트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
MJD50T4 STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 400V 1A DPAK 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V 전력-최대: 15W 주파수-전환: 10MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: DPAK	재고 있음2,286
MJD50T4G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 400V 1A DPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 200µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V 전력-최대: 1.56W 주파수-전환: 10MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: DPAK	재고 있음4,500
MJD50TF ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 400V 1A DPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 200µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V 전력-최대: 1.56W 주파수-전환: 10MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: TO-252-3	재고 있음3,508
MJD5731T4 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 350V 1A DPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 350V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V 전력-최대: 1.56W 주파수-전환: 10MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: DPAK	재고 있음5,472
MJD5731T4G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 350V 1A DPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 350V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V 전력-최대: 1.56W 주파수-전환: 10MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: DPAK	재고 있음2,520
MJD6039T4 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 80V 4A DPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 500 @ 2A, 4V 전력-최대: 1.75W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: DPAK	재고 있음6,588
MJD6039T4G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 80V 4A DPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 500 @ 2A, 4V 전력-최대: 1.75W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: DPAK	재고 있음5,058
MJE13001-AP Micro Commercial Co	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN TO-92 제조업체: Micro Commercial Co 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 20mA, 20V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 8MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92	재고 있음5,382
MJE13002B-AP Micro Commercial Co	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN TO-92 제조업체: Micro Commercial Co 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 40mA, 200mA 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 9 @ 200mA, 10V 전력-최대: 900mW 주파수-전환: 5MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92	재고 있음8,064
MJE13002-BP Micro Commercial Co	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN TO-126 제조업체: Micro Commercial Co 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 800mV @ 40mA, 200mA 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 9 @ 200mA, 10V 전력-최대: 1.25W 주파수-전환: 5MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3 공급자 장치 패키지: TO-126	재고 있음2,034
MJE13003 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 400V 1.5A TO225 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: SWITCHMODE™ 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 8 @ 500mA, 2V 전력-최대: 1.4W 주파수-전환: 10MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3 공급자 장치 패키지: TO-225AA	재고 있음2,592
MJE13003A-BP Micro Commercial Co	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN TO-126 제조업체: Micro Commercial Co 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 250mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 8 @ 500mA, 5V 전력-최대: 1.25W 주파수-전환: 5MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3 공급자 장치 패키지: TO-126	재고 있음7,740
MJE13003B-AP Micro Commercial Co	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN TO-92 제조업체: Micro Commercial Co 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 400mA, 10V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92	재고 있음5,778
MJE13003D-BP Micro Commercial Co	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN TO-251 제조업체: Micro Commercial Co 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 250mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 8 @ 500mA, 5V 전력-최대: 1.25W 주파수-전환: 5MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA 공급자 장치 패키지: TO-251	재고 있음3,546
MJE13003G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 400V 1.5A TO-225 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: SWITCHMODE™ 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 8 @ 500mA, 2V 전력-최대: 1.4W 주파수-전환: 10MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3 공급자 장치 패키지: TO-225AA	재고 있음3,798
MJE13005 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 400V 4A TO220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: SWITCHMODE™ 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 4MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음3,454
MJE13005 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 400V 4A TO-220 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 4MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220	재고 있음21,168
MJE13005-BP Micro Commercial Co	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN TO-220 제조업체: Micro Commercial Co 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 500mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V 전력-최대: 1.5W 주파수-전환: 5MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음2,718
MJE13005F-BP Micro Commercial Co	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN ITO-220 제조업체: Micro Commercial Co 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 420V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 50µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 5MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab 공급자 장치 패키지: ITO-220AB	재고 있음2,142
MJE13005G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 400V 4A TO220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: SWITCHMODE™ 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 4MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음3,132
MJE13007 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 400V 8A TO220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: SWITCHMODE™ 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V 전력-최대: 80W 주파수-전환: 14MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음6,372
MJE13007-BP Micro Commercial Co	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN TO-220 제조업체: Micro Commercial Co 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 2A, 5V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 4MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220	재고 있음5,238
MJE13007F-BP Micro Commercial Co	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN ITO-220 제조업체: Micro Commercial Co 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 4MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab 공급자 장치 패키지: ITO-220AB	재고 있음3,978
MJE13007G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 400V 8A TO220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: SWITCHMODE™ 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V 전력-최대: 80W 주파수-전환: 14MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음32,700
MJE13009 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 400V 12A TO220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 12A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 8 @ 5A, 5V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 4MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음8,982
MJE13009G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 400V 12A TO220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 12A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 8 @ 5A, 5V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 4MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음7,452
MJE15028 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 120V 8A TO220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V 전력-최대: 50W 주파수-전환: 30MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음3,654
MJE15028G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 120V 8A TO220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V 전력-최대: 50W 주파수-전환: 30MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음45,372
MJE15029 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 120V 8A TO220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V 전력-최대: 50W 주파수-전환: 30MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음6,462
MJE15029G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 120V 8A TO220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V 전력-최대: 50W 주파수-전환: 30MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음12,666

MJD50T4

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 400V 1A DPAK

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
전력-최대: 15W
주파수-전환: 10MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: DPAK

재고 있음2,286

MJD50T4G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 400V 1A DPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 200µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
전력-최대: 1.56W
주파수-전환: 10MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: DPAK

재고 있음4,500

MJD50TF

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 400V 1A DPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 200µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
전력-최대: 1.56W
주파수-전환: 10MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: TO-252-3

재고 있음3,508

MJD5731T4

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 350V 1A DPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 350V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
전력-최대: 1.56W
주파수-전환: 10MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: DPAK

재고 있음5,472

MJD5731T4G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 350V 1A DPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 350V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
전력-최대: 1.56W
주파수-전환: 10MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: DPAK

재고 있음2,520

MJD6039T4

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 80V 4A DPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 500 @ 2A, 4V
전력-최대: 1.75W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: DPAK

재고 있음6,588

MJD6039T4G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 80V 4A DPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 8mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 500 @ 2A, 4V
전력-최대: 1.75W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: DPAK

재고 있음5,058

MJE13001-AP

Micro Commercial Co

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN TO-92

제조업체: Micro Commercial Co
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 20mA, 20V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 8MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92

재고 있음5,382

MJE13002B-AP

Micro Commercial Co

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN TO-92

제조업체: Micro Commercial Co
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 40mA, 200mA
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 9 @ 200mA, 10V
전력-최대: 900mW
주파수-전환: 5MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92

재고 있음8,064

MJE13002-BP

Micro Commercial Co

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN TO-126

제조업체: Micro Commercial Co
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 800mV @ 40mA, 200mA
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 9 @ 200mA, 10V
전력-최대: 1.25W
주파수-전환: 5MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3
공급자 장치 패키지: TO-126

재고 있음2,034

MJE13003

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 400V 1.5A TO225

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: SWITCHMODE™
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 8 @ 500mA, 2V
전력-최대: 1.4W
주파수-전환: 10MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3
공급자 장치 패키지: TO-225AA

재고 있음2,592

MJE13003A-BP

Micro Commercial Co

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN TO-126

제조업체: Micro Commercial Co
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 250mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 8 @ 500mA, 5V
전력-최대: 1.25W
주파수-전환: 5MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3
공급자 장치 패키지: TO-126

재고 있음7,740

MJE13003B-AP

Micro Commercial Co

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN TO-92

제조업체: Micro Commercial Co
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 400mA, 10V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92

재고 있음5,778

MJE13003D-BP

Micro Commercial Co

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN TO-251

제조업체: Micro Commercial Co
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 250mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 8 @ 500mA, 5V
전력-최대: 1.25W
주파수-전환: 5MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
공급자 장치 패키지: TO-251

재고 있음3,546

MJE13003G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 400V 1.5A TO-225

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: SWITCHMODE™
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 8 @ 500mA, 2V
전력-최대: 1.4W
주파수-전환: 10MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3
공급자 장치 패키지: TO-225AA

재고 있음3,798

MJE13005

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 400V 4A TO220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: SWITCHMODE™
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 4MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음3,454

MJE13005

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 400V 4A TO-220

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 4MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220

재고 있음21,168

MJE13005-BP

Micro Commercial Co

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN TO-220

제조업체: Micro Commercial Co
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 500mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V
전력-최대: 1.5W
주파수-전환: 5MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음2,718

MJE13005F-BP

Micro Commercial Co

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN ITO-220

제조업체: Micro Commercial Co
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 420V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 5MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
공급자 장치 패키지: ITO-220AB

재고 있음2,142

MJE13005G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 400V 4A TO220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: SWITCHMODE™
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 4MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음3,132

MJE13007

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 400V 8A TO220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: SWITCHMODE™
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
전력-최대: 80W
주파수-전환: 14MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음6,372

MJE13007-BP

Micro Commercial Co

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN TO-220

제조업체: Micro Commercial Co
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 2A, 5V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 4MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220

재고 있음5,238

MJE13007F-BP

Micro Commercial Co

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN ITO-220

제조업체: Micro Commercial Co
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 4MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
공급자 장치 패키지: ITO-220AB

재고 있음3,978

MJE13007G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 400V 8A TO220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: SWITCHMODE™
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V
전력-최대: 80W
주파수-전환: 14MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음32,700

MJE13009

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 400V 12A TO220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 12A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 8 @ 5A, 5V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 4MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음8,982

MJE13009G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 400V 12A TO220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 12A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 8 @ 5A, 5V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 4MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음7,452

MJE15028

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 120V 8A TO220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V
전력-최대: 50W
주파수-전환: 30MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음3,654

MJE15028G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 120V 8A TO220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V
전력-최대: 50W
주파수-전환: 30MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음45,372

MJE15029

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 120V 8A TO220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V
전력-최대: 50W
주파수-전환: 30MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음6,462

MJE15029G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 120V 8A TO220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V
전력-최대: 50W
주파수-전환: 30MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음12,666

Send Message

Certifications

자원

지원

Social Media

Need Help?
Send Message