트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
BDX33B ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 80V 10A TO-220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V 전력-최대: 70W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음8,046
BDX33BG ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 80V 10A TO-220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V 전력-최대: 70W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음17,880
BDX33B-S Bourns	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 80V 10A 제조업체: Bourns Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 10mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220	재고 있음5,940
BDX33C ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 100V 10A TO220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V 전력-최대: 70W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음7,128
BDX33C STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 100V 10A TO-220 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V 전력-최대: 70W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음3,330
BDX33CG ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 100V 10A TO220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V 전력-최대: 70W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음19,740
BDX33C-S Bourns	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 100V 10A 제조업체: Bourns Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 10mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220	재고 있음8,550
BDX33CTU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 100V 10A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V 전력-최대: 70W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음6,498
BDX33D-BP Micro Commercial Co	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN TO-220 제조업체: Micro Commercial Co 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220	재고 있음3,096
BDX33D-S Bourns	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 120V 10A 제조업체: Bourns Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220	재고 있음5,994
BDX34A ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 60V 10A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 4A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 4A, 3V 전력-최대: 70W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음6,966
BDX34A-S Bourns	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 60V 10A 제조업체: Bourns Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 4A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 4A, 3V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220	재고 있음3,474
BDX34B ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 80V 10A TO-220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V 전력-최대: 70W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음2,686
BDX34BG ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 80V 10A TO-220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V 전력-최대: 70W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음13,848
BDX34BTSTU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 80V 10A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V 전력-최대: 70W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음6,174
BDX34BTU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 80V 10A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V 전력-최대: 70W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음3,726
BDX34C ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 100V 10A TO-220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V 전력-최대: 70W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음2,250
BDX34C STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 100V 10A TO-220 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V 전력-최대: 70W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220	재고 있음3,672
BDX34CG ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 100V 10A TO-220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V 전력-최대: 70W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음15,648
BDX34C-S Bourns	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 100V 10A 제조업체: Bourns Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220	재고 있음6,912
BDX34D-S Bourns	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 120V 10A 제조업체: Bourns Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220	재고 있음3,456
BDX53A-S Bourns	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 60V 8A 제조업체: Bourns Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220	재고 있음2,250
BDX53ATU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 60V 8A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V 전력-최대: 60W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음6,120
BDX53B ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 80V 8A TO-220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V 전력-최대: 65W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음3,474
BDX53B STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 80V 8A TO-220 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V 전력-최대: 60W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음2,304
BDX53BFP STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 80V 8A TO-220FP 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V 전력-최대: 29W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220FP	재고 있음5,760
BDX53BG ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 80V 8A TO-220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V 전력-최대: 65W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음12,540
BDX53B-S Bourns	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 80V 8A 제조업체: Bourns Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220	재고 있음3,672
BDX53BTU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 80V 8A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V 전력-최대: 60W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음2,466
BDX53C ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 100V 8A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V 전력-최대: 60W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음3,096

BDX33B

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 80V 10A TO-220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V
전력-최대: 70W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음8,046

BDX33BG

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 80V 10A TO-220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V
전력-최대: 70W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음17,880

BDX33B-S

Bourns

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 80V 10A

제조업체: Bourns Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 10mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220

재고 있음5,940

BDX33C

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 100V 10A TO220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V
전력-최대: 70W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음7,128

BDX33C

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 100V 10A TO-220

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V
전력-최대: 70W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음3,330

BDX33CG

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 100V 10A TO220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V
전력-최대: 70W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음19,740

BDX33C-S

Bourns

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 100V 10A

제조업체: Bourns Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 10mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220

재고 있음8,550

BDX33CTU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 100V 10A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V
전력-최대: 70W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음6,498

BDX33D-BP

Micro Commercial Co

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN TO-220

제조업체: Micro Commercial Co
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220

재고 있음3,096

BDX33D-S

Bourns

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 120V 10A

제조업체: Bourns Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220

재고 있음5,994

BDX34A

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 60V 10A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 4A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 4A, 3V
전력-최대: 70W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음6,966

BDX34A-S

Bourns

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 60V 10A

제조업체: Bourns Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 4A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 4A, 3V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220

재고 있음3,474

BDX34B

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 80V 10A TO-220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V
전력-최대: 70W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음2,686

BDX34BG

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 80V 10A TO-220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V
전력-최대: 70W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음13,848

BDX34BTSTU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 80V 10A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V
전력-최대: 70W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음6,174

BDX34BTU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 80V 10A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V
전력-최대: 70W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음3,726

BDX34C

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 100V 10A TO-220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V
전력-최대: 70W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음2,250

BDX34C

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 100V 10A TO-220

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V
전력-최대: 70W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220

재고 있음3,672

BDX34CG

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 100V 10A TO-220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V
전력-최대: 70W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음15,648

BDX34C-S

Bourns

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 100V 10A

제조업체: Bourns Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220

재고 있음6,912

BDX34D-S

Bourns

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 120V 10A

제조업체: Bourns Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220

재고 있음3,456

BDX53A-S

Bourns

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 60V 8A

제조업체: Bourns Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220

재고 있음2,250

BDX53ATU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 60V 8A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V
전력-최대: 60W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음6,120

BDX53B

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 80V 8A TO-220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V
전력-최대: 65W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음3,474

BDX53B

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 80V 8A TO-220

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V
전력-최대: 60W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음2,304

BDX53BFP

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 80V 8A TO-220FP

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V
전력-최대: 29W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220FP

재고 있음5,760

BDX53BG

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 80V 8A TO-220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V
전력-최대: 65W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음12,540

BDX53B-S

Bourns

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 80V 8A

제조업체: Bourns Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220

재고 있음3,672

BDX53BTU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 80V 8A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V
전력-최대: 60W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음2,466

BDX53C

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 100V 8A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V
전력-최대: 60W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

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