트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
FCX493TA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 100V 1A SOT-89 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 250mA, 10V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: SOT-89-3	재고 있음684,312
FCX495QTA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR SOT89 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,562
FCX495TA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 150V 1A SOT-89 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 10V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: SOT-89-3	재고 있음68,502
FCX495TC Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 150V 1A SOT89 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 10V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: SOT-89-3	재고 있음2,628
FCX555TA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 180V 0.7A SOT-89 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 700mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 180V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 250mA 전류-수집기 차단 (최대): 20nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V 전력-최대: 2.1W 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: SOT-89-3	재고 있음27,030
FCX558QTA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR SOT89 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 6mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V 전력-최대: 700mW 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: SOT-89-3	재고 있음2,394
FCX558TA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 400V 0.2A SOT-89 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 6mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: SOT-89-3	재고 있음147,834
FCX589TA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 30V 1A SOT-89 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 650mV @ 200mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: SOT-89-3	재고 있음21,996
FCX591AQTA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 PWR MID PERF TRANSISTOR SOT89 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: SOT-89-3	재고 있음8,118
FCX591ATA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 40V 1A SOT-89 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: SOT-89-3	재고 있음33,492
FCX591TA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 60V 1A SOT-89 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: SOT-89-3	재고 있음23,076
FCX593TA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 100V 1A SOT-89 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 25mA, 250mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: SOT-89-3	재고 있음20,514
FCX596TA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 200V 0.3A SOT-89 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 300mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 200V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 250mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 85 @ 250mA, 10V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: SOT-89-3	재고 있음7,758
FCX605TA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 120V 1A SOT-89 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 5V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: SOT-89-3	재고 있음72,828
FCX617TA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 15V 3A SOT-89 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 120MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: SOT-89-3	재고 있음14,970
FCX619TA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 50V 3A SOT-89 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 320mV @ 100mA, 2.75A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 165MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: SOT-89-3	재고 있음43,284
FCX658ATA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 400V 0.5A SOT-89 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 35 @ 200mA, 10V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: SOT-89-3	재고 있음120,450
FCX688BTA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 12V 3A SOT-89 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 4A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 500 @ 100mA, 2V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: SOT-89-3	재고 있음8,046
FCX690BTA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 45V 2A SOT-89 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 400 @ 1A, 2V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: SOT-89-3	재고 있음335,292
FCX705TA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 120V 1A SOT-89 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 2mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 3000 @ 1A, 5V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 160MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: SOT-89-3	재고 있음129,204
FCX717TA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 12V 3A SOT89 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 320mV @ 50mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 110MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: SOT-89-3	재고 있음3,852
FCX718TA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 20V 2.5A SOT89 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 2.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2.5A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 2V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 180MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: SOT-89-3	재고 있음4,284
FCX789ATA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 25V 3A SOT89 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 320mV @ 100mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: SOT-89-3	재고 있음8,748
FCX790ATA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 40V 2A SOT89 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: SOT-89-3	재고 있음130,356
FHR1200 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 100V 0.05A SC70-6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN + Zener Diode (Isolated) 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: 227mW 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: SC-88 (SC-70-6)	재고 있음4,410
FJA13009TU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 400V 12A TO-3P 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 12A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 8 @ 5A, 5V 전력-최대: 130W 주파수-전환: 4MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3 공급자 장치 패키지: TO-3P	재고 있음6,864
FJA3835TU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 120V 8A TO-3P 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 3A, 4V 전력-최대: 80W 주파수-전환: 30MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3 공급자 장치 패키지: TO-3P	재고 있음3,222
FJA4210OTU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 140V 10A TO-3P 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 140V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 3A, 4V 전력-최대: 100W 주파수-전환: 30MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3 공급자 장치 패키지: TO-3P	재고 있음8,478
FJA4210RTU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 140V 10A TO-3P 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 140V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 3A, 4V 전력-최대: 100W 주파수-전환: 30MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3 공급자 장치 패키지: TO-3P	재고 있음3,436
FJA4213OTU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 250V 17A TO-3PN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 17A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 250V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A 전류-수집기 차단 (최대): 5µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 55 @ 1A, 5V 전력-최대: 130W 주파수-전환: 30MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3 공급자 장치 패키지: TO-3P	재고 있음17,280

FCX493TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 100V 1A SOT-89

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 250mA, 10V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: SOT-89-3

재고 있음684,312

FCX495QTA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR SOT89

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,562

FCX495TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 150V 1A SOT-89

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 10V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: SOT-89-3

재고 있음68,502

FCX495TC

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 150V 1A SOT89

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 10V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: SOT-89-3

재고 있음2,628

FCX555TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 180V 0.7A SOT-89

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 700mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 180V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 250mA
전류-수집기 차단 (최대): 20nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
전력-최대: 2.1W
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: SOT-89-3

재고 있음27,030

FCX558QTA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR SOT89

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 6mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V
전력-최대: 700mW
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: SOT-89-3

재고 있음2,394

FCX558TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 400V 0.2A SOT-89

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 6mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: SOT-89-3

재고 있음147,834

FCX589TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 30V 1A SOT-89

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 650mV @ 200mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: SOT-89-3

재고 있음21,996

FCX591AQTA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

PWR MID PERF TRANSISTOR SOT89

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: SOT-89-3

재고 있음8,118

FCX591ATA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 40V 1A SOT-89

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: SOT-89-3

재고 있음33,492

FCX591TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 60V 1A SOT-89

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: SOT-89-3

재고 있음23,076

FCX593TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 100V 1A SOT-89

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 25mA, 250mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: SOT-89-3

재고 있음20,514

FCX596TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 200V 0.3A SOT-89

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 300mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 200V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 250mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 85 @ 250mA, 10V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: SOT-89-3

재고 있음7,758

FCX605TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 120V 1A SOT-89

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 5V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: SOT-89-3

재고 있음72,828

FCX617TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 15V 3A SOT-89

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 120MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: SOT-89-3

재고 있음14,970

FCX619TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 50V 3A SOT-89

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 320mV @ 100mA, 2.75A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 165MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: SOT-89-3

재고 있음43,284

FCX658ATA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 400V 0.5A SOT-89

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 35 @ 200mA, 10V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: SOT-89-3

재고 있음120,450

FCX688BTA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 12V 3A SOT-89

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 4A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 500 @ 100mA, 2V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: SOT-89-3

재고 있음8,046

FCX690BTA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 45V 2A SOT-89

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 400 @ 1A, 2V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: SOT-89-3

재고 있음335,292

FCX705TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 120V 1A SOT-89

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 2mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 3000 @ 1A, 5V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 160MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: SOT-89-3

재고 있음129,204

FCX717TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 12V 3A SOT89

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 320mV @ 50mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 110MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: SOT-89-3

재고 있음3,852

FCX718TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 20V 2.5A SOT89

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 2.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2.5A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 2V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 180MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: SOT-89-3

재고 있음4,284

FCX789ATA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 25V 3A SOT89

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 320mV @ 100mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: SOT-89-3

재고 있음8,748

FCX790ATA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 40V 2A SOT89

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: SOT-89-3

재고 있음130,356

FHR1200

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 100V 0.05A SC70-6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN + Zener Diode (Isolated)
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: 227mW
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: SC-88 (SC-70-6)

재고 있음4,410

FJA13009TU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 400V 12A TO-3P

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 12A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 8 @ 5A, 5V
전력-최대: 130W
주파수-전환: 4MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3
공급자 장치 패키지: TO-3P

재고 있음6,864

FJA3835TU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 120V 8A TO-3P

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 3A, 4V
전력-최대: 80W
주파수-전환: 30MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3
공급자 장치 패키지: TO-3P

재고 있음3,222

FJA4210OTU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 140V 10A TO-3P

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 140V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 3A, 4V
전력-최대: 100W
주파수-전환: 30MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3
공급자 장치 패키지: TO-3P

재고 있음8,478

FJA4210RTU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 140V 10A TO-3P

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 140V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 3A, 4V
전력-최대: 100W
주파수-전환: 30MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3
공급자 장치 패키지: TO-3P

재고 있음3,436

FJA4213OTU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 250V 17A TO-3PN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 17A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 250V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
전류-수집기 차단 (최대): 5µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 55 @ 1A, 5V
전력-최대: 130W
주파수-전환: 30MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3
공급자 장치 패키지: TO-3P

재고 있음17,280

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