Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
수백만 개의 전자 부품 재고 있음. 24 시간 이내에 가격 및 리드 타임 견적.

트랜지스터

기록 64,903
페이지 377/2164
이미지
부품 번호
설명
재고 있음
수량
BULD742CT4
BULD742CT4

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 400V 4A DPAK

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 3.5A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 250µA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 800mA, 3V
  • 전력-최대: 45W
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • 공급자 장치 패키지: DPAK
재고 있음5,562
BULK128
BULK128

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 400V 4A SOT-82

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 1A, 4A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 250µA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 14 @ 2A, 5V
  • 전력-최대: 55W
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: SOT-82
  • 공급자 장치 패키지: SOT-82-3
재고 있음8,082
BULK128D-B
BULK128D-B

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 400V 4A SOT-82

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 2.5A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 250µA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V
  • 전력-최대: 55W
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: SOT-82
  • 공급자 장치 패키지: SOT-82-3
재고 있음3,762
BULT106D
BULT106D

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 230V 2A SOT-32

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 230V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 400mA, 2A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 250µA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V
  • 전력-최대: 32W
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3
  • 공급자 장치 패키지: SOT-32-3
재고 있음14,808
BULT118
BULT118

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 400V 2A SOT-32

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 400mA, 2A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 250µA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 500mA, 5V
  • 전력-최대: 45W
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3
  • 공급자 장치 패키지: SOT-32-3
재고 있음3,508
BULT118M
BULT118M

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 400V 2A SOT-32

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 400mA, 2A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 250µA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 500mA, 5V
  • 전력-최대: 45W
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3
  • 공급자 장치 패키지: SOT-32-3
재고 있음5,220
BULT3P3
BULT3P3

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 200V 3A SOT32

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 200V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 1A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100µA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 10mA, 5V
  • 전력-최대: 32W
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3
  • 공급자 장치 패키지: SOT-32-3
재고 있음5,094
BUR51
BUR51

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 200V 60A TO-3

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 60A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 200V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 5A, 50A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1mA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 5A, 4V
  • 전력-최대: 350W
  • 주파수-전환: 16MHz
  • 작동 온도: 200°C (TJ)
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-3
재고 있음2,844
BUT100
BUT100

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 125V 50A TO-3

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 50A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 125V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 900mV @ 10A, 100A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1mA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
  • 전력-최대: 300W
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: 200°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-3
재고 있음2,862
BUT11
BUT11

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 400V 5A TO-220

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 3A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1mA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
  • 전력-최대: 100W
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-220-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-220-3
재고 있음2,052
BUT11A
BUT11A

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 450V 5A TO-220

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 450V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 2.5A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1mA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 500mA, 5V
  • 전력-최대: 83W
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-220-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-220
재고 있음2,970
BUT11A
BUT11A

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 450V 5A TO-220

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 450V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 2.5A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1mA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
  • 전력-최대: 100W
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-220-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-220-3
재고 있음7,296
BUT11AFTU
BUT11AFTU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 450V 5A TO-220F

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 450V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 2.5A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1mA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
  • 전력-최대: 40W
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
  • 공급자 장치 패키지: TO-220F
재고 있음20,004
BUT11AI,127

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 450V 5A TO220AB

  • 제조업체: NXP USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 450V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 330mA, 2.5A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1mA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 14 @ 500mA, 5V
  • 전력-최대: 100W
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-220-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-220AB
재고 있음7,524
BUT11APX-1200,127

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 550V 6A TO-220F

  • 제조업체: NXP USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 6A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 550V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 2A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1mA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 5V
  • 전력-최대: 32W
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
  • 공급자 장치 패키지: TO-220F
재고 있음4,716
BUT11APX,127

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 450V 5A SOT186A

  • 제조업체: NXP USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 450V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 3A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1mA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 14 @ 500mA, 5V
  • 전력-최대: 32W
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
  • 공급자 장치 패키지: TO-220F
재고 있음7,902
BUT11ATU
BUT11ATU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 450V 5A TO-220

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 450V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 2.5A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1mA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
  • 전력-최대: 100W
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-220-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-220-3
재고 있음18,144
BUT11FTU
BUT11FTU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 400V 5A TO-220F

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 3A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1mA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
  • 전력-최대: 100W
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
  • 공급자 장치 패키지: TO-220F
재고 있음7,992
BUT11-S
BUT11-S

Bourns

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 400V 5A

  • 제조업체: Bourns Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 3A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 50µA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 5V
  • 전력-최대: 100W
  • 주파수-전환: 12MHz
  • 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-220-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-220
재고 있음4,806
BUT11TU
BUT11TU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 400V 5A TO-220

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 3A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1mA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
  • 전력-최대: 100W
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-220-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-220-3
재고 있음8,568
BUT12A
BUT12A

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 450V 8A TO-220

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 450V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.2A, 6A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1mA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
  • 전력-최대: 100W
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-220-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-220-3
재고 있음7,866
BUT12AI,127

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 450V 8A TO220AB

  • 제조업체: NXP USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 450V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 860mA, 5A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1mA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 14 @ 1A, 5V
  • 전력-최대: 110W
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-220-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-220AB
재고 있음2,826
BUT12ATU
BUT12ATU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 450V 8A TO-220

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 450V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.2A, 6A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1mA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
  • 전력-최대: 100W
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-220-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-220-3
재고 있음2,898
BUT12AX,127

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 450V 8A TO-220F

  • 제조업체: NXP USA Inc.
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 450V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 5A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1mA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V
  • 전력-최대: 23W
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
  • 공급자 장치 패키지: TO-220F
재고 있음5,904
BUT12TU
BUT12TU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 400V 8A TO-220

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.2A, 6A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1mA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
  • 전력-최대: 100W
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-220-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-220-3
재고 있음5,976
BUT30V
BUT30V

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 125V 100A ISOTOP

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 125V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 900mV @ 10A, 100A
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 27 @ 100A, 5V
  • 전력-최대: 250W
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC
  • 공급자 장치 패키지: ISOTOP
재고 있음7,308
BUT70W
BUT70W

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 125V 32A TO-247

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 32A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 125V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 900mV @ 7A, 70A
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
  • 전력-최대: 200W
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-247-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-247-3
재고 있음7,614
BUT90
BUT90

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 125V 50A TO-3

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 50A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 125V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 900mV @ 7A, 70A
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
  • 전력-최대: 250W
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: 200°C (TJ)
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-3
재고 있음8,442
BUT92
BUT92

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 250V 50A TO-3

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 50A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 250V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 3.5A, 35A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 200mA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
  • 전력-최대: 250W
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: 200°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-3
재고 있음4,716
BUTW92
BUTW92

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 250V 45A TO-247

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 45A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 250V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 15A, 60A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 50µA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 9 @ 60A, 3V
  • 전력-최대: 180W
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-247-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-247-3
재고 있음12,300