트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
MMBT3906HLT1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 40V 0.2A SOT23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,704
MMBT3906K ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 40V 0.2A SOT23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V 전력-최대: 350mW 주파수-전환: 250MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음3,240
MMBT3906LP-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 40V 0.2A 3DFN 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V 전력-최대: 250mW 주파수-전환: 300MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-XFDFN 공급자 장치 패키지: 3-DFN1006 (1.0x0.6)	재고 있음51,984
MMBT3906LP-7B Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 40V 0.2A DFN1006-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V 전력-최대: 250mW 주파수-전환: 300MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-UFDFN 공급자 장치 패키지: 3-DFN1006 (1.0x0.6)	재고 있음3,222
MMBT3906L RFG Taiwan Semiconductor Corporation	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANSISTOR, PNP, -40V, -0.2A, 10 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V 전력-최대: 350mW 주파수-전환: 250MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23	재고 있음8,712
MMBT3906LT1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 40V 0.2A SOT23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V 전력-최대: 300mW 주파수-전환: 250MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)	재고 있음5,166,660
MMBT3906LT1H ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 40V 200MA BIPO SOT23-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,212
MMBT3906LT1HTSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 40V 0.2A SOT-23 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V 전력-최대: 330mW 주파수-전환: 250MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음380,334
MMBT3906LT3G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 40V 0.2A SOT-23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V 전력-최대: 300mW 주파수-전환: 250MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)	재고 있음316,086
MMBT3906_NL ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 40V 0.2A SOT-23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V 전력-최대: 350mW 주파수-전환: 250MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음6,552
MMBT3906 RFG Taiwan Semiconductor Corporation	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANSISTOR, PNP, -40V, -0.2A, 10 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V 전력-최대: 350mW 주파수-전환: 250MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23	재고 있음518,808
MMBT3906SL ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 40V 0.2A SOT-923F 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V 전력-최대: 227mW 주파수-전환: 250MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-923F 공급자 장치 패키지: SOT-923F	재고 있음4,986
MMBT3906T ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 40V 0.2A SOT-523F 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V 전력-최대: 250mW 주파수-전환: 250MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490 공급자 장치 패키지: SOT-523F	재고 있음173,442
MMBT3906T-13 Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 40V 200MA SOT-523 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 50nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V 전력-최대: 150mW 주파수-전환: 250MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-523 공급자 장치 패키지: SOT-523	재고 있음7,020
MMBT3906T-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 40V 0.2A SOT-523 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 50nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V 전력-최대: 150mW 주파수-전환: 250MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-523 공급자 장치 패키지: SOT-523	재고 있음7,470
MMBT3906T-7-F Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 40V 0.2A SOT523 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 50nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V 전력-최대: 150mW 주파수-전환: 250MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-523 공급자 장치 패키지: SOT-523	재고 있음5,580
MMBT3906-TP Micro Commercial Co	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 40V 0.2A SOT23 제조업체: Micro Commercial Co 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V 전력-최대: 300mW 주파수-전환: 250MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23	재고 있음1,053,162
MMBT3906TT1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 40V 0.2A SC75-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V 전력-최대: 200mW 주파수-전환: 250MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416 공급자 장치 패키지: SC-75, SOT-416	재고 있음11,766,018
MMBT3906T-TP Micro Commercial Co	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 40V 0.2A SOT-523 제조업체: Micro Commercial Co 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V 전력-최대: 150mW 주파수-전환: 250MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-523 공급자 장치 패키지: SOT-523	재고 있음5,634
MMBT3906VL Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 MMBT3906/SOT23/TO-236AB 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V 전력-최대: - 주파수-전환: 250MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: TO-236AB	재고 있음6,462
MMBT3906WT1 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 40V 0.2A SOT323 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V 전력-최대: 150mW 주파수-전환: 250MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SC-70-3 (SOT323)	재고 있음20,233
MMBT3906WT1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 40V 0.2A SOT323 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V 전력-최대: 150mW 주파수-전환: 250MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: SC-70-3 (SOT323)	재고 있음235,530
MMBT4124 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 25V 0.2A SOT23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V 전력-최대: 350mW 주파수-전환: 300MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음53,664
MMBT4124-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 25V 0.2A SMD SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V 전력-최대: 300mW 주파수-전환: 300MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음5,184
MMBT4124-7-F Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 25V 0.2A SMD SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V 전력-최대: 300mW 주파수-전환: 300MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음646,374
MMBT4124LT1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 25V 0.2A SOT23-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V 전력-최대: 225mW 주파수-전환: 300MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)	재고 있음48,216
MMBT4126 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 25V 0.2A SOT-23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V 전력-최대: 350mW 주파수-전환: 250MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음3,906
MMBT4126-7 Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 25V 0.2A SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V 전력-최대: 300mW 주파수-전환: 250MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음8,730
MMBT4126-7-F Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 25V 0.2A SMD SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V 전력-최대: 300mW 주파수-전환: 250MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음2,160
MMBT4126LT1 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 25V 0.2A SOT23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V 전력-최대: 225mW 주파수-전환: 250MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)	재고 있음2,988

MMBT3906HLT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 40V 0.2A SOT23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,704

MMBT3906K

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 40V 0.2A SOT23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
전력-최대: 350mW
주파수-전환: 250MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음3,240

MMBT3906LP-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 40V 0.2A 3DFN

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
전력-최대: 250mW
주파수-전환: 300MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-XFDFN
공급자 장치 패키지: 3-DFN1006 (1.0x0.6)

재고 있음51,984

MMBT3906LP-7B

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 40V 0.2A DFN1006-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
전력-최대: 250mW
주파수-전환: 300MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-UFDFN
공급자 장치 패키지: 3-DFN1006 (1.0x0.6)

재고 있음3,222

MMBT3906L RFG

Taiwan Semiconductor Corporation

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANSISTOR, PNP, -40V, -0.2A, 10

제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
전력-최대: 350mW
주파수-전환: 250MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23

재고 있음8,712

MMBT3906LT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 40V 0.2A SOT23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
전력-최대: 300mW
주파수-전환: 250MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)

재고 있음5,166,660

MMBT3906LT1H

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 40V 200MA BIPO SOT23-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,212

MMBT3906LT1HTSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 40V 0.2A SOT-23

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
전력-최대: 330mW
주파수-전환: 250MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음380,334

MMBT3906LT3G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 40V 0.2A SOT-23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
전력-최대: 300mW
주파수-전환: 250MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)

재고 있음316,086

MMBT3906_NL

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 40V 0.2A SOT-23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
전력-최대: 350mW
주파수-전환: 250MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음6,552

MMBT3906 RFG

Taiwan Semiconductor Corporation

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANSISTOR, PNP, -40V, -0.2A, 10

제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
전력-최대: 350mW
주파수-전환: 250MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23

재고 있음518,808

MMBT3906SL

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 40V 0.2A SOT-923F

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
전력-최대: 227mW
주파수-전환: 250MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-923F
공급자 장치 패키지: SOT-923F

재고 있음4,986

MMBT3906T

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 40V 0.2A SOT-523F

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
전력-최대: 250mW
주파수-전환: 250MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490
공급자 장치 패키지: SOT-523F

재고 있음173,442

MMBT3906T-13

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 40V 200MA SOT-523

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 50nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
전력-최대: 150mW
주파수-전환: 250MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-523
공급자 장치 패키지: SOT-523

재고 있음7,020

MMBT3906T-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 40V 0.2A SOT-523

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 50nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
전력-최대: 150mW
주파수-전환: 250MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-523
공급자 장치 패키지: SOT-523

재고 있음7,470

MMBT3906T-7-F

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 40V 0.2A SOT523

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 50nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
전력-최대: 150mW
주파수-전환: 250MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-523
공급자 장치 패키지: SOT-523

재고 있음5,580

MMBT3906-TP

Micro Commercial Co

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 40V 0.2A SOT23

제조업체: Micro Commercial Co
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
전력-최대: 300mW
주파수-전환: 250MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23

재고 있음1,053,162

MMBT3906TT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 40V 0.2A SC75-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
전력-최대: 200mW
주파수-전환: 250MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416
공급자 장치 패키지: SC-75, SOT-416

재고 있음11,766,018

MMBT3906T-TP

Micro Commercial Co

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 40V 0.2A SOT-523

제조업체: Micro Commercial Co
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
전력-최대: 150mW
주파수-전환: 250MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-523
공급자 장치 패키지: SOT-523

재고 있음5,634

MMBT3906VL

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

MMBT3906/SOT23/TO-236AB

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
전력-최대: -
주파수-전환: 250MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: TO-236AB

재고 있음6,462

MMBT3906WT1

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 40V 0.2A SOT323

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
전력-최대: 150mW
주파수-전환: 250MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SC-70-3 (SOT323)

재고 있음20,233

MMBT3906WT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 40V 0.2A SOT323

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
전력-최대: 150mW
주파수-전환: 250MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: SC-70-3 (SOT323)

재고 있음235,530

MMBT4124

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 25V 0.2A SOT23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V
전력-최대: 350mW
주파수-전환: 300MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음53,664

MMBT4124-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 25V 0.2A SMD SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V
전력-최대: 300mW
주파수-전환: 300MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음5,184

MMBT4124-7-F

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 25V 0.2A SMD SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V
전력-최대: 300mW
주파수-전환: 300MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음646,374

MMBT4124LT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 25V 0.2A SOT23-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V
전력-최대: 225mW
주파수-전환: 300MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)

재고 있음48,216

MMBT4126

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 25V 0.2A SOT-23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V
전력-최대: 350mW
주파수-전환: 250MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음3,906

MMBT4126-7

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 25V 0.2A SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V
전력-최대: 300mW
주파수-전환: 250MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음8,730

MMBT4126-7-F

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 25V 0.2A SMD SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 50nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V
전력-최대: 300mW
주파수-전환: 250MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음2,160

MMBT4126LT1

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 25V 0.2A SOT23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V
전력-최대: 225mW
주파수-전환: 250MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)

재고 있음2,988

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