트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
NJVMJD127T4G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 IC TRANS PNP 8A 100V DPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V 전력-최대: 20W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: DPAK	재고 있음7,164
NJVMJD128T4G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 120V 8A DPAK-4 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V 전력-최대: 1.75W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: DPAK	재고 있음6,048
NJVMJD148T4G-VF01 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 45V 4A DPAK-4 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 20µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V 전력-최대: 1.75W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: DPAK	재고 있음4,896
NJVMJD210T4G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 25V 5A DPAK-4 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V 전력-최대: 1.4W 주파수-전환: 65MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: DPAK	재고 있음7,848
NJVMJD243T4G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 100V 4A DPAK-4 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V 전력-최대: 1.4W 주파수-전환: 40MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: DPAK	재고 있음25,992
NJVMJD253T4G-VF01 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 100V 4A DPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V 전력-최대: 12.5W 주파수-전환: 40MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: DPAK	재고 있음3,420
NJVMJD2955T4G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 60V 10A DPAK-4 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A 전류-수집기 차단 (최대): 50µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V 전력-최대: 1.75W 주파수-전환: 2MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: DPAK	재고 있음8,694
NJVMJD3055T4G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 60V 10A DPAK-4 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A 전류-수집기 차단 (최대): 50µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V 전력-최대: 1.75W 주파수-전환: 2MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: DPAK	재고 있음19,968
NJVMJD31CG ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 100V 3A DPAK-4 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 50µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V 전력-최대: 1.56W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: DPAK	재고 있음12,402
NJVMJD31CRLG ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 100V 3A DPAK-4 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 50µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V 전력-최대: 1.56W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: DPAK	재고 있음6,966
NJVMJD31CT4G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 100V 3A DPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 50µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V 전력-최대: 1.56W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: DPAK	재고 있음3,598
NJVMJD31CT4G-VF01 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 100V 3A DPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 50µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V 전력-최대: 1.56W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: DPAK	재고 있음40,146
NJVMJD31T4G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 40V 3A DPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 50µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V 전력-최대: 1.56W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: DPAK	재고 있음5,580
NJVMJD32CG ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 100V 3A DPAK-4 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 50µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V 전력-최대: 1.56W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: DPAK	재고 있음20,412
NJVMJD32CT4G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 100V 3A DPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 50µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V 전력-최대: 1.56W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: DPAK	재고 있음592
NJVMJD32CT4G-VF01 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 100V 3A DPAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 20µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V 전력-최대: 1.56W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: DPAK	재고 있음7,902
NJVMJD32T4G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 40V 3A DPAK-4 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 50µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V 전력-최대: 1.56W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: DPAK	재고 있음7,110
NJVMJD340T4G-VF01 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 300V 0.5A DPAK-4 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V 전력-최대: 1.56W 주파수-전환: 10MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: DPAK	재고 있음20,142
NJVMJD350T4G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 300V 0.5A DPAK-4 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V 전력-최대: 1.56W 주파수-전환: 10MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: DPAK	재고 있음6,732
NJVMJD41CT4G-VF01 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 100V 6A DPAK-4 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 6A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A 전류-수집기 차단 (최대): 50µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V 전력-최대: 1.75W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: DPAK	재고 있음20,790
NJVMJD42CRLG ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 100V 6A DPAK-4 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 6A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A 전류-수집기 차단 (최대): 50µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V 전력-최대: 1.75W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: DPAK	재고 있음6,030
NJVMJD42CT4G-VF01 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 100V 6A DPAK-4 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 6A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A 전류-수집기 차단 (최대): 50µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V 전력-최대: 1.75W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: DPAK	재고 있음5,148
NJVMJD44E3T4G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 80V 10A DPAK-4 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 10A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 5V 전력-최대: 1.75W 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: DPAK	재고 있음7,902
NJVMJD44H11D3T4G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 IC TRANS NPN 80V 8A DPAK-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A 전류-수집기 차단 (최대): 1μA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V 전력-최대: 20W 주파수-전환: 85MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: DPAK	재고 있음8,586
NJVMJD44H11G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 80V 8A DPAK-4 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A 전류-수집기 차단 (최대): 1μA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V 전력-최대: 1.75W 주파수-전환: 85MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: DPAK	재고 있음19,308
NJVMJD44H11RLG ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 80V 8A DPAK-4 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A 전류-수집기 차단 (최대): 1μA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V 전력-최대: 1.75W 주파수-전환: 85MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: DPAK	재고 있음8,802
NJVMJD44H11RLG-VF01 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 80V 8A DPAK-4 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A 전류-수집기 차단 (최대): 1μA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V 전력-최대: 1.75W 주파수-전환: 85MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: DPAK	재고 있음5,886
NJVMJD44H11T4G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 80V 8A DPAK-4 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A 전류-수집기 차단 (최대): 1μA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V 전력-최대: 1.75W 주파수-전환: 85MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: DPAK	재고 있음5,598
NJVMJD44H11T4G-VF01 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 80V 8A DPAK-4 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A 전류-수집기 차단 (최대): 1μA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V 전력-최대: 1.75W 주파수-전환: 85MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: DPAK	재고 있음2,718
NJVMJD45H11D3T4G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 IC TRANS PNP 80V 8A DPAK-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A 전류-수집기 차단 (최대): 1μA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V 전력-최대: 20W 주파수-전환: 90MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: DPAK	재고 있음2,052

NJVMJD127T4G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

IC TRANS PNP 8A 100V DPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
전력-최대: 20W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: DPAK

재고 있음7,164

NJVMJD128T4G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 120V 8A DPAK-4

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
전력-최대: 1.75W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: DPAK

재고 있음6,048

NJVMJD148T4G-VF01

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 45V 4A DPAK-4

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 20µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
전력-최대: 1.75W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: DPAK

재고 있음4,896

NJVMJD210T4G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 25V 5A DPAK-4

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 45 @ 2A, 1V
전력-최대: 1.4W
주파수-전환: 65MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: DPAK

재고 있음7,848

NJVMJD243T4G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 100V 4A DPAK-4

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
전력-최대: 1.4W
주파수-전환: 40MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: DPAK

재고 있음25,992

NJVMJD253T4G-VF01

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 100V 4A DPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
전력-최대: 12.5W
주파수-전환: 40MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: DPAK

재고 있음3,420

NJVMJD2955T4G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 60V 10A DPAK-4

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
전력-최대: 1.75W
주파수-전환: 2MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: DPAK

재고 있음8,694

NJVMJD3055T4G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 10A DPAK-4

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
전력-최대: 1.75W
주파수-전환: 2MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: DPAK

재고 있음19,968

NJVMJD31CG

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 100V 3A DPAK-4

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
전력-최대: 1.56W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: DPAK

재고 있음12,402

NJVMJD31CRLG

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 100V 3A DPAK-4

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
전력-최대: 1.56W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: DPAK

재고 있음6,966

NJVMJD31CT4G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 100V 3A DPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
전력-최대: 1.56W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: DPAK

재고 있음3,598

NJVMJD31CT4G-VF01

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 100V 3A DPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
전력-최대: 1.56W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: DPAK

재고 있음40,146

NJVMJD31T4G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 40V 3A DPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
전력-최대: 1.56W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: DPAK

재고 있음5,580

NJVMJD32CG

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 100V 3A DPAK-4

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
전력-최대: 1.56W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: DPAK

재고 있음20,412

NJVMJD32CT4G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 100V 3A DPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
전력-최대: 1.56W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: DPAK

재고 있음592

NJVMJD32CT4G-VF01

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 100V 3A DPAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 20µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
전력-최대: 1.56W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: DPAK

재고 있음7,902

NJVMJD32T4G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 40V 3A DPAK-4

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
전력-최대: 1.56W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: DPAK

재고 있음7,110

NJVMJD340T4G-VF01

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 300V 0.5A DPAK-4

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
전력-최대: 1.56W
주파수-전환: 10MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: DPAK

재고 있음20,142

NJVMJD350T4G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 300V 0.5A DPAK-4

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V
전력-최대: 1.56W
주파수-전환: 10MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: DPAK

재고 있음6,732

NJVMJD41CT4G-VF01

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 100V 6A DPAK-4

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 6A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
전력-최대: 1.75W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: DPAK

재고 있음20,790

NJVMJD42CRLG

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 100V 6A DPAK-4

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 6A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
전력-최대: 1.75W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: DPAK

재고 있음6,030

NJVMJD42CT4G-VF01

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 100V 6A DPAK-4

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 6A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
전력-최대: 1.75W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: DPAK

재고 있음5,148

NJVMJD44E3T4G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 80V 10A DPAK-4

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 10A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 5V
전력-최대: 1.75W
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: DPAK

재고 있음7,902

NJVMJD44H11D3T4G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

IC TRANS NPN 80V 8A DPAK-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
전류-수집기 차단 (최대): 1μA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
전력-최대: 20W
주파수-전환: 85MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: DPAK

재고 있음8,586

NJVMJD44H11G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 8A DPAK-4

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
전류-수집기 차단 (최대): 1μA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
전력-최대: 1.75W
주파수-전환: 85MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: DPAK

재고 있음19,308

NJVMJD44H11RLG

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 8A DPAK-4

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
전류-수집기 차단 (최대): 1μA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
전력-최대: 1.75W
주파수-전환: 85MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: DPAK

재고 있음8,802

NJVMJD44H11RLG-VF01

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 8A DPAK-4

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
전류-수집기 차단 (최대): 1μA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
전력-최대: 1.75W
주파수-전환: 85MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: DPAK

재고 있음5,886

NJVMJD44H11T4G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 8A DPAK-4

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
전류-수집기 차단 (최대): 1μA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
전력-최대: 1.75W
주파수-전환: 85MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: DPAK

재고 있음5,598

NJVMJD44H11T4G-VF01

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 8A DPAK-4

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
전류-수집기 차단 (최대): 1μA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
전력-최대: 1.75W
주파수-전환: 85MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: DPAK

재고 있음2,718

NJVMJD45H11D3T4G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

IC TRANS PNP 80V 8A DPAK-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
전류-수집기 차단 (최대): 1μA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
전력-최대: 20W
주파수-전환: 90MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: DPAK

재고 있음2,052

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