트랜지스터

JAN2N1485

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 40V 3A

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/207
• 트랜지스터 유형: NPN
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 750mV @ 40mA, 750mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 15µA (ICBO)
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 35 @ 750mA, 4V
• 전력-최대: 1.75W
• 주파수-전환: -
• 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-233AA, TO-8-3 Lens Top Metal Can
• 공급자 장치 패키지: TO-8

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JAN2N1486

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 55V 3A

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/207
• 트랜지스터 유형: NPN
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 55V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 750mV @ 40mA, 750mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 15µA (ICBO)
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 35 @ 750mA, 4V
• 전력-최대: 1.75W
• 주파수-전환: -
• 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-233AA, TO-8-3 Lens Top Metal Can
• 공급자 장치 패키지: TO-8

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JAN2N1489

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 40V 6A

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/208
• 트랜지스터 유형: NPN
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 6A
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 300mA, 1.5A
• 전류-수집기 차단 (최대): 25µA (ICBO)
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 4V
• 전력-최대: 75W
• 주파수-전환: -
• 작동 온도: 200°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3
• 공급자 장치 패키지: TO-33 (TO-204AA)

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JAN2N1613

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 30V 0.5A

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/181
• 트랜지스터 유형: NPN
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 15mA, 150mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
• 전력-최대: 800mW
• 주파수-전환: -
• 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
• 공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)

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JAN2N1711

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 30V 0.5A TO-39

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/225
• 트랜지스터 유형: NPN
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 15mA, 150mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 10nA (ICBO)
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
• 전력-최대: 800mW
• 주파수-전환: -
• 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
• 공급자 장치 패키지: TO-5

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JAN2N1893

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 0.5A TO-5

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/182
• 트랜지스터 유형: NPN
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 5V @ 15mA, 150mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
• 전력-최대: 800mW
• 주파수-전환: -
• 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
• 공급자 장치 패키지: TO-5

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JAN2N1893S

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 0.5A TO-39

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/182
• 트랜지스터 유형: NPN
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 5V @ 15mA, 150mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
• 전력-최대: 3W
• 주파수-전환: -
• 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
• 공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)

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JAN2N2218

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 30V 0.8A TO39

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/251
• 트랜지스터 유형: NPN
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 10nA
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
• 전력-최대: 800mW
• 주파수-전환: -
• 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
• 공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)

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JAN2N2218A

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 50V 0.8A TO39

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/251
• 트랜지스터 유형: NPN
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 10nA
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
• 전력-최대: 800mW
• 주파수-전환: -
• 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
• 공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)

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JAN2N2218AL

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 50V 0.8A TO5

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/251
• 트랜지스터 유형: NPN
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 10nA
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
• 전력-최대: 800mW
• 주파수-전환: -
• 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
• 공급자 장치 패키지: TO-5

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JAN2N2219

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 30V 0.8A

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/251
• 트랜지스터 유형: NPN
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 10nA
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
• 전력-최대: 800mW
• 주파수-전환: -
• 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
• 공급자 장치 패키지: TO-39

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JAN2N2219A

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 50V 0.8A

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/251
• 트랜지스터 유형: NPN
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 10nA
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
• 전력-최대: 800mW
• 주파수-전환: -
• 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
• 공급자 장치 패키지: TO-39

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JAN2N2219AL

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 50V 0.8A

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/251
• 트랜지스터 유형: NPN
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 10nA
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
• 전력-최대: 800mW
• 주파수-전환: -
• 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
• 공급자 장치 패키지: TO-5

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JAN2N2221A

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 50V 0.8A TO18

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/255
• 트랜지스터 유형: NPN
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 50nA
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
• 전력-최대: 500mW
• 주파수-전환: -
• 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
• 공급자 장치 패키지: TO-18 (TO-206AA)

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JAN2N2221AL

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 50V 0.8A TO18

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/255
• 트랜지스터 유형: NPN
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 50nA
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
• 전력-최대: 500mW
• 주파수-전환: -
• 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
• 공급자 장치 패키지: TO-18 (TO-206AA)

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JAN2N2221AUA

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 50V 0.8A

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/255
• 트랜지스터 유형: NPN
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 50nA
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
• 전력-최대: 500mW
• 주파수-전환: -
• 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 4-SMD, No Lead
• 공급자 장치 패키지: UA

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JAN2N2221AUB

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 50V 0.8A

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/255
• 트랜지스터 유형: NPN
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 50nA
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
• 전력-최대: 500mW
• 주파수-전환: -
• 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 3-SMD, No Lead
• 공급자 장치 패키지: UB

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JAN2N2222A

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 50V 0.8A

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/255
• 트랜지스터 유형: NPN
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 50nA
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
• 전력-최대: 500mW
• 주파수-전환: -
• 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
• 공급자 장치 패키지: TO-218

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JAN2N2222AL

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 50V 0.8A

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/255
• 트랜지스터 유형: NPN
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 50nA
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
• 전력-최대: 500mW
• 주파수-전환: -
• 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
• 공급자 장치 패키지: TO-18 (TO-206AA)

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JAN2N2222AUA

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 50V 0.8A

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/255
• 트랜지스터 유형: NPN
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 50nA
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
• 전력-최대: 500mW
• 주파수-전환: -
• 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 4-SMD
• 공급자 장치 패키지: -

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JAN2N2222AUB

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 50V 0.8A

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/255
• 트랜지스터 유형: NPN
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 50nA
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
• 전력-최대: 500mW
• 주파수-전환: -
• 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 3-SMD, Non-Standard
• 공급자 장치 패키지: -

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JAN2N2369A

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 15V TO18

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/317
• 트랜지스터 유형: NPN
• 전류-수집기 (Ic) (최대): -
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 450mV @ 10mA, 100mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 400nA
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V
• 전력-최대: 360mW
• 주파수-전환: -
• 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
• 공급자 장치 패키지: TO-18

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JAN2N2369AUA

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 15V

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/317
• 트랜지스터 유형: NPN
• 전류-수집기 (Ic) (최대): -
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 450mV @ 10mA, 100mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 400nA
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V
• 전력-최대: 360mW
• 주파수-전환: -
• 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
• 공급자 장치 패키지: TO-18 (TO-206AA)

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JAN2N2369AUB

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 15V

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/317
• 트랜지스터 유형: NPN
• 전류-수집기 (Ic) (최대): -
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 15V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 450mV @ 10mA, 100mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 400nA
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 1V
• 전력-최대: 360mW
• 주파수-전환: -
• 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 3-SMD, No Lead
• 공급자 장치 패키지: UB

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JAN2N2432

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 30V 0.1A

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/313
• 트랜지스터 유형: NPN
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 10nA
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 5V
• 전력-최대: 360mW
• 주파수-전환: -
• 작동 온도: -65°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
• 공급자 장치 패키지: TO-18 (TO-206AA)

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JAN2N2432A

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 45V 0.1A

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/313
• 트랜지스터 유형: NPN
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 10nA
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 5V
• 전력-최대: 360mW
• 주파수-전환: -
• 작동 온도: -65°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
• 공급자 장치 패키지: TO-18 (TO-206AA)

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JAN2N2484

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 0.05A TO18

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/376
• 트랜지스터 유형: NPN
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 2nA
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 225 @ 10mA, 5V
• 전력-최대: 360mW
• 주파수-전환: -
• 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
• 공급자 장치 패키지: TO-18

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JAN2N2484UA

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 0.05A

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/376
• 트랜지스터 유형: NPN
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 2nA
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 225 @ 10mA, 5V
• 전력-최대: 360mW
• 주파수-전환: -
• 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 4-SMD, No Lead
• 공급자 장치 패키지: UA

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JAN2N2484UB

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 0.05A

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/376
• 트랜지스터 유형: NPN
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 2nA
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 225 @ 10mA, 5V
• 전력-최대: 360mW
• 주파수-전환: -
• 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 3-SMD, No Lead
• 공급자 장치 패키지: UB

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JAN2N2605

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 60V 0.03A TO46

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/354
• 트랜지스터 유형: PNP
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
• Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
• 전류-수집기 차단 (최대): 10nA
• DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
• 전력-최대: 400mW
• 주파수-전환: -
• 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
• 공급자 장치 패키지: TO-46-3

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