트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
BCX71K_S00Z ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANSISTOR PNP 45V 500MA SOT-23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 20nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V 전력-최대: 350mW 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음7,740
BCX79 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 45V 0.5A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 2.5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 10nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 1V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음8,118
BCX799 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 45V 0.5A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 2.5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 10nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 1V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음7,362
BCX799_D26Z ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 45V 0.5A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 2.5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 10nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 1V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음8,712
BCX799_D27Z ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 45V 0.5A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 2.5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 10nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 1V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음6,012
BCX799_J35Z ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 45V 0.5A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 2.5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 10nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 1V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음7,218
BCX79_J35Z ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 45V 0.5A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 2.5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 10nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 1V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음7,722
BCY59IX STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 45V 0.2A TO-18 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 2.5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 10nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V 전력-최대: 390mW 주파수-전환: 200MHz 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-18	재고 있음5,364
BCY59-IX Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 2.5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 10nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 630 @ 10mA, 1V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-18	재고 있음3,780
BCY59-VII Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 2.5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 10nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-18	재고 있음2,358
BCY59VIII STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 45V 0.2A TO-18 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 2.5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 10nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V 전력-최대: 390mW 주파수-전환: 200MHz 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-18	재고 있음4,914
BCY59-VIII Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 2.5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 10nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-18	재고 있음2,898
BCY59X STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 45V 0.2A TO-18 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 2.5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 10nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V 전력-최대: 390mW 주파수-전환: 200MHz 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-18	재고 있음6,516
BCY59-X Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 2.5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 10nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-18	재고 있음6,768
BCY79-IX Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 800mV @ 2.5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-18	재고 있음7,380
BCY79-VII Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 800mV @ 2.5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-18	재고 있음7,110
BCY79-VIII Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 800mV @ 2.5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-18	재고 있음7,956
BCY79-X Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 800mV @ 2.5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-18	재고 있음5,202
BD135 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 45V 1.5A TO225AA 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V 전력-최대: 1.25W 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3 공급자 장치 패키지: TO-225AA	재고 있음3,580
BD135 STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 45V 1.5A SOT-32 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V 전력-최대: 1.25W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3 공급자 장치 패키지: SOT-32-3	재고 있음29,148
BD135-10-BP Micro Commercial Co	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN TO-126 제조업체: Micro Commercial Co 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V 전력-최대: 1.25W 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3 공급자 장치 패키지: TO-126	재고 있음7,614
BD13510S ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 45V 1.5A TO-126 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V 전력-최대: 1.25W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3 공급자 장치 패키지: TO-126-3	재고 있음6,498
BD13510STU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 45V 1.5A TO-126 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V 전력-최대: 1.25W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3 공급자 장치 패키지: TO-126-3	재고 있음14,748
BD135-16 STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 45V 1.5A SOT-32 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V 전력-최대: 1.25W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3 공급자 장치 패키지: SOT-32	재고 있음7,542
BD135-16-BP Micro Commercial Co	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN TO-126 제조업체: Micro Commercial Co 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V 전력-최대: 1.25W 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3 공급자 장치 패키지: TO-126	재고 있음2,178
BD13516S ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 45V 1.5A TO-126 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V 전력-최대: 1.25W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3 공급자 장치 패키지: TO-126-3	재고 있음22,374
BD13516STU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 45V 1.5A TO-126 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V 전력-최대: 1.25W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3 공급자 장치 패키지: TO-126-3	재고 있음19,842
BD135-6-BP Micro Commercial Co	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN TO-126 제조업체: Micro Commercial Co 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V 전력-최대: 1.25W 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3 공급자 장치 패키지: TO-126	재고 있음2,394
BD1356S ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 45V 1.5A TO-126 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V 전력-최대: 1.25W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3 공급자 장치 패키지: TO-126-3	재고 있음3,508
BD1356STU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 45V 1.5A TO-126 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V 전력-최대: 1.25W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3 공급자 장치 패키지: TO-126-3	재고 있음3,544

BCX71K_S00Z

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANSISTOR PNP 45V 500MA SOT-23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 20nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V
전력-최대: 350mW
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음7,740

BCX79

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 45V 0.5A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 2.5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 10nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 1V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음8,118

BCX799

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 45V 0.5A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 2.5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 10nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 1V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음7,362

BCX799_D26Z

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 45V 0.5A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 2.5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 10nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 1V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음8,712

BCX799_D27Z

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 45V 0.5A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 2.5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 10nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 1V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음6,012

BCX799_J35Z

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 45V 0.5A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 2.5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 10nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 1V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음7,218

BCX79_J35Z

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 45V 0.5A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 2.5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 10nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 1V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음7,722

BCY59IX

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 45V 0.2A TO-18

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 2.5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 10nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V
전력-최대: 390mW
주파수-전환: 200MHz
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-18

재고 있음5,364

BCY59-IX

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 2.5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 10nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 630 @ 10mA, 1V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-18

재고 있음3,780

BCY59-VII

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 2.5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 10nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-18

재고 있음2,358

BCY59VIII

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 45V 0.2A TO-18

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 2.5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 10nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V
전력-최대: 390mW
주파수-전환: 200MHz
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-18

재고 있음4,914

BCY59-VIII

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 2.5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 10nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-18

재고 있음2,898

BCY59X

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 45V 0.2A TO-18

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 2.5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 10nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V
전력-최대: 390mW
주파수-전환: 200MHz
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-18

재고 있음6,516

BCY59-X

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 2.5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 10nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-18

재고 있음6,768

BCY79-IX

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 800mV @ 2.5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-18

재고 있음7,380

BCY79-VII

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 800mV @ 2.5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-18

재고 있음7,110

BCY79-VIII

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 800mV @ 2.5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-18

재고 있음7,956

BCY79-X

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 800mV @ 2.5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-18

재고 있음5,202

BD135

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 45V 1.5A TO225AA

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
전력-최대: 1.25W
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3
공급자 장치 패키지: TO-225AA

재고 있음3,580

BD135

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 45V 1.5A SOT-32

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
전력-최대: 1.25W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3
공급자 장치 패키지: SOT-32-3

재고 있음29,148

BD135-10-BP

Micro Commercial Co

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN TO-126

제조업체: Micro Commercial Co
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
전력-최대: 1.25W
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3
공급자 장치 패키지: TO-126

재고 있음7,614

BD13510S

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 45V 1.5A TO-126

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
전력-최대: 1.25W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3
공급자 장치 패키지: TO-126-3

재고 있음6,498

BD13510STU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 45V 1.5A TO-126

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
전력-최대: 1.25W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3
공급자 장치 패키지: TO-126-3

재고 있음14,748

BD135-16

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 45V 1.5A SOT-32

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
전력-최대: 1.25W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3
공급자 장치 패키지: SOT-32

재고 있음7,542

BD135-16-BP

Micro Commercial Co

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN TO-126

제조업체: Micro Commercial Co
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
전력-최대: 1.25W
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3
공급자 장치 패키지: TO-126

재고 있음2,178

BD13516S

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 45V 1.5A TO-126

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
전력-최대: 1.25W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3
공급자 장치 패키지: TO-126-3

재고 있음22,374

BD13516STU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 45V 1.5A TO-126

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
전력-최대: 1.25W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3
공급자 장치 패키지: TO-126-3

재고 있음19,842

BD135-6-BP

Micro Commercial Co

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN TO-126

제조업체: Micro Commercial Co
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
전력-최대: 1.25W
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3
공급자 장치 패키지: TO-126

재고 있음2,394

BD1356S

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 45V 1.5A TO-126

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
전력-최대: 1.25W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3
공급자 장치 패키지: TO-126-3

재고 있음3,508

BD1356STU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 45V 1.5A TO-126

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
전력-최대: 1.25W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3
공급자 장치 패키지: TO-126-3

재고 있음3,544

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