: SOT-223	재고 있음740,910
BCP56T3G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 80V 1A SOT-223 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V 전력-최대: 1.5W 주파수-전환: 130MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA 공급자 장치 패키지: SOT-223	재고 있음312,102
BCP56TA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 80V 1A SOT223-4 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA 공급자 장치 패키지: SOT-223	재고 있음26,352
BCP56TF Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 80V 1A SOT223 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V 전력-최대: 1.8W 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA 공급자 장치 패키지: SC-73	재고 있음34,398
BCP56TX Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 80V 1A SOT223 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V 전력-최대: 1.8W 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA 공급자 장치 패키지: SC-73	재고 있음3,312
BCP56/ZLF Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 MEDIUM POWER TRANSISTOR 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V 전력-최대: 1.35W 주파수-전환: 180MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA 공급자 장치 패키지: SC-73	재고 있음2,268
BCP56/ZLX Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 MEDIUM POWER TRANSISTOR 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V 전력-최대: 1.35W 주파수-전환: 180MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA 공급자 장치 패키지: SC-73	재고 있음7,254
BCP68 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 20V 1A SOT-223 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V 전력-최대: 1.5W 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA 공급자 장치 패키지: SOT-223-4	재고 있음8,010
BCP68,115 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 20V 1A SOT223 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V 전력-최대: 1.4W 주파수-전환: 170MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA 공급자 장치 패키지: SC-73	재고 있음72,570
BCP68-25,115 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 20V 2A SOT223 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 1V 전력-최대: 650mW 주파수-전환: 170MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA 공급자 장치 패키지: SC-73	재고 있음106,410
BCP68-25,135 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 20V 1A SOT223 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 1V 전력-최대: 650mW 주파수-전환: 170MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA 공급자 장치 패키지: SC-73	재고 있음2,826
BCP 68-25 E6327 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 20V 1A SOT-223 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 1V 전력-최대: 3W 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA 공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4	재고 있음4,140
BCP 68-25 H6327 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 20V 1A SOT223 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 1V 전력-최대: 3W 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA 공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4	재고 있음2,484
BCP6825TA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 20V 1A SOT-223 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 1V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA 공급자 장치 패키지: SOT-223	재고 있음3,258
BCP6825TC Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 20V 1A SOT223 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 1V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA 공급자 장치 패키지: SOT-223	재고 있음8,424
BCP68-25/ZLF Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 MEDIUM POWER TRANSISTOR 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 1V 전력-최대: 1.35W 주파수-전환: 170MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA 공급자 장치 패키지: SC-73	재고 있음5,346
BCP68-25/ZLX Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 MEDIUM POWER TRANSISTOR 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 1V 전력-최대: 1.35W 주파수-전환: 170MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA 공급자 장치 패키지: SC-73	재고 있음3,402
BCP68F Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 BCP68/SC-73/REEL 13"" Q1/T1 ST 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA 공급자 장치 패키지: SC-73	재고 있음82,548
BCP68T1 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 20V 1A SOT223 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V 전력-최대: 1.5W 주파수-전환: 60MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA 공급자 장치 패키지: SOT-223	재고 있음274
BCP68T1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 20V 1A SOT223 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V 전력-최대: 1.5W 주파수-전환: 60MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA 공급자 장치 패키지: SOT-223	재고 있음13,566
BCP68TA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 20V 1A SOT-223 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 63 @ 500mA, 1V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA 공급자 장치 패키지: SOT-223	재고 있음8,820
BCP68/ZLF Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 MEDIUM POWER TRANSISTOR 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 1V 전력-최대: 1.35W 주파수-전환: 170MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA 공급자 장치 패키지: SC-73	재고 있음8,784
BCP68/ZLX Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 MEDIUM POWER TRANSISTOR 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 1V 전력-최대: 1.35W 주파수-전환: 170MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA 공급자 장치 패키지: SC-73	재고 있음7,290
BCP69 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 20V 1.5A SOT-223 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA 공급자 장치 패키지: SOT-223-4	재고 있음2,736
BCP69,115 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 20V 1A SOT223 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V 전력-최대: 1.4W 주파수-전환: 140MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA 공급자 장치 패키지: SC-73	재고 있음14,448

BCP56-16TF

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 1A SOT223

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
전력-최대: -
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA
공급자 장치 패키지: SC-73

재고 있음7,920

BCP56-16-TP

Micro Commercial Co

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 1A SOT223

제조업체: Micro Commercial Co
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
전력-최대: 1.5W
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA
공급자 장치 패키지: SOT-223

재고 있음151,536

BCP56-16TX

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 1A SOT223

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
전력-최대: 1.35W
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA
공급자 장치 패키지: SC-73

재고 있음5,886

BCP56F

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

BCP56/SC-73/REEL 13"" Q1/T1 *ST

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA
공급자 장치 패키지: SC-73

재고 있음31,710

BCP56HX

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 1A SC73

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
전력-최대: -
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA
공급자 장치 패키지: SC-73

재고 있음23,328

BCP56T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 1A SOT223

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
전력-최대: 1.5W
주파수-전환: 130MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA
공급자 장치 패키지: SOT-223

재고 있음740,910

BCP56T3G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 1A SOT-223

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
전력-최대: 1.5W
주파수-전환: 130MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA
공급자 장치 패키지: SOT-223

재고 있음312,102

BCP56TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 1A SOT223-4

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA
공급자 장치 패키지: SOT-223

재고 있음26,352

BCP56TF

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 1A SOT223

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
전력-최대: 1.8W
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA
공급자 장치 패키지: SC-73

재고 있음34,398

BCP56TX

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 1A SOT223

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
전력-최대: 1.8W
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA
공급자 장치 패키지: SC-73

재고 있음3,312

BCP56/ZLF

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

MEDIUM POWER TRANSISTOR

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
전력-최대: 1.35W
주파수-전환: 180MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA
공급자 장치 패키지: SC-73

재고 있음2,268

BCP56/ZLX

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

MEDIUM POWER TRANSISTOR

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
전력-최대: 1.35W
주파수-전환: 180MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA
공급자 장치 패키지: SC-73

재고 있음7,254

BCP68

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 20V 1A SOT-223

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
전력-최대: 1.5W
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA
공급자 장치 패키지: SOT-223-4

재고 있음8,010

BCP68,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 20V 1A SOT223

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
전력-최대: 1.4W
주파수-전환: 170MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA
공급자 장치 패키지: SC-73

재고 있음72,570

BCP68-25,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 20V 2A SOT223

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 1V
전력-최대: 650mW
주파수-전환: 170MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA
공급자 장치 패키지: SC-73

재고 있음106,410

BCP68-25,135

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 20V 1A SOT223

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 1V
전력-최대: 650mW
주파수-전환: 170MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA
공급자 장치 패키지: SC-73

재고 있음2,826

BCP 68-25 E6327

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 20V 1A SOT-223

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 1V
전력-최대: 3W
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA
공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4

재고 있음4,140

BCP 68-25 H6327

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 20V 1A SOT223

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 1V
전력-최대: 3W
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA
공급자 장치 패키지: PG-SOT223-4

재고 있음2,484

BCP6825TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 20V 1A SOT-223

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 1V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA
공급자 장치 패키지: SOT-223

재고 있음3,258

BCP6825TC

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 20V 1A SOT223

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 1V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA
공급자 장치 패키지: SOT-223

재고 있음8,424

BCP68-25/ZLF

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

MEDIUM POWER TRANSISTOR

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 1V
전력-최대: 1.35W
주파수-전환: 170MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA
공급자 장치 패키지: SC-73

재고 있음5,346

BCP68-25/ZLX

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

MEDIUM POWER TRANSISTOR

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 1V
전력-최대: 1.35W
주파수-전환: 170MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA
공급자 장치 패키지: SC-73

재고 있음3,402

BCP68F

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

BCP68/SC-73/REEL 13"" Q1/T1 *ST

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA
공급자 장치 패키지: SC-73

재고 있음82,548

BCP68T1

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 20V 1A SOT223

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
전력-최대: 1.5W
주파수-전환: 60MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA
공급자 장치 패키지: SOT-223

재고 있음274

BCP68T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 20V 1A SOT223

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
전력-최대: 1.5W
주파수-전환: 60MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA
공급자 장치 패키지: SOT-223

재고 있음13,566

BCP68TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 20V 1A SOT-223

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 63 @ 500mA, 1V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA
공급자 장치 패키지: SOT-223

재고 있음8,820

BCP68/ZLF

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

MEDIUM POWER TRANSISTOR

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 1V
전력-최대: 1.35W
주파수-전환: 170MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA
공급자 장치 패키지: SC-73

재고 있음8,784

BCP68/ZLX

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

MEDIUM POWER TRANSISTOR

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 1V
전력-최대: 1.35W
주파수-전환: 170MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA
공급자 장치 패키지: SC-73

재고 있음7,290

BCP69

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 20V 1.5A SOT-223

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA
공급자 장치 패키지: SOT-223-4

재고 있음2,736

BCP69,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 20V 1A SOT223

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
전력-최대: 1.4W
주파수-전환: 140MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA
공급자 장치 패키지: SC-73

재고 있음14,448

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