트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
KSB1116YBU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 50V 1A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 135 @ 100mA, 2V 전력-최대: 750mW 주파수-전환: 120MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음5,112
KSB1116YTA ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 50V 1A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 135 @ 100mA, 2V 전력-최대: 750mW 주파수-전환: 120MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음7,776
KSB1121STF ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 25V 2A SOT-89 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 75mA, 1.5A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V 전력-최대: 1.3W 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: SOT-89-3	재고 있음7,722
KSB1121STM ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 25V 2A SOT-89 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 75mA, 1.5A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V 전력-최대: 1.3W 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: SOT-89-3	재고 있음2,286
KSB1121TTF ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 25V 2A SOT-89 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 75mA, 1.5A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V 전력-최대: 1.3W 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: SOT-89-3	재고 있음5,364
KSB1149OS ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 100V 3A TO-126 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 1.5mA, 1.5A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 1.5A, 2V 전력-최대: 1.3W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3 공급자 장치 패키지: TO-126-3	재고 있음2,790
KSB1149OSTU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 100V 3A TO-126 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 1.5mA, 1.5A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 1.5A, 2V 전력-최대: 1.3W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3 공급자 장치 패키지: TO-126-3	재고 있음3,618
KSB1149YS ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 100V 3A TO-126 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 1.5mA, 1.5A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 4000 @ 1.5A, 2V 전력-최대: 1.3W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3 공급자 장치 패키지: TO-126-3	재고 있음2,844
KSB1149YSTU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 100V 3A TO-126 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 1.5mA, 1.5A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 4000 @ 1.5A, 2V 전력-최대: 1.3W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3 공급자 장치 패키지: TO-126-3	재고 있음7,326
KSB1151YS ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 60V 5A TO-126 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V 전력-최대: 1.3W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3 공급자 장치 패키지: TO-126-3	재고 있음15,726
KSB1151YSTSSTU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 60V 5A TO-126 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 2A, 1V 전력-최대: 1.3W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3 공급자 장치 패키지: TO-126-3	재고 있음2,844
KSB1151YSTSTU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 60V 5A TO-126 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 2A, 1V 전력-최대: 1.3W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3 공급자 장치 패키지: TO-126-3	재고 있음3,618
KSB1151YSTU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 60V 5A TO-126 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 2A, 1V 전력-최대: 1.3W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3 공급자 장치 패키지: TO-126-3	재고 있음14,844
KSB1366G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 60V 3A TO-220F 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 5V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 9MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220F	재고 있음5,778
KSB1366GTU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 60V 3A TO-220F 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 5V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 9MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220F	재고 있음6,984
KSB1366Y ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 60V 3A TO-220F 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 9MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220F	재고 있음2,682
KSB1366YTU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 60V 3A TO-220F 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 9MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220F	재고 있음6,894
KSB546O ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 150V 2A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 50µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 400mA, 10V 전력-최대: 25W 주파수-전환: 5MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음8,658
KSB546Y ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 150V 2A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 50µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 400mA, 10V 전력-최대: 25W 주파수-전환: 5MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음7,326
KSB546YTU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 150V 2A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 50µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 400mA, 10V 전력-최대: 25W 주파수-전환: 5MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음6,444
KSB564ACGBU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 25V 1A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V 전력-최대: 800mW 주파수-전환: 110MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음4,662
KSB564ACGTA ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 25V 1A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V 전력-최대: 800mW 주파수-전환: 110MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음5,580
KSB564ACOBU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 25V 1A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V 전력-최대: 800mW 주파수-전환: 110MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음4,410
KSB564ACOTA ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 25V 1A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V 전력-최대: 800mW 주파수-전환: 110MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음4,500
KSB564ACYBU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 25V 1A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V 전력-최대: 800mW 주파수-전환: 110MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음2,178
KSB564ACYTA ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 25V 1A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V 전력-최대: 800mW 주파수-전환: 110MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음2,898
KSB564AGBU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 25V 1A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V 전력-최대: 800mW 주파수-전환: 110MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음8,640
KSB564AGTA ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 25V 1A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V 전력-최대: 800mW 주파수-전환: 110MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음2,808
KSB564AOBU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 25V 1A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V 전력-최대: 800mW 주파수-전환: 110MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음4,464
KSB564AOTA ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 25V 1A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V 전력-최대: 800mW 주파수-전환: 110MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음2,592

KSB1116YBU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 50V 1A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 135 @ 100mA, 2V
전력-최대: 750mW
주파수-전환: 120MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음5,112

KSB1116YTA

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 50V 1A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 135 @ 100mA, 2V
전력-최대: 750mW
주파수-전환: 120MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음7,776

KSB1121STF

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 25V 2A SOT-89

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 75mA, 1.5A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
전력-최대: 1.3W
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: SOT-89-3

재고 있음7,722

KSB1121STM

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 25V 2A SOT-89

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 75mA, 1.5A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
전력-최대: 1.3W
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: SOT-89-3

재고 있음2,286

KSB1121TTF

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 25V 2A SOT-89

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 75mA, 1.5A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
전력-최대: 1.3W
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: SOT-89-3

재고 있음5,364

KSB1149OS

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 100V 3A TO-126

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 1.5mA, 1.5A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 1.5A, 2V
전력-최대: 1.3W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3
공급자 장치 패키지: TO-126-3

재고 있음2,790

KSB1149OSTU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 100V 3A TO-126

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 1.5mA, 1.5A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 1.5A, 2V
전력-최대: 1.3W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3
공급자 장치 패키지: TO-126-3

재고 있음3,618

KSB1149YS

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 100V 3A TO-126

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 1.5mA, 1.5A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 4000 @ 1.5A, 2V
전력-최대: 1.3W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3
공급자 장치 패키지: TO-126-3

재고 있음2,844

KSB1149YSTU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 100V 3A TO-126

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 1.5mA, 1.5A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 4000 @ 1.5A, 2V
전력-최대: 1.3W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3
공급자 장치 패키지: TO-126-3

재고 있음7,326

KSB1151YS

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 60V 5A TO-126

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
전력-최대: 1.3W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3
공급자 장치 패키지: TO-126-3

재고 있음15,726

KSB1151YSTSSTU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 60V 5A TO-126

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 2A, 1V
전력-최대: 1.3W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3
공급자 장치 패키지: TO-126-3

재고 있음2,844

KSB1151YSTSTU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 60V 5A TO-126

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 2A, 1V
전력-최대: 1.3W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3
공급자 장치 패키지: TO-126-3

재고 있음3,618

KSB1151YSTU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 60V 5A TO-126

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 2A, 1V
전력-최대: 1.3W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3
공급자 장치 패키지: TO-126-3

재고 있음14,844

KSB1366G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 60V 3A TO-220F

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 5V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 9MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220F

재고 있음5,778

KSB1366GTU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 60V 3A TO-220F

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 5V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 9MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220F

재고 있음6,984

KSB1366Y

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 60V 3A TO-220F

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 9MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220F

재고 있음2,682

KSB1366YTU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 60V 3A TO-220F

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 9MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220F

재고 있음6,894

KSB546O

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 150V 2A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 50µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 400mA, 10V
전력-최대: 25W
주파수-전환: 5MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음8,658

KSB546Y

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 150V 2A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 50µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 400mA, 10V
전력-최대: 25W
주파수-전환: 5MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음7,326

KSB546YTU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 150V 2A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 50µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 400mA, 10V
전력-최대: 25W
주파수-전환: 5MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음6,444

KSB564ACGBU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 25V 1A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V
전력-최대: 800mW
주파수-전환: 110MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음4,662

KSB564ACGTA

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 25V 1A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V
전력-최대: 800mW
주파수-전환: 110MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음5,580

KSB564ACOBU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 25V 1A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V
전력-최대: 800mW
주파수-전환: 110MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음4,410

KSB564ACOTA

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 25V 1A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V
전력-최대: 800mW
주파수-전환: 110MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음4,500

KSB564ACYBU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 25V 1A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
전력-최대: 800mW
주파수-전환: 110MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음2,178

KSB564ACYTA

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 25V 1A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
전력-최대: 800mW
주파수-전환: 110MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음2,898

KSB564AGBU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 25V 1A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V
전력-최대: 800mW
주파수-전환: 110MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음8,640

KSB564AGTA

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 25V 1A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V
전력-최대: 800mW
주파수-전환: 110MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음2,808

KSB564AOBU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 25V 1A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V
전력-최대: 800mW
주파수-전환: 110MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음4,464

KSB564AOTA

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 25V 1A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V
전력-최대: 800mW
주파수-전환: 110MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

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