트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
BD241A-S Bourns	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 60V 3A 제조업체: Bourns Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 600mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 300µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220	재고 있음5,436
BD241ATU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 60V 3A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 600mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 300µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V 전력-최대: 40W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음2,214
BD241B-S Bourns	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 80V 3A 제조업체: Bourns Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 600mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 300µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220	재고 있음7,668
BD241BTU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 80V 3A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 600mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 300µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V 전력-최대: 40W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음8,424
BD241C ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 100V 3A TO220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 600mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 300µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V 전력-최대: 40W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음3,816
BD241C STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 100V 3A TO-220 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 600mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 300µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V 전력-최대: 40W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220	재고 있음22,380
BD241CG ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 100V 3A TO220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 600mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 300µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V 전력-최대: 40W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음23,016
BD241C-S Bourns	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 100V 3A 제조업체: Bourns Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 600mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 300µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V 전력-최대: 40W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220	재고 있음5,616
BD241CTU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 100V 3A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 600mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 300µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V 전력-최대: 40W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음17,658
BD241D-S Bourns	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 120V 3A 제조업체: Bourns Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 750MA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 300µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220	재고 있음5,850
BD241E-S Bourns	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 140V 3A TO-220 제조업체: Bourns Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 140V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 750MA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 300µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220	재고 있음3,690
BD241F-S Bourns	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 160V 3A 제조업체: Bourns Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 160V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 750MA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 300µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220	재고 있음4,338
BD241-S Bourns	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 45V 3A 제조업체: Bourns Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 600mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 300µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220	재고 있음5,940
BD241TU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 45V 3A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 600mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 300µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V 전력-최대: 40W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음8,172
BD242A-S Bourns	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 60V 3A 제조업체: Bourns Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 600mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 300µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220	재고 있음5,670
BD242ATU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 60V 3A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 600mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 300µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V 전력-최대: 40W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음2,682
BD242B ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 80V 3A TO220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 600mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 300µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V 전력-최대: 40W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음6,876
BD242B STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 80V 3A TO-220 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 600mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 300µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음12,714
BD242BG ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 80V 3A TO220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 600mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 300µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V 전력-최대: 40W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음18,984
BD242B-S Bourns	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 90V 3A 제조업체: Bourns Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 90V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 600mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 200µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,268
BD242C ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 100V 3A TO220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 600mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 300µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V 전력-최대: 40W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음60,892
BD242CG ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 100V 3A TO220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 600mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 300µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V 전력-최대: 40W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음11,820
BD242C-S Bourns	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 100V 3A 제조업체: Bourns Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 600mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 300µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220	재고 있음3,348
BD242CTU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 100V 3A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 600mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 300µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V 전력-최대: 40W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음5,112
BD242-S Bourns	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 45V 3A 제조업체: Bourns Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 600mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 300µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220	재고 있음7,236
BD242TU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 45V 3A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 600mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 300µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V 전력-최대: 40W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음2,376
BD243A ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 60V 6A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 6A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 6A 전류-수집기 차단 (최대): 700µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V 전력-최대: 65W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음8,640
BD243A-S Bourns	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 60V 6A 제조업체: Bourns Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 6A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 6A 전류-수집기 차단 (최대): 700µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220	재고 있음6,660
BD243ATU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 60V 6A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 6A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 6A 전류-수집기 차단 (최대): 700µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V 전력-최대: 65W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음5,256
BD243B ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 80V 6A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 6A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 6A 전류-수집기 차단 (최대): 700µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V 전력-최대: 65W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음3,672

BD241A-S

Bourns

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 3A

제조업체: Bourns Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 600mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 300µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220

재고 있음5,436

BD241ATU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 3A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 600mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 300µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
전력-최대: 40W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음2,214

BD241B-S

Bourns

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 3A

제조업체: Bourns Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 600mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 300µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220

재고 있음7,668

BD241BTU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 3A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 600mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 300µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
전력-최대: 40W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음8,424

BD241C

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 100V 3A TO220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 600mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 300µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
전력-최대: 40W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음3,816

BD241C

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 100V 3A TO-220

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 600mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 300µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
전력-최대: 40W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220

재고 있음22,380

BD241CG

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 100V 3A TO220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 600mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 300µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
전력-최대: 40W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음23,016

BD241C-S

Bourns

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 100V 3A

제조업체: Bourns Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 600mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 300µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
전력-최대: 40W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220

재고 있음5,616

BD241CTU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 100V 3A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 600mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 300µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
전력-최대: 40W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음17,658

BD241D-S

Bourns

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 120V 3A

제조업체: Bourns Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 750MA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 300µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220

재고 있음5,850

BD241E-S

Bourns

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 140V 3A TO-220

제조업체: Bourns Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 140V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 750MA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 300µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220

재고 있음3,690

BD241F-S

Bourns

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 160V 3A

제조업체: Bourns Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 160V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 750MA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 300µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220

재고 있음4,338

BD241-S

Bourns

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 45V 3A

제조업체: Bourns Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 600mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 300µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220

재고 있음5,940

BD241TU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 45V 3A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 600mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 300µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
전력-최대: 40W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음8,172

BD242A-S

Bourns

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 60V 3A

제조업체: Bourns Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 600mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 300µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220

재고 있음5,670

BD242ATU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 60V 3A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 600mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 300µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
전력-최대: 40W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음2,682

BD242B

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 80V 3A TO220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 600mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 300µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
전력-최대: 40W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음6,876

BD242B

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 80V 3A TO-220

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 600mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 300µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음12,714

BD242BG

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 80V 3A TO220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 600mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 300µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
전력-최대: 40W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음18,984

BD242B-S

Bourns

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 90V 3A

제조업체: Bourns Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 90V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 600mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 200µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,268

BD242C

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 100V 3A TO220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 600mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 300µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
전력-최대: 40W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음60,892

BD242CG

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 100V 3A TO220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 600mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 300µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
전력-최대: 40W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음11,820

BD242C-S

Bourns

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 100V 3A

제조업체: Bourns Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 600mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 300µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220

재고 있음3,348

BD242CTU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 100V 3A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 600mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 300µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
전력-최대: 40W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음5,112

BD242-S

Bourns

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 45V 3A

제조업체: Bourns Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 600mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 300µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220

재고 있음7,236

BD242TU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 45V 3A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 600mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 300µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
전력-최대: 40W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음2,376

BD243A

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 6A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 6A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 6A
전류-수집기 차단 (최대): 700µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
전력-최대: 65W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음8,640

BD243A-S

Bourns

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 6A

제조업체: Bourns Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 6A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 6A
전류-수집기 차단 (최대): 700µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220

재고 있음6,660

BD243ATU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 6A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 6A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 6A
전류-수집기 차단 (최대): 700µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
전력-최대: 65W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음5,256

BD243B

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 6A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 6A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 6A
전류-수집기 차단 (최대): 700µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
전력-최대: 65W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음3,672

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