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트랜지스터

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부품 번호
설명
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수량
BD440
BD440

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 60V 4A TO-225AA

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 800mV @ 300mA, 3A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 1V
  • 전력-최대: 36W
  • 주파수-전환: 3MHz
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-225AA
재고 있음6,966
BD440G
BD440G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 60V 4A TO-225AA

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 800mV @ 300mA, 3A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 1V
  • 전력-최대: 36W
  • 주파수-전환: 3MHz
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-225AA
재고 있음8,010
BD440S
BD440S

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 60V 4A TO-126

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100µA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 1V
  • 전력-최대: 36W
  • 주파수-전환: 3MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-126-3
재고 있음20,718
BD441
BD441

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 4A SOT-32

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100µA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 1V
  • 전력-최대: 36W
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3
  • 공급자 장치 패키지: SOT-32
재고 있음3,240
BD441
BD441

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 4A TO-225AA

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 800mV @ 300mA, 3A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 1V
  • 전력-최대: 36W
  • 주파수-전환: 3MHz
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-225AA
재고 있음7,992
BD441G
BD441G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 4A TO-225AA

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 800mV @ 300mA, 3A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 1V
  • 전력-최대: 36W
  • 주파수-전환: 3MHz
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-225AA
재고 있음19,728
BD441STU
BD441STU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 4A TO-126

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100µA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 1V
  • 전력-최대: 36W
  • 주파수-전환: 3MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-126-3
재고 있음7,434
BD442
BD442

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 80V 4A SOT-32

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100µA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 1V
  • 전력-최대: 36W
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3
  • 공급자 장치 패키지: SOT-32
재고 있음6,048
BD442
BD442

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 80V 4A TO-225AA

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 800mV @ 300mA, 3A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 1V
  • 전력-최대: 36W
  • 주파수-전환: 3MHz
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-225AA
재고 있음7,740
BD442G
BD442G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 80V 4A TO-225AA

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 800mV @ 300mA, 3A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 1V
  • 전력-최대: 36W
  • 주파수-전환: 3MHz
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-225AA
재고 있음14,376
BD442S
BD442S

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 80V 4A TO-126

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100µA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 1V
  • 전력-최대: 36W
  • 주파수-전환: 3MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-126-3
재고 있음2,628
BD442STU
BD442STU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 80V 4A TO-126

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100µA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 1V
  • 전력-최대: 36W
  • 주파수-전환: 3MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-126-3
재고 있음15,456
BD533
BD533

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 45V 8A TO-220

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 800mV @ 600mA, 6A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100µA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 2A, 2V
  • 전력-최대: 50W
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-220-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-220AB
재고 있음5,994
BD533J
BD533J

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 45V 8A TO-220

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100µA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 2A, 2V
  • 전력-최대: 50W
  • 주파수-전환: 12MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-220-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-220-3
재고 있음5,292
BD534
BD534

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 45V 8A TO-220

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 800mV @ 600mA, 6A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100µA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 2A, 2V
  • 전력-최대: 50W
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-220-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-220AB
재고 있음2,610
BD534J
BD534J

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 45V 8A TO-220

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 800mV @ 600mA, 6A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100µA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 2A, 2V
  • 전력-최대: 50W
  • 주파수-전환: 12MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-220-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-220-3
재고 있음5,346
BD534K
BD534K

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 45V 8A TO-220

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 800mV @ 600mA, 6A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100µA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 2A, 2V
  • 전력-최대: 50W
  • 주파수-전환: 12MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-220-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-220-3
재고 있음8,964
BD534KTU
BD534KTU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 45V 8A TO-220

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 800mV @ 600mA, 6A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100µA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 2A, 2V
  • 전력-최대: 50W
  • 주파수-전환: 12MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-220-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-220-3
재고 있음8,352
BD535
BD535

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 8A TO-220

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 800mV @ 600mA, 6A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100µA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 2A, 2V
  • 전력-최대: 50W
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-220-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-220AB
재고 있음8,532
BD535J
BD535J

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 8A TO-220

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100µA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 2A, 2V
  • 전력-최대: 50W
  • 주파수-전환: 12MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-220-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-220-3
재고 있음4,500
BD536
BD536

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 60V 8A TO-220

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 800mV @ 600mA, 6A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100µA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 2A, 2V
  • 전력-최대: 50W
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-220-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-220AB
재고 있음5,976
BD536J
BD536J

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 60V 8A TO-220

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 800mV @ 600mA, 6A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100µA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 2A, 2V
  • 전력-최대: 50W
  • 주파수-전환: 12MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-220-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-220-3
재고 있음2,646
BD537
BD537

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 8A TO-220

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 800mV @ 600mA, 6A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100µA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 2A, 2V
  • 전력-최대: 50W
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-220-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-220AB
재고 있음3,472
BD537J
BD537J

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 8A TO-220

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100µA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 2A, 2V
  • 전력-최대: 50W
  • 주파수-전환: 12MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-220-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-220-3
재고 있음2,016
BD537K
BD537K

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 8A TO-220

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100µA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 2A, 2V
  • 전력-최대: 50W
  • 주파수-전환: 12MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-220-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-220-3
재고 있음4,464
BD537KTU
BD537KTU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 8A TO-220

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100µA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 2A, 2V
  • 전력-최대: 50W
  • 주파수-전환: 12MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-220-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-220-3
재고 있음5,598
BD538J
BD538J

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 80V 8A TO-220

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 800mV @ 600mA, 6A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100µA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 2A, 2V
  • 전력-최대: 50W
  • 주파수-전환: 12MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-220-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-220-3
재고 있음4,950
BD538K
BD538K

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 80V 8A TO-220

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 800mV @ 600mA, 6A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100µA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 2A, 2V
  • 전력-최대: 50W
  • 주파수-전환: 12MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-220-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-220-3
재고 있음6,534
BD538KTU
BD538KTU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 80V 8A TO-220

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 800mV @ 600mA, 6A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100µA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 2A, 2V
  • 전력-최대: 50W
  • 주파수-전환: 12MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-220-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-220-3
재고 있음8,856
BD539A-S
BD539A-S

Bourns

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 5A

  • 제조업체: Bourns Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 5A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 300µA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 12 @ 3A, 4V
  • 전력-최대: 2W
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-220-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-220
재고 있음2,988