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트랜지스터

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UMT2NTR
UMT2NTR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 50V 0.15A 6UMT

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
  • 전력-최대: 150mW
  • 주파수-전환: 140MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: UMT6
재고 있음51,528
UMX18NTN
UMX18NTN

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 12V 0.5A 6UMT

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V
  • 전력-최대: 150mW
  • 주파수-전환: 320MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: UMT6
재고 있음2,100
UMX1NTN
UMX1NTN

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 50V 0.15A 6UMT

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
  • 전력-최대: 150mW
  • 주파수-전환: 180MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: UMT6
재고 있음130,476
UMX2NTR
UMX2NTR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 50V 0.15A 6UMT

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
  • 전력-최대: 150mW
  • 주파수-전환: 180MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: UMT6
재고 있음28,230
UMX3NTR
UMX3NTR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 50V 0.15A 6UMT

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
  • 전력-최대: 150mW
  • 주파수-전환: 180MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: UMT6
재고 있음92,916
UMX4NTR
UMX4NTR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 20V 0.05A 6UMT

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 20mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 10mA, 10V
  • 전력-최대: 150mW
  • 주파수-전환: 1.5GHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: UMT6
재고 있음54,054
UMX5NTR
UMX5NTR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 11V 0.05A 6UMT

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 11V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 10V
  • 전력-최대: 150mW
  • 주파수-전환: 3.2GHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: UMT6
재고 있음59,994
UMY1N-TP
UMY1N-TP

Micro Commercial Co

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

DIODE

  • 제조업체: Micro Commercial Co
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN, PNP (Emitter Coupled)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
  • 전력-최대: 150mW
  • 주파수-전환: 140MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
  • 공급자 장치 패키지: SOT-353
재고 있음7,920
UMY1NTR
UMY1NTR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 5UMT

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN, PNP (Emitter Coupled)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
  • 전력-최대: 150mW
  • 주파수-전환: 180MHz, 140MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
  • 공급자 장치 패키지: UMT5
재고 있음8,676
UMZ1NFHATR
UMZ1NFHATR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

UMZ1N SERIES 50 V 150 MA SMT NPN

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: *
  • 트랜지스터 유형: -
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): -
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
  • 전력-최대: -
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음5,598
UMZ1NT1
UMZ1NT1

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS NPN/PNP 50V 0.2A SOT363

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN, PNP
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 2µA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
  • 전력-최대: 250mW
  • 주파수-전환: 114MHz, 142MHz
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363
재고 있음5,094
UMZ1NT1G
UMZ1NT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS NPN/PNP 50V 0.2A SOT363

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN, PNP
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 2µA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
  • 전력-최대: 250mW
  • 주파수-전환: 114MHz, 142MHz
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: SC-88/SC70-6/SOT-363
재고 있음108,774
UMZ1NTR
UMZ1NTR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 6UMT

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN, PNP
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
  • 전력-최대: 150mW
  • 주파수-전환: 180MHz, 140MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: UMT6
재고 있음670,716
UMZ2NTR
UMZ2NTR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 6UMT

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN, PNP
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
  • 전력-최대: 150mW
  • 주파수-전환: 180MHz, 140MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: UMT6
재고 있음318,354
UMZ7NTR
UMZ7NTR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS NPN/PNP 12V 0.5A 6UMT

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN, PNP
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V
  • 전력-최대: 150mW
  • 주파수-전환: 320MHz, 260MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: UMT6
재고 있음43,284
UMZ8NTR
UMZ8NTR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS NPN/PNP 50V/12V UMT6

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN, PNP
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA, 500mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V, 12V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 250mV @ 10mA, 200mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V / 270 @ 10mA, 2V
  • 전력-최대: 150mW
  • 주파수-전환: 180MHz, 260MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: UMT6
재고 있음4,950
UP0440100L
UP0440100L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 50V 0.1A SSMINI6

  • 제조업체: Panasonic Electronic Components
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100µA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 10V
  • 전력-최대: 125mW
  • 주파수-전환: 80MHz
  • 작동 온도: 125°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
  • 공급자 장치 패키지: SSMINI6-F1
재고 있음4,230
UP0450100L
UP0450100L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 50V 0.1A SSMINI6

  • 제조업체: Panasonic Electronic Components
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100µA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 10V
  • 전력-최대: 125mW
  • 주파수-전환: 150MHz
  • 작동 온도: 125°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
  • 공급자 장치 패키지: SSMINI6-F1
재고 있음3,562
UP04501G0L
UP04501G0L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 50V 0.1A SSMINI6

  • 제조업체: Panasonic Electronic Components
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100µA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 10V
  • 전력-최대: 125mW
  • 주파수-전환: 150MHz
  • 작동 온도: 125°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
  • 공급자 장치 패키지: SSMini6-F2
재고 있음4,104
UP0453400L
UP0453400L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 20V 0.015A SSMINI6

  • 제조업체: Panasonic Electronic Components
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 15mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 65 @ 1mA, 6V
  • 전력-최대: 125mW
  • 주파수-전환: 650MHz
  • 작동 온도: 125°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
  • 공급자 장치 패키지: SSMINI6-F1
재고 있음6,930
UP04534G0L
UP04534G0L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 20V 0.015A SSMINI6

  • 제조업체: Panasonic Electronic Components
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 15mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 65 @ 1mA, 6V
  • 전력-최대: 125mW
  • 주파수-전환: 650MHz
  • 작동 온도: 125°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
  • 공급자 장치 패키지: SSMini6-F2
재고 있음5,472
UP0459800L
UP0459800L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 20V/50V SSMINI6

  • 제조업체: Panasonic Electronic Components
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 15mA, 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V, 50V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100µA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 65 @ 1mA, 6V / 160 @ 2mA, 10V
  • 전력-최대: 125mW
  • 주파수-전환: 650MHz, 150MHz
  • 작동 온도: 125°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
  • 공급자 장치 패키지: SSMINI6-F1
재고 있음2,160
UP0459900L
UP0459900L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 20V/50V SSMINI6

  • 제조업체: Panasonic Electronic Components
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA, 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V, 50V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100µA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 2mA, 10V / 160 @ 2mA, 10V
  • 전력-최대: 125mW
  • 주파수-전환: 1.6GHz, 150MHz
  • 작동 온도: 125°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
  • 공급자 장치 패키지: SSMINI6-F1
재고 있음6,750
UP0460100L
UP0460100L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS NPN/PNP 50V 0.1A SSMINI6

  • 제조업체: Panasonic Electronic Components
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN, PNP
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 10mA, 100mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100µA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 10V / 180 @ 5mA, 10V
  • 전력-최대: 125mW
  • 주파수-전환: 150MHz, 80MHz
  • 작동 온도: 125°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666
  • 공급자 장치 패키지: SSMINI6-F1
재고 있음5,148
US6T8TR
US6T8TR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

PNP+PNP DRIVER TRANSISTOR

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 25mA, 500mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 270 @ 200mA, 2V
  • 전력-최대: 400mW
  • 주파수-전환: 400MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads
  • 공급자 장치 패키지: TUMT6
재고 있음4,122
US6T9TR
US6T9TR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 30V 1A 6UMT

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
  • 전력-최대: 400mW
  • 주파수-전환: 320MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 공급자 장치 패키지: UMT6
재고 있음6,678
US6X7TR
US6X7TR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

NPN+NPN DRIVER TRANSISTOR

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 25mA, 500mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 270 @ 200mA, 2V
  • 전력-최대: 400mW
  • 주파수-전환: 400MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads
  • 공급자 장치 패키지: TUMT6
재고 있음7,920
US6X8TR
US6X8TR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

NPN+NPN DRIVER TRANSISTOR

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
  • 전력-최대: 400mW
  • 주파수-전환: 320MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads
  • 공급자 장치 패키지: TUMT6
재고 있음8,730
VT6T11T2R
VT6T11T2R

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

PNP+PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIC

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 2V
  • 전력-최대: 150mW
  • 주파수-전환: 350MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads
  • 공급자 장치 패키지: VMT6
재고 있음87,834
VT6T12T2R
VT6T12T2R

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS GP BJT PNP 50V 0.1A 6-PIN

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
  • 전력-최대: 150mW
  • 주파수-전환: 300MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads
  • 공급자 장치 패키지: VMT6
재고 있음5,670